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楼主: liao228
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贴个图:8RDA3+更换MOSFET

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21#
 楼主| 发表于 2006-7-22 18:32 | 只看该作者
原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表' y0 b8 |% S9 N% b6 m' b( e6 T" O
, _1 E- s. ?9 d

0 s; [6 Q: ]. b& \) s* X6 j影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...
' i) f7 E3 M3 ]. R) h$ P' R& S
3 {- G+ @0 j; R2 i$ g* N
看来自由战士在这方面是高手,无比佩服.但是查阅IRU3055的文档,没有提供驱动内阻的值,仅有其它几个参数,不知是否也能计算出理论上的功耗?) t- O1 s& W- t( W& D
能不能就以IRU3055和IRF2804为例,来详细分析一下呢?我提供IRU3055和IRF2804的基本参数:

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22#
发表于 2006-7-22 20:00 | 只看该作者
偶真的是很佩服
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23#
发表于 2006-7-22 22:00 | 只看该作者
这样装.非常不好.
" m6 q5 D, A# U% _7 b  q+ ~
/ M5 \- j. g1 k场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.8 }! W% G4 z$ ?) H$ x) d
6 \0 M& m7 d; ~! ?8 d6 c& t6 V
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]
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24#
 楼主| 发表于 2006-7-22 22:58 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表
/ Z6 G/ M8 Q6 M) _) p0 a这样装.非常不好.
$ E8 S* W& O, x$ q2 J& _; E& ~) g5 V) V2 e; j6 a. e6 w; f2 O1 c
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.
4 f- a0 ?* R) W6 ?4 A# r) M4 R& F; \

. }2 E6 Q* {6 s! Z7 d; s      不见得不好,至少我能找到两种以上的主板采用立式安装,并且不带散热片的,前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的,即CPU风扇出来的风能够吹到。
. S& W5 [8 @  w: V9 ]% P; s' t' C: G, `! c* y; e3 r+ q6 ~1 R% j
      再补充一点,其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”,MOS管的极限工作温度可高达175度,假设从20度升至60度的话,Rds最多只增加20%左右,一般的工作温度大致也就在这个范围内吧,我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且,温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响,但并不是所有的影响都是坏的,有些甚至可能有好处呢。  P" ^& K6 p* u2 ]6 q2 Q

& v6 S" B1 h" Z, p2 z# M1 g    本人理论知识不精,说错也难免,欢迎高手指正.0 ^: o3 g; d/ q8 F) I' z

$ t* k8 `4 ~; s( y, W[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]

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25#
 楼主| 发表于 2006-7-22 23:06 | 只看该作者
Inel915芯片组,LAG775

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26#
发表于 2006-7-22 23:25 | 只看该作者
强悍死了。佩服惨了。
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27#
发表于 2006-7-23 21:39 | 只看该作者
这个也能换??真折腾啊
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28#
发表于 2006-7-23 21:45 | 只看该作者
我N奶机有块这爆浆板,自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容,单位找来的差不多的就焊上了~8 G7 w  h! I% A, a' n
现在出了些莫名其妙的问题
( \! Y9 ]  B! _- q供电电压极其不稳,3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V; A6 s* _/ E2 X( o7 S& Z2 c& a
现在刻录机接上面都用不了,读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗, M: W, H7 @9 _/ o, G7 Q
求教一下大概是那里的问题呀?
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29#
 楼主| 发表于 2006-7-23 21:58 | 只看该作者
原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表" ?# B4 I* v" ^
我N奶机有块这爆浆板,自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容,单位找来的差不多的就焊上了~
' S$ D/ s. z0 W  |' I  b$ X) x现在出了些莫名其妙的问题
) m; ~, }% ]) c2 H. k供电电压极其不稳,3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V9 N  t! T* ?4 M' Z' C
现在刻录机接上面都用不 ...
8 C* l9 u/ i) t8 b7 |, b) \
( w# g, ]3 z) ?, }
要么是你换的那些电容不好,要么就是电源有问题。
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30#
发表于 2006-7-27 14:17 | 只看该作者
我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出
0 C/ C6 c# m: V同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的., y# i4 B" q) G* h8 L( o' r0 Y

' s' P1 Z9 c# N- L+ e另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.9 K' B/ @$ f  O: G# P
2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.2 T) J2 Q7 z! e2 r) I9 I
  D1 l2 |$ R4 G7 E. q
我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.$ P  t& C- Z! O( X5 I4 Q

$ f# _1 |+ c$ B, E! |; Y[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]

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31#
发表于 2006-7-27 22:33 | 只看该作者
楼上说得没错,mos的导通损耗是比较小的,跟BJT的饱和导通一样,但是作为高频应用的开关电源就不同了,上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗,这也是高频开关电源损耗最大的一部分3 f- a! H& u- o: G
ps:不是乱吹,有书为证的:)
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32#
发表于 2006-10-21 17:30 | 只看该作者
这次修改不太YY了,毕竟已是旧机,YY为重。
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