IVB的3D晶体管被人给扒光拍照了，好像和设计图有很大差异——

nom8393 · 发表于 2012-5-25 02:24

这个形状，你懂得——
逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特尔22nm Ivy Bridge处理器的剖面图，从中可见英特尔称为三栅极(tri-gate)晶体管的FinFET元件，从剖面图看来，它实际上是几乎呈现三角形的梯形。

这颗被解剖的IC是用于服务器的64位四核Xeon E3-1230处理器，Chipworks在香港取得该元件。

三角形部分与英特尔曾经在2011年展示过的理想化矩形截面明显不同。然而，目前尚不清楚这些fin的非垂直侧边是否为制造过程自然产生且无关紧要；亦或是英特尔故意如此设计，而且将对电子迁移率或良率造成关键影响。

从苏格兰格拉斯哥大学独立而出的Gold Standard Simulations Ltd. (GSS) CEO Ase Asenov在网络上回应道：业界对于这种形成“块状”(bulk)FinFET的梯形或是近似三角形结构的优缺点有诸多揣测。GSS已经使用其名为Garand的3D TCAD模拟器对FinFET进行了模拟分析。

yoyofuture88 · 发表于 2012-5-25 02:39

这个应该是理想跟现实的差别吧。。。不过激光蚀刻有这么不精确么？？？

kinno · 发表于 2012-5-25 08:28

这也能逆向分析出来？

酷威电脑水冷 · 发表于 2012-5-25 09:35

是不是真的可以逆向分析出。。。。。

cobra_woo · 发表于 2012-5-25 11:02

22nm 还是下一代吧

fzmailyl · 发表于 2012-5-25 11:58

悟道 · 发表于 2012-5-25 13:29

制作工艺达不到设计的要求。其结果大家都懂的。毕竟3D架构才开发出来还有很多需要改经和提高的地方。

fyso · 发表于 2012-5-25 14:04

IVB已经体现了3D晶体管阻碍了频率提升，如果将来INTEL由于发热而放弃3D晶体管，那也不是不可能的，随着制程和频率的提升，单位面积上的发热量会更进一步提高，频率提升更加困难，AMD在频率上大做文章的话，INTEL就会陷入被动。

fish2fish · 发表于 2012-5-25 14:09

fyso 发表于 2012-5-25 14:04
IVB已经体现了3D晶体管阻碍了频率提升，如果将来INTEL由于发热而放弃3D晶体管，那也不是不可能的，随着制程 ...

intel的技术储备不知有多雄厚，只是想不想拿出来而已

正宗3332243 · 发表于 2012-5-25 14:13

fish2fish 发表于 2012-5-25 14:09
intel的技术储备不知有多雄厚，只是想不想拿出来而已

intel确实很多后手，单单是解放倍频就不得了了

reftin2 · 发表于 2012-5-25 15:23

上面那张图怎么看也不是设计图，最多算是示意图，宣传品

养小虎 · 发表于 2012-5-25 16:07

不管是方形、梯形、三角形，表面积都大大增加了

bogstriuk · 发表于 2012-5-25 16:21

这也能逆向分析出来无敌

只看该作者 · 发表于 2012-5-25 18:21

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BDFMK2 · 发表于 2012-5-25 20:07

kinno 发表于 2012-5-25 08:28
这也能逆向分析出来？

你需要一把锤子和一台电子显微镜

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nqhjl 该用户已被删除	14^# 发表于 2012-5-25 18:21 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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IVB的3D晶体管被人给扒光拍照了，好像和设计图有很大差异——

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