|
内存模块属性
模块名称 AED660UD00-500S91Z序列号 843C0812h
模块大小 512 MB (1 rows, 4 banks)
模块类型 未缓冲
内存类型 DDR SDRAM
内存速度 PC3200 (200 MHz)
模块宽度 64 位
模块电压 SSTL 2.5
错误检测方法 无
刷新率 简化 (7.8 us), Self-Refresh
最高 CAS 潜伏期 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
次高 CAS 潜伏期 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
内存模块特征
预先 RAS# 预加电 不支持
自动预加电 不支持
全部预加电 不支持
写入1/读取突发 不支持
缓冲的 地址/控制 输入 不支持
已注册的地址/控制输入 不支持
在卡 PLL (时钟) 不支持
缓冲的 DQMB 输入 不支持
已注册的 DQMB 输入 不支持
差分时钟输入 已支持
冗余行地址 不支持
这颗粒是英飞凌的吗??
[ 本帖最后由 davidmax 于 2007-2-5 18:47 编辑 ] |
|