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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
- z- ?7 J1 k2 S- M+ t, u每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

' D0 Q0 c  P% s$ z. A7 t/ v2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 & E6 z; O; r) a& [# m" h
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 6 r5 y! n9 y! @8 P3 y3 f% h8 x
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
- {  p" T+ {: G5 l0 K; }4 J
* {* h- B3 v* S, s, {- U
这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路; ]! E' z' Z5 {4 {
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
9 D& T- @2 q2 e& V因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
; q$ F; ~' t) {6 i- e/ R, }再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
+ \: J/ G# g2 y) }) H8 Q  `( v+ t& g1 a7 ^5 p- J3 k; f
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
& v+ i4 g1 P3 |5 P可以省掉?* \$ o$ _' ~1 A, A7 I; u
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。+ N/ J7 U3 k' b) l0 |, X

; X) D  F3 E& ?; G$ y[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
! C" x4 L& s5 }* J# R8 B* a% t4 n内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
7 W, Y+ M) }8 I' J" _1 n. Z& s
) B) I  `( N6 {+ Z  w6 ]btw,这个讨论了也没意义哦9 F; M- x+ L+ S0 O$ a) ]
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
* a, R0 _% B3 Z% Q/ }
( x/ z1 c% n3 ~9 i9 T+ W[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
3 U0 B3 g6 y: z) n8 W3 b
+ z7 W& t( N4 n$ A. ]  y! _受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。0 s6 L! X( w5 u7 Z  Y6 K
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
2 S3 ~/ C7 k( H1 j. ~( D( [这个不开datasheet大会没有意义的吧
' ~3 {5 h/ J/ Z4 T' [/ {7 P
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:/ {6 w; R4 W4 g5 `' |

. P) G& @( p  l& z& Rbtw,这个讨论了也没意义哦: v, i- H9 ~6 r8 m- l( R
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 ( c# B+ j! Q0 |3 s- F( d1 a

/ G  V3 G' Q0 c! ?那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
1 R$ K7 A4 f6 \) _" c* M9 D
3 p$ b2 S6 U8 Q' S+ u当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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