南科DDR3获英特尔认证

maozhenyang

工商时报   2007.05.17

【范中兴╱台北报导】英特尔在官方网站上公布的最新资料，目前DDR3 800/1066MHz DRAM已获得认证的内存芯片厂商包括尔必达（Elpida）、海力士（Hynix）、美光（Micron）、奇梦达（Qimonda）、南科（2408）及三星（Samsung）。DDR3预期明年下半年开始大量使用在计算机上，2009年成为DRAM主流。

              

制程转换明年量产

目前获英特尔认证的产品，尔必达、奇梦达以及南科的DDR3均为512Mb；海力士与美光的DDR3均为1Gb；三星电子则同时包括512Mb与1Gb。

三星也宣布，该公司计划在本季稍后开始量产DDR3芯片，DDR3的频宽比目前最高速DDR2的2倍，数据传输速度最高可达1.6GHz。

南科在去年就展出DDR3，不过目前还没有量产计划，由于DDR3的电压只有1.5伏特，须使用70奈米制程生产，良率才能达到理想水平。

南科年底转换制程到70奈米，因此DDR3量产时间会在明年，但真正大量生产要到2009年。