贴个图：8RDA3+更换MOSFET

liao228

原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表


影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...

. V: c( p7 h& P3 l
5 G: Q: k1 R, l$ Y7 A3 G看来自由战士在这方面是高手，无比佩服.但是查阅IRU3055的文档，没有提供驱动内阻的值，仅有其它几个参数，不知是否也能计算出理论上的功耗？
- T  P+ K9 j2 @/ T' Z  t能不能就以IRU3055和IRF2804为例，来详细分析一下呢？我提供IRU3055和IRF2804的基本参数：

bjbhappy

偶真的是很佩服

ljm_ljm

这样装.非常不好.
2 G& \" t0 x$ o* S+ x% k6 u
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]

liao228

原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表
这样装.非常不好.
; E& J6 C# L, g& t" f
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

' K. |$ C9 u6 a% V, _* [      不见得不好，至少我能找到两种以上的主板采用立式安装，并且不带散热片的，前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的，即CPU风扇出来的风能够吹到。
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      再补充一点，其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”，MOS管的极限工作温度可高达175度，假设从20度升至60度的话，Rds最多只增加20%左右，一般的工作温度大致也就在这个范围内吧，我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且，温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响，但并不是所有的影响都是坏的，有些甚至可能有好处呢。

0 d7 l8 a1 \, |) p8 }    本人理论知识不精，说错也难免，欢迎高手指正.

* A1 z4 G6 t) \) `/ X6 b, \* h[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]

liao228

Inel915芯片组，LAG775

isail

强悍死了。佩服惨了。

p3

这个也能换？？真折腾啊

灰人

我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
7 F' R- T, L( x' c7 {现在出了些莫名其妙的问题
9 h% J' L  d9 h4 ]2 e0 G9 T供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
现在刻录机接上面都用不了，读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗
求教一下大概是那里的问题呀？

liao228

原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表
# o7 `: J5 T6 j* Z) J我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
+ h' h" V/ H# ~# d现在出了些莫名其妙的问题
" @2 x) `' U& l6 @: j; s供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
$ ]9 A9 m" R, Q+ S; E* O: M! q现在刻录机接上面都用不 ...

2 i& k6 I/ |) Z/ r6 _3 i; y3 c- E
. J- ]$ F% o+ I9 `1 @要么是你换的那些电容不好，要么就是电源有问题。

ljm_ljm

我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出
) P% v' Z0 b( c0 _同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.

另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.
2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.

$ l% @2 ^1 a' T1 m我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.
' B* m; f; c8 e/ e7 }
  k0 s8 r1 n, e+ p, H[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]

fengpc

楼上说得没错，mos的导通损耗是比较小的，跟BJT的饱和导通一样，但是作为高频应用的开关电源就不同了，上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗，这也是高频开关电源损耗最大的一部分
ps:不是乱吹，有书为证的：）

longzhit1

这次修改不太YY了，毕竟已是旧机，YY为重。