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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 $ w; h9 H$ X# x& |# x0 n
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
: P  ]. ^9 x! f. L2 C# v' z3 d2 G9 a$ i
2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
' u) i7 a$ t* p3 @# D* I好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
: `- D% H" F0 k0 ^: n: \) M每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
! E9 {! P# m# E! x- v

  N5 B% \; Y. }: S0 G9 T这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路5 f$ C- u, b4 \
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
- _# i5 R! s% z因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案& F0 I2 ]6 r1 c' r4 ?& a: d
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。( ~( d& B8 m2 O8 Q, a! l( T4 b
: T: P0 z, J, w3 i. Z5 z
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
: s+ C7 W0 j/ H可以省掉?
7 g  o+ W( ^: j" M6 j2 p如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
2 R  z- Q% M: g* w4 N; A* V
# u! r* e# Z" m' y( Y[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧: C" |: I7 N' C  Z
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
& T" g! _: E  h! W$ G) b" z/ U4 C) B3 J; \! F6 T
btw,这个讨论了也没意义哦
$ U# `0 F  i8 N$ R; H像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
$ ~& e; M5 v! {1 V1 g  ]' t% ]2 H
5 j3 @% @, V, i$ ^2 d[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
" E( ?4 i% Y( L* V
. ~8 d3 Q! }( J9 y0 c) z受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。1 r7 u/ A, @5 z' r9 J2 E
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 ! L9 v8 d3 x: T+ @% [. y% U
这个不开datasheet大会没有意义的吧; V: f" H! z  r2 m' Y5 E  y
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:8 g" l  s' J$ N$ [. D) g& B
- o9 W! |0 N- I2 p: W
btw,这个讨论了也没意义哦
8 S; b/ C7 D  c% G& r/ x# v像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
( j3 f. G+ ?& Z0 `' T/ `- [: a0 y/ Z& e* |/ i
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
) o1 @, D" R4 \/ k5 ?! Y
1 N+ f' U, H5 X* o当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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