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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
4 T, c' \3 J' [% g1 V每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

2 B8 S. p  K8 [2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 1 N- R8 c- w* j. G7 O; V
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
3 p, A5 A2 X2 @6 f" W每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
& p  I  h: P( w% r4 G) @

0 x% X+ ?/ q  Q# Q" m9 a这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路/ J6 z) A3 h  t2 |- j+ t6 t
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。$ m; Y4 V; M% u) g, c
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案5 y/ @4 m  g4 X5 W  i, j
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
' z+ k* i3 N. j
( ~/ {, p3 x" O4 U2 t至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
- r2 s8 |- H3 O% y  K6 V- T可以省掉?
" k# |$ ]5 u# E5 j3 ~- Y如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
$ d6 Y; F7 J) T
6 ^' R2 w9 p2 _9 j# ~' H* _[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
1 h9 p1 Y1 {' c( b8 v6 d内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:9 C/ w4 A. b1 o9 V

$ A  Q& G* P, A; g  nbtw,这个讨论了也没意义哦
- U9 n- H4 e0 H$ d像msi那种玩法的4相,不是一点点弱7 W! O( z) U% `$ R
, {. B5 m, @. C1 K: R
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
+ Z5 K: R5 H* c* R! L/ R8 `
% p6 z% K/ b5 h1 ?: C# w受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
2 S- b% F* ~3 F$ {  ^# w( [其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 7 k  C; Z0 \9 z# q3 n, k
这个不开datasheet大会没有意义的吧8 W! Z$ G0 x9 x& X+ a- i4 G
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
6 [+ c; ^% ~& n9 V0 z/ C1 Z9 j
1 l9 A1 n! W8 Mbtw,这个讨论了也没意义哦5 r! R, E3 V2 _' v+ A4 Z" g
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
2 ]3 o- y7 z* X' p) A4 [/ I
) M$ i8 T) r( M( N! a那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。, U5 x0 W! q5 h/ \

! t7 u# @8 g/ B2 b0 p当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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