INTEL肾脾爆裂，中国复旦大学成功研究出半浮栅晶体管

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中国发明半浮栅晶体管 有助获得芯片制造话语权

据新华社华盛顿8月8日电，中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速。 据介绍，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。

研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”

据王鹏飞介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中的主流器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置——隧穿场效应晶体管（TFET）制成。它的优势在于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块MOSFET晶体管。

kinno

呵呵，又可以骗经费了

jjx01

啥时候用在技嘉或者华硕主板上了再来吹吧
这玩意跟intel毫无交集

boris_lee

kinno 发表于 2013-8-11 16:25
呵呵，又可以骗经费了

嗯Science这种野鸡杂志，纯属骗经费专用。

boris_lee

jjx01 发表于 2013-8-11 18:37
啥时候用在技嘉或者华硕主板上了再来吹吧
这玩意跟intel毫无交集

啥时候看过模电教材，搞清楚TTL CMOS ECL什么意思再来喷吧

yuhiyu

哥经常看科技新闻，经常实验室会爆出重大成果发现，但关注了这么多年科技，大硬盘还是用磁道，CPU还是沙子做的，汽车还是喝汽油，普京也还是普京

boris_lee

yuhiyu 发表于 2013-8-11 20:21
哥经常看科技新闻，经常实验室会爆出重大成果发现，但关注了这么多年科技，大硬盘还是用磁道，CPU还是沙子做 ...

现在的磁盘要加钌，cpu要加铪了

jjx01

Intel QWFET场效应管技术向立体型架构推进

2010-12-08 00:23:292056 次阅读0 条评论




为了做好应对更高级别制程节点的准备,Intel公司一直都在积极研制量子阱场效应管（QWFET）有关的技术，2008年，他们曾经首次展示过一款高速低功耗 型的QWFET场效应管，管子的p型沟道材料采用的是40nm制程的锑化铟 (InSb)，在0.5V电压下的截止频率可达140GHz。而09年他们也曾经展示过使用high-k绝缘层结构的QWFET，不过最近他们又在该课题上取得了一些新的成就。
为了解决平面型硅晶体管随着尺寸的微缩而面临的性能，功耗方面的瓶颈，科学家们一直在努力研究其它的晶体管技术，包括立体型晶体管（如Finfet/三门晶体管）以及III-V族材料制作的QWFET晶体管等技术。

据Intel本周在IDEM大会上发布的文件显示，Intel的科学家们在QWFET技术上又迈出了可喜的一步。这份文件中称：“本文首次展示了一种基于非平面型多栅设计立体晶体管结构，以及采用High-K栅绝缘层材料的 InGaAs QWFET，这种QWFET的栅极到漏/源极的间隔距离 (LSIDE)仅5nm。”
  
文件还写道："本立体型QWFET中采用的high-k栅绝缘层材料的等效栅极绝缘层厚度(TOXE)仅20.5埃(2.05nm),管子的节栅高度低，栅绝缘层界面属性好。而且立体型架构对漏源极的结构复杂程度要求也不高，同时还显著减小了寄生电阻。"
  
Intel还表示：“比较平面型设计的high-k  InGaAs QWFET，在TOXE厚度一致的情况下，立体型多栅结构InGaAs QWFET栅极控制能力更为优秀。本文显示立体型多栅结构可有效提升低功耗逻辑用III-V族QWFET管子的尺寸缩微能力。

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对比一下毫无数据的中式新闻

哦，science上的数据找到了：
http://www.sciencemag.org/content/341/6146/640.abstract?sid=c397dc64-97b0-4cfc-87b8-3b5a5a9a04dd
As the semiconductor devices of integrated circuits approach the physical limitations of scaling, alternative transistor and memory designs are needed to achieve improvements in speed, density, and power consumption. We report on a transistor that uses an embedded tunneling field-effect transistor for charging and discharging the semi-floating gate. This transistor operates at low voltages (≤2.0 volts), with a large threshold voltage window of 3.1 volts, and can achieve ultra–high-speed writing operations (on time scales of ~1 nanosecond). A linear dependence of drain current on light intensity was observed when the transistor was exposed to light, so possible applications include image sensing with high density and performance.

2.0v 1纳秒

kinno

boris_lee 发表于 2013-8-11 19:04
嗯Science这种野鸡杂志，纯属骗经费专用。

你就别内涵了，科学杂志还是享有盛誉的。只是天潮的工作者，有心无力。

jjx01

science发那篇文是因为有创新
至于这个创新有多牛比，实在看不出来

xaaaaaaaaaaaaaa

实际产品要出来恐怕还有很多路要走

weiyangsheng2

反正无法量产 还不如直接卖给INTEL算老

飘然

类似的新闻听了20年了，早麻木了，天朝的类似科技成功多的死，如果都是真的，早可以远征天顶星，独霸银河系

jjx01

weiyangsheng2 发表于 2013-8-12 10:02
反正无法量产 还不如直接卖给INTEL算老

intel 2008年做到0.5v电压140ghz，为什么会对2013年的2.0v 1ghz的技术感兴趣。。。

feeling253

他们什么时候能拿着产品给大家看的时候再介绍技术啊，现在还是啥都没有，又开始吹了。

zlogcyrix

求卖给AMD，来个绝地大反攻:D

leevenbo

今天无意中看到七点的新闻联播　第一时间讲的就是这个

doocoo

主要是没市场。有技术没有厂家用，厂家用了也不知道干嘛，就算造个U还没有产业界支持……

aniday

浮栅场效应管主要用于存储设备，比如SSD。它与用于CPU的普通场效应管的区别在于：前者有两类栅极（浮动栅极和控制栅极），断电后状态保留，可以当做存储单位；而后者只有一类栅极，断电后不保留状态，是开关电路。

这个半浮栅的主要创新点在于将（已经用于普通场效应管的）隧穿技术首次应用到了浮栅场效应管上，可以看做是对后者的一种改进。它的应用范围基本不变，还是以存储为主。虽然它与半导体产业最核心的CPU业务关系不大，但是对于我国进入到半导体产业的核心圈子来说，还是有帮助的，毕竟这是世界上第一个半浮栅晶体管。先从外围做起，加入进去，然后逐步追赶，这个路子是对的，总有一天会取得成功。