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IBM日前联合AMD宣布，其获得了45nm工艺的重大突破，使得其未来在45nm工艺上依旧保持领先。IBM称其45nm工艺上实现了新的印刷技术、新的低K介质互联技术以及更强的应变硅技术。
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IBM展示45nm晶圆
对于新的印刷技术可以使的45nm芯片比使用传统工艺获得15％左右的提升；而Ultra Low K，超低K电介质互联技术要比普通的Low K的电介常数更低，从二可以降低15%左右的写入延迟；由于45nm工艺封装难度高，IBM提出新的应变硅技术，同普通的非SOI封装相比，IBM的SOI封装可以让P级驱动电流提高80%，把N级驱动电路提高24%，这会大大提高产品的良品率和实际性能。
同时IBM宣布同AMD的合作将延期到2011年，未来32nm以及22nm工艺两家公司都将合作开发。IBM称其最早将在2008年拿出使用这种新45nm工艺的最终产品。
但是相比英特尔，IBM＋AMD似乎还落后了许多，当IBM的这种技术还停留在纸面的时候，英特尔甚至已经完成了首批45nm工艺Penryn处理器的试产，并且英特尔计划新建和改造3座45nm的新工厂。 |
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发表于 2006-12-14 20:03
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