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POPPUR爱换 › "我们的"硬件讨论中心 › 主板讨论区 › 贴个图：8RDA3+更换MOSFET
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楼主: liao228
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贴个图：8RDA3+更换MOSFET

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liao228
21#
 楼主| 发表于 2006-7-22 18:32 | 只看该作者
原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表
4 Q% F3 v3 @- P8 @0 g3 @2 ^3 N. z4 w0 }1 G

! y9 d, s% V! [+ U4 N% e# B影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...
* T7 T9 |' s: p2 q, L9 }, n

1 z0 r4 _0 @& y1 i看来自由战士在这方面是高手，无比佩服.但是查阅IRU3055的文档，没有提供驱动内阻的值，仅有其它几个参数，不知是否也能计算出理论上的功耗？8 n& G7 [1 l3 t- r, T; C
能不能就以IRU3055和IRF2804为例，来详细分析一下呢？我提供IRU3055和IRF2804的基本参数：

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bjbhappy
22#
发表于 2006-7-22 20:00 | 只看该作者
偶真的是很佩服
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ljm_ljm
23#
发表于 2006-7-22 22:00 | 只看该作者
这样装.非常不好./ k% b6 ^" U) y9 H6 @* \

" G% {) f: e+ ?; u0 s场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.
" D+ T8 a; z/ n+ q1 L1 D* |- b  _$ i% Z. G7 O; v) u
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]
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liao228
24#
 楼主| 发表于 2006-7-22 22:58 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表
- Q5 L1 A& J; y0 e这样装.非常不好.  L6 \: {% \( d0 T' Z

( E# B; X$ l% d) u# K4 E场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

, `% Q: m' l8 \- q1 t1 Z8 L& B
      不见得不好，至少我能找到两种以上的主板采用立式安装，并且不带散热片的，前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的，即CPU风扇出来的风能够吹到。
7 L% J2 E+ U0 @9 |9 g: d: S! b! s$ E+ K# T6 \" j
      再补充一点，其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”，MOS管的极限工作温度可高达175度，假设从20度升至60度的话，Rds最多只增加20%左右，一般的工作温度大致也就在这个范围内吧，我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且，温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响，但并不是所有的影响都是坏的，有些甚至可能有好处呢。% {1 N# G; t3 I. D6 _3 |. Y

2 ]" Z' f$ h& L' |9 ~2 _    本人理论知识不精，说错也难免，欢迎高手指正.
4 @, [# {4 u2 A1 J
0 l7 Y6 E7 o) P- ^[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]

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liao228
25#
 楼主| 发表于 2006-7-22 23:06 | 只看该作者
Inel915芯片组，LAG775

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isail
26#
发表于 2006-7-22 23:25 | 只看该作者
强悍死了。佩服惨了。
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p3
27#
发表于 2006-7-23 21:39 | 只看该作者
这个也能换？？真折腾啊
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灰人
28#
发表于 2006-7-23 21:45 | 只看该作者
我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~# T7 Q9 m) t0 I" z$ x
现在出了些莫名其妙的问题0 g$ r0 j& O8 b2 f* Z  W' {0 k
供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
) b5 q- e; M0 w3 j' b! C现在刻录机接上面都用不了，读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗
& L0 s0 I: u. Y1 L; T0 ^7 \& q求教一下大概是那里的问题呀？
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liao228
29#
 楼主| 发表于 2006-7-23 21:58 | 只看该作者
原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表! A& R6 H8 J! b* r7 u  H0 W
我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~3 D  w6 l* w# }, o% _- `
现在出了些莫名其妙的问题9 v) m9 u! g  b# W" ^
供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V3 T" j* r( F6 @# y% j
现在刻录机接上面都用不 ...
+ S- B" ?% o; f1 u- `
$ y; d, Z5 J; v) W. g; p8 j
要么是你换的那些电容不好，要么就是电源有问题。
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ljm_ljm
30#
发表于 2006-7-27 14:17 | 只看该作者
我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出" w; Q! [+ z/ w) Q
同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.
3 i$ q0 x. g& S8 D$ S! @) s2 U# y
另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.
% N* W/ B  N! X% `2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.
* ], b2 B/ P) K. `8 a: w8 N1 y4 `+ g$ L# T+ |) ^. l$ L2 a
我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.& I  b+ m9 h, d! e' q- {

7 ^) s8 Z3 w7 x" U- d1 R[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]

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fengpc
31#
发表于 2006-7-27 22:33 | 只看该作者
楼上说得没错，mos的导通损耗是比较小的，跟BJT的饱和导通一样，但是作为高频应用的开关电源就不同了，上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗，这也是高频开关电源损耗最大的一部分- a, m* a/ m4 o8 j; Q* f6 K
ps:不是乱吹，有书为证的：）
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32#
发表于 2006-10-21 17:30 | 只看该作者
这次修改不太YY了，毕竟已是旧机，YY为重。
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