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spinup

根据这个规律，我们就要特别关注双方的半导体工艺了。Intel比AMD早一年跨入90nm工艺，并且在90nm工艺中率先使用了应变硅技术。AMD虽然到得晚了点，但是手中却有intel未能使用的PD-SOI技术。虽然一开始并没有应用上应变硅技术，但是在与IBM合作后也迅速应用了DSL ,技术指标甚至比intel的应变硅还要略高。另外AMD还有成熟的Low-K介质与9层铜互连工艺。这样综合来看，同样90nm，理应是AMD工艺略强。

实际上双方公布的半导体性能指标比如饱和电流还是intel更高，但是AMD对此完全无动于衷---这就涉及到更微妙的一些细节了。总体来说，90nm下，双方门电路级的性能实际是相当的，AMD还在功耗和成本上取得了一定的优势。

让我们看一下intel和AMD双方的产品吧。90nm工艺下，双方的主打产品分别是prescott核心和venus核心，两者均有1M的L2 cache。（实际策略上与prescott 1M对应的是512KL2的___，与venus对应的应该是prescott2M，不过同是1M缓存计算更方便些）。Prescott的晶体管数是1.25亿，芯片面积为……。而venus的晶体管数约为1.06亿，芯片面积    。1ML2的晶体管数约为5千万（K8实际花在L2上的晶体管数会略多些，因为其L2有ECC的冗余）则prescott除掉L2后核心约为7千万晶体管，而venus为5千万左右。看上去prescott核心晶体管数大不少，但双方采取不同的架构，代价差距并没有那么大。

暂时贴一下

oliverli

感觉是intel打了一拳貌似很猛的空拳！