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DDR400内存超频指南
作者：孔明
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随着ＤＤＲ内存的大量普及，许多电脑爱好者都对内存进行超频以获得系统性能的提升，但面对着市面上琳琅满目的内存产品，你是否觉得迷茫，什么样的内存超频更好、什么编号的内存频率提升更高，读完本文相信你会有更深的理解。
Winbond（华邦）系列
ＢＨ－５：BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前为止超频名气最大的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在3.2-3.4V高压下，部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHz的频率，并且仍然维持2-2-2-X这样的时序。目前华邦已经停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中采用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中以及极少数低端内存产品中，因此BH-5内存只能在库存产品或二手市场寻找。
ＢＨ－６：BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH-6同样可以工作在2-2-2-X的参数下，并且在3.2~3.4V电压下可以稳定工作在240~250MHz。
ＣＨ－５：CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X,频率在220~230MHz左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5。
ＵＴＴ：UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4~3.6V的电压下工作。UTT常见的颗粒表面印着M.Tec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征：颗粒正面左右对称分布两个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片。
三星（Samsung）系列
ＴＣＢ３：TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700， 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200频率下，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
ＴＣＣＣ：TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250~260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
ＴＣＣ４：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210~220MHz，3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。
ＴＣＣ５：TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比TCC4要优秀的多，一般多用在PC3700内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4的极限都要高，默认工作时序可以达到2.5-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz，3-4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。
ＴＣＣＤ：TCCD是另一款经典高频颗粒，被称之为“华邦BH-5的代替者”。TCCD是最全面的内存芯片，要高参有高参，要高频有高频，TCCD可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz，也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达到。这款内存甚至可以达到DDR600的水准，最高级的DDR内存产品都出于此颗粒。
Hynix（现代）系列
Ｄ４３：D43是目前现代最常见的DDR内存颗粒，这款内存颗粒的特征是可以工作在很高的频率下，不过是以牺牲内存时序为代价的；通过手动超频，D43颗粒普遍可以工作在260~270MHz，3-4-4-8的时序。和华邦颗粒相反，D43对于电压的要求不是很高，一般在多数主板所支持的2.8V电压下就可以达到理想的频率。目前D43颗粒分为三种，通过颗粒编号的最后5位即可辨别，早期的编号尾部为BT-D43，后期的又出现了CT-D43以及DT-D43，最后推出的DT-D43颗粒相比它的两位师兄可以工作在更高的频率下。
Ｄ５：D5作为现代DDR系列内存颗粒的高端型号，和同门师弟D43的体质很相似，不过D5颗粒工作在更高的频率和时序下。D5默认工作频率就是250MHz，是为DDR500内存设计的，因此极限频率比D43更高，默认即可达到250MHz 2.5-4-7,D43工作在250MHz时的时序为3-4-4-8；此外D5颗粒可以普遍达到270~280MHz,少数可以超越300MHz，比D43更优秀。D5系列目前具备三个版本，编号分别为BT-D50，CT-D50，DT-D50，据称最新的DT-D50版本被正实可以稳定工作在2-2-2-X 200MHz和三星的高端颗粒TCCD类似，此外DT-D50工作在300MHz频率以上的几率也更大。
Infineon（英飞凌）系列
ＢＴ－５：BT-5目前最常见的英飞凌DDR400芯片（就是BT-5），默认工作频率为200MHz，3.0-3-3-8，DDR400通常优化时序为2.5-3-2-X。不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在2.8V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都采用了这款BT-5颗粒。
ＣＥ－５／ＢＥ－５：CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前采用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。
MT（镁光、迈康）系列
－５Ｂ Ｃ：-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在3.0V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。
－５Ｂ Ｇ：-5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者。-5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250~260MHz，2.5-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，这种颗粒可以在镁光原厂DDR400内存上发现。
内存超频步骤
首先，采用CPU降频法确定内存最大可稳定的运行频率然后逐渐提高CPU的外频，确定内存频率和CPU外频之间的频率的绑定（可以1:1同步，也可以3:4这样的关系绑定），直至测试出内存可以稳定工作的最高频率；其次，对CPU采用适当增加电压的方式进行外频超频，超频过程中可以通过设定绑定值来保证内存一定工作在可以稳定工作的最高频率之下，直至CPU超频完成。最后，如果处理器的外频已经与内存同步，那么就可以通过优化内存的时序设置来进行进一步提高。 |
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发表于 2007-10-2 23:16
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