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2.3 制冷芯片
制冷芯片是由 Borealis 公司开发出的产品 ,它是基于热离子换能效应而实现的. 热离子换能效应早在 1900 年即被发现,即当两种不同的导体接触时 ,一种导体作为冷端释放电子 ,另一种导体作为热端接受电子.这样 ,通过高低能电子的交换从而实现热能的传递.然而该项技术并未在 20 世纪 70 年代立刻得到实现 ,其原因有如下:
①器件只有在两个板间的距离极小时 1~10 mμ才可能发生热离子换能效应 见图 5 左 ,而当时的半导体微加工工艺尚无法满足这一要求;
②即便材料能发生电子发射 ,所要求的势垒也很高,只有当热端达到 2 000 ℃时才可能发生 ,而许多金属在达到这一温度之前早已溶化,并且极高的工作温度对系统的耗能量要求巨大 ,不可能有实用的价值.而制冷芯片在传统热电离子发射的基础上 ,采用了量子力学隧穿效应的理论 ,即将两块电极板的间距控制在纳米量级 1~10nm ,从而有效降低需要克服的势垒 ,在常温下实现两个大表面之间的电子隧穿 见图 5 右 ,加之近年来微加工工艺的极大进步,人们就能很好地解决上述的两个难题.
尽管热隧穿具有很多优势 ,但在实际运用中却有着相当多的困难. Huffman 在 1965 年曾经用铝作为两块电极板 ,中间用 2 nm 厚的 Al O 作为绝热材料.但这个设想存在一个很致命的问题:当温差增大时,这层纳米级厚度而面积很大的 Al O 薄膜的热导率同样也在增大 ,因此 ,在通过热隧穿传递热量的同时 ,热量又通过 Al O 薄膜回到冷端. 要想保持冷热端的巨大温差 ΔT ,大约需要 100 万层这样的 Al O 薄膜 ,显然这是不可行的.而Borealis 公司采用的绝热材料则是“真空”,因为实际上 ,最好的绝热材料就是真空本身 ,其绝热性能要比任何固体都强得多 ,又不阻碍隧穿电子穿越势垒.于是制冷芯片就采取了真空二极管的形式 ,由于真空卓越的绝热性 ,使得热量传递到热端后很难能再回到冷端 ,从而很好地解决了热量回流的问题 ,因此 ,从理论上来讲热离子换能的效率较高 ,其期望的卡诺效率为55 %,大大超过热电的 5 %~8 %,也高于压缩制冷的卡诺效率 45 % .另外一个严峻的问题就是 ,要想在两块电极板之间形成 1~10 nm 的间距不是一件容易的事情 ,即使可以通过微加工工艺制作出来 ,如何保持如此细微的缝隙也是件很令人头疼的问题. Cool Ship 解决方案的灵感是从扫描隧道显微镜 STM 上得来的.在 STM 上常常通过控制压电材料来调节针尖的位置.这种压电材料是用单晶石英结构的材料制成的 ,当加上电压时 ,它就可以极其快速且精确地改变其形状.这样 ,STM 就能够以持续的电压保持针尖接近试样表面的状态.于是 ,Borealis 公司利用压电材料来控制电极板之间的间距 ,通过电压来控制压电位置调节器上下移动 ,再通过电容传感器反馈出当前的电压 ,最终将电极板间的间距保持在 1~10 nm 的范围内 见图 6 .
根据Borealis 公司主页上提供的 Cool Chip 的信息可知 ,制冷芯片在室温下的理论散热通量为 5kW/cm2 ,加之其体积小、轻便、有效且成本低廉 ,所以应用范围十分广泛.此外 ,它可以实现薄膜式的固体冷却 ,从而能很好地避免芯片上的局部热点.制冷芯片还能够相互串联组成阵列的形式 ,具有可组合性 ,可以适合任何形状外表的散热 ,并提供更强大的制冷能力. 理论上 ,1 in2 6.45 cm2 大小的 CoolChip 装置已经足够供一台冰箱使用 ,2 in2 大小的Cool Chip 等同于一台为起居室散热的空调 ,而 5 in2大小的产品就能够为整间房子制冷了 ,因此 ,PC 制冷只是 Cool Chip 显示自己略显身手的地方. 但是要注意将热端的热量及时散发出去 ,需要额外使用被动散热 ,否则就会导致热端温度过高而烧坏制冷元件.由于 Cool Chip 的冷却性能优于目前几乎所有的散热技术 ,其应用前景是很乐观的 ,很可能在许多应用取代现有的各种制冷方式 ,如广泛地应用到飞机、导弹、火箭引擎、卫星等高科技领域. 伴随着Cool Chip 加工技术的不断成熟 ,不久的将来可以通过工业手段大批量生产 ,并有可能在未来 20 年内处于领先地位.
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