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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 4 I4 m* u# l; @( I3 J( f
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
' c( l, D! n5 F$ k" W5 Y. z
2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 + t) v6 Z# H3 t  m" a. }
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
1 M. R( g: h* y每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
1 b  N) J5 P/ g. ?3 ?

0 {1 S: e4 m. X4 B7 |  v这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
" p$ [2 Z- C2 p0 B8 b/ R9 P  M0 bMOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
% S! K) {& w0 U7 x( R因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
6 m& c: ]6 e" w  s再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。' g) s% L! j- N9 P0 f- R) o! n

' Z7 F! X2 _& w至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
' v' P* v8 F/ W+ r. ?. I可以省掉?8 x4 |1 t6 V' F! }! F7 A
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。7 v: }9 t% X3 Q( |7 r
& G  n3 j% l5 Q# @
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
) _3 `9 V: y* c' y4 O内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:& d. x2 R1 }* X. Z. |% ~

. t! N" o! ?4 c" p! T0 n+ jbtw,这个讨论了也没意义哦
; f* s+ }. Z, W& ~8 U& x像msi那种玩法的4相,不是一点点弱0 `1 {& ]: ], j

( r8 E. s; _6 r  i( ][ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 8 j1 s" m. i7 w

9 J: z8 f. ~( `受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。' k6 F9 ^: M: d3 [( e
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 ( }8 _3 K9 }7 b0 D) J& @
这个不开datasheet大会没有意义的吧
1 x6 |, R: d4 X) W6 h
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:% x$ H( n9 t. z/ a( h! _1 _
4 x1 V# }% O7 G4 @$ o
btw,这个讨论了也没意义哦) L3 I( Y- `2 \: ~& v
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 ! b3 [* Y' m; H6 h  V
' h9 r) W  R  x  x, y6 t  _; `' N/ E: ]0 t- z
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
9 ~# V# F' r5 _% a. \
7 t2 K! h* u+ E9 s$ ]" x& M( b当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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