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基本要素
容量 100 GB
状态 Launched
发行日期 Q4'12
数据表 Link
产品简介 Link
其他信息 URL Link
光刻类型 25nm
建议的客户价格 N/A
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性能
顺序读取 500 MB/s
顺序写入 200 MB/s
随机读取(100% 跨度) 75000 IOPS
随机写入(100% 跨度) 19000 IOPS
延迟 —— 读取 50 µs
延迟 —— 写入 65 µs
电源 —— 活动 2.9 W
电源 —— 闲置 650 mW
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可靠性
震动 —— 操作 2.17 GRMS (5-700 Hz)
震动 —— 不操作 3.13 GRMS (5-800 Hz)
撞击(操作和不操作) 1,000 G/0.5 msec
操作温度范围 0°C to 70°C
耐用等级(终身写入) 10 drive writes per day for 5 years
故障间的平均时间(MTBF) 2,000,000 Hours
无法纠正的位错误速率(UBER) 1 sector per 10^17 bits read
保修期 5 yrs
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封装规格
组件 Intel NAND Flash Memory Multi-Level Cell (MLC) Technology
重量 70 grams ± 2 grams
板型 2.5" 7mm
接口 SATA 3.0 6Gb/S
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先进技术
增强的停电数据保护功能 是
硬件加密 AES 256 bit
高耐用技术 是
温度监测和记录 是
端到端数据保护 是
Intel® Rapid Start Technology 否
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