贴个图：8RDA3+更换MOSFET

liao228

原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表
; ^2 X# a4 V5 Y  A+ M4 J! a6 i6 I

' \$ B# g0 b1 P9 c; M- Y影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...

看来自由战士在这方面是高手，无比佩服.但是查阅IRU3055的文档，没有提供驱动内阻的值，仅有其它几个参数，不知是否也能计算出理论上的功耗？
$ [, s. T1 c  S- K能不能就以IRU3055和IRF2804为例，来详细分析一下呢？我提供IRU3055和IRF2804的基本参数：

bjbhappy

偶真的是很佩服

ljm_ljm

这样装.非常不好.

2 w0 p6 p* r! Q8 j5 b场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

2 n( L8 j; k/ O$ |[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]

liao228

原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表
3 U4 S4 m' Y% G, O! r, {) i4 {这样装.非常不好.

. ~, K5 H: W7 W4 T0 x场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

; F6 D8 V/ i( U      不见得不好，至少我能找到两种以上的主板采用立式安装，并且不带散热片的，前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的，即CPU风扇出来的风能够吹到。
% }- S( T7 Z; E/ `
      再补充一点，其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”，MOS管的极限工作温度可高达175度，假设从20度升至60度的话，Rds最多只增加20%左右，一般的工作温度大致也就在这个范围内吧，我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且，温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响，但并不是所有的影响都是坏的，有些甚至可能有好处呢。

    本人理论知识不精，说错也难免，欢迎高手指正.

[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]

liao228

Inel915芯片组，LAG775

isail

强悍死了。佩服惨了。

p3

这个也能换？？真折腾啊

灰人

我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
6 B2 L& A5 {+ A1 c: [现在出了些莫名其妙的问题
9 Y( p) s! n2 f( y. z/ N供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
" i! h/ W9 S% R( n8 o6 ^现在刻录机接上面都用不了，读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗
求教一下大概是那里的问题呀？

liao228

原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表
我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
* s6 h3 g# }, d4 H/ r* _现在出了些莫名其妙的问题
供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
0 `# S; ^: b( v) g- G  p: Z8 g# b( ^# G现在刻录机接上面都用不 ...

% g! V% ^& P' U1 Q9 f' m/ T6 w
" w8 x! N8 w# L9 M$ N+ t要么是你换的那些电容不好，要么就是电源有问题。

ljm_ljm

我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出
同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.
" N" s: [: c2 D. Q8 M5 @  @3 \
2 z1 x) Q  f$ b另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.
2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.

# O% a, ?1 e; h# I我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.
+ |% a  V4 n4 p7 b# L% v2 b
- ?" R0 }. U1 _) L' b' C[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]

fengpc

楼上说得没错，mos的导通损耗是比较小的，跟BJT的饱和导通一样，但是作为高频应用的开关电源就不同了，上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗，这也是高频开关电源损耗最大的一部分
# E2 [1 X/ i5 U: Z, f6 @4 F6 Kps:不是乱吹，有书为证的：）

longzhit1

这次修改不太YY了，毕竟已是旧机，YY为重。