贴个图：8RDA3+更换MOSFET

liao228 · 发表于 2006-7-18 23:43

MOSFET用了IRF2804，TO-220AB封装，所以只好立式安装了，没法装散热片。好在该管的参数极其优良，RDS仅为2.3毫欧，比原先的管子好得多，所以发热也不大。

liao228 · 发表于 2006-7-18 23:44

因为电感和电容不方便焊接工作，所以先拆掉　！＃

liao228 · 发表于 2006-7-18 23:46

OK，现在完工了.

viney♂ · 发表于 2006-7-18 23:46

偶的2奶机用着8RDA3+，不过自己没有时间整

liao228 · 发表于 2006-7-18 23:49

OK，现在完工了.

橄榄菜 · 发表于 2006-7-19 01:43

都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:

fantasyai · 发表于 2006-7-19 17:23

哇```廖爷````哈哈``

liao228 · 发表于 2006-7-19 17:29

原帖由 fantasyai 于 2006-7-19 17:23 发表/ F$ U5 Q1 [6 [! G$ ]
哇```廖爷````哈哈``

哇```fantasyai````哈哈``
我不是廖爷，哈哈
我借来的ID，哈哈

baboon · 发表于 2006-7-19 19:31

有啥好处？
　。。。。。＃

winfast007 · 发表于 2006-7-19 21:40

可以买一些散热片装在上面啊，帮助散热。

liao228 · 发表于 2006-7-19 22:43

好处就是提高供电能力，提高稳定性，和换电容的目的是一样的。散热片可以不加，因为发热量并不大，如果加的话还要考虑绝缘性，很麻烦，且一年多的时间证实了非常稳定。

fs_francis · 发表于 2006-7-20 09:59

这样排列的话,楼主不考虑一下中间夹一块铜片辅助散热?

liao228 · 发表于 2006-7-20 10:28

原帖由 fs_francis 于 2006-7-20 09:59 发表2 r2 o; p5 n% Z2 i( D4 G
这样排列的话,楼主不考虑一下中间夹一块铜片辅助散热?

　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。
　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类MOSFET中的极品了，RDS只有2.3毫欧姆，而原配的管子RDS好象是大于10毫欧的某个型号（时间长记不清了）。这样的话，工作时的功耗只相当于原管的几分之一（功耗与电阻成正比），所以不用加散热片也是可以的。如果不是因为IRF2804的性能这么好，我也不会这么用了。

p3 · 发表于 2006-7-21 00:35

厉害，这都能换。的

只看该作者 · 发表于 2006-7-21 08:09

提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

自由战士 · 发表于 2006-7-21 18:07

原帖由 liao228 于 2006-7-20 10:28 发表
. q9 X! X+ \& j0 W% H* n5 a
# G- C8 x) l% q" I4 X8 ]0 z　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。
4 r' t0 ?9 W+ n9 s　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类M ...

其实未必要全换:wub:
RDS小的管子,其结电容必然要大些
上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关管相反(续流管工作在零电压状态下,理论上其开关损耗为零,只有导通损耗),所以,你完全可以不用更换上面的管子,只换续流管就可以

liao228 · 发表于 2006-7-21 23:20

原帖由 自由战士 于 2006-7-21 18:07 发表% H* N6 j9 {1 N9 d# R1 P7 `- S

/ `- R" d1 P$ ^! C) w9 \. w& R3 B- o5 ~8 F7 g; O
其实未必要全换:wub:' q; u, S' n/ q% V6 E
RDS小的管子,其结电容必然要大些
8 _5 q& B, b6 j4 m上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关 ...

   这个理论是对的，不过还要看元器件的实际情况。
   根据查到的原MOS管(STB55NF03L)与新MOS管(IRF2804)的资料对比，可知：
STB55NF03L Rds = 10 mΩ(典型值)
                  Tr= 280ns
                  Tf=60ns

IRF2804 Rds= 1.8 mΩ(典型值)
            Tr=120ns
            Tf=130ns

可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。

经过大致的计算(公式来自官方PDF文档)，更换新管后，上管功耗约为原管的三分之二(包括开关损耗)，下管功耗约为原管的五分之一弱.

   不过上管换成IRF2804的确不是很适合，如果换英飞凌的管子可能更好些，可惜手上没有，下管么就物超所值了。

[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-21 23:31 编辑 ]

自由战士 · 发表于 2006-7-22 17:47

可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。 ...

影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3055这块PWM控制芯片内)
厂家给出的Tr,Tf值,是在栅极驱动内阻小到可以忽略的情况下测出的,实际应用中就不一样了,特别是栅极驱动集成在PWM芯片中的电路,从PWM到MOSFET栅极的布线的宽度,长度,都会深刻影响MOSFET的性能.如果PWM的输出内阻本来就不低,加上MOS管的Qg又大,那么不论其Tr,Tf如何优秀,都可能会大大增加上升和下降的时间:wub:
偶认为,BUCK同步变换器中,高侧MOS管的Qg比RDS等其他参数更重要,另外,栅极驱动内阻与Qg的配合也很重要,一定程度上就是由它的充电时间决定高侧MOSFET的开关速度和损耗..:a)

自由战士 · 发表于 2006-7-22 17:55

原帖由 jickl 于 2006-7-22 11:27 发表4 U: U, c7 ]& p9 g7 t% Y, j8 l6 }8 O
偶感觉应该象电源一样两面MOS管，中间散热片，用绝缘的3M贴贴上，嘿嘿

偶认为应该找些铜片,直接焊在MOS管的基板上,既牢靠,效果又比用绝缘片的好:lol:

自由战士 · 发表于 2006-7-22 17:59

原帖由 橄榄菜 于 2006-7-19 01:43 发表
6 r* P1 [& _* i都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:

玩了这些,你就会明白什么3相8相供电,什么数码供电,都是一回事情:lol:

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林青豪该用户已被删除	15^# 发表于 2006-7-21 08:09 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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