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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
2 r, _( N- A  k4 N每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
: z2 O: q/ z- U) |+ U0 D
2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
% l5 d2 R( ^" E& Q好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 , q3 l5 r( z% _2 G- V/ V
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

: S; c' n! w7 ]5 u. l' b) N. A, W7 i) j# P
这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
. b7 V/ n  o- iMOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。9 U2 g, U9 W" V. B! L0 E. U
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案( V! R4 @6 w5 @; W. w: u' p# x" `
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
1 G! S+ [: Q2 G& r5 z8 R$ b
% I! ^6 Y4 m5 H- U% a, D至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了8 N5 C' v: Z, E0 J4 E- {
可以省掉?0 N5 f. {) a- l( b, v' D# R
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。9 c+ A1 X+ i2 ^
, m! Z, ~! t: u" H
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
4 `) p. i9 S: m/ F1 a$ x4 h内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:# m7 z7 }9 X2 I0 v
+ n/ O. U. A# p6 [7 Y% x
btw,这个讨论了也没意义哦
) ^2 T! ]* a5 L& X8 @像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
- P1 n. c  \# ^! V2 G" e; Y
& O1 J4 [4 f  A7 ~- |- J. G[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 ; m* ?/ ]/ O( k0 S& o$ Q

6 b8 X+ W5 l6 a; F受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
. t0 z% a! q; A& o, {其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 2 {) I9 A9 C! q% r/ f$ K
这个不开datasheet大会没有意义的吧
5 I1 P# g. V! [# X7 J0 K
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:, ]5 k* l& C& g" K- J# F$ S/ C
1 z4 S# _0 m$ c5 x. w7 U# `- a2 Y5 b
btw,这个讨论了也没意义哦
% X- q' y, ~" z$ b: P7 \0 R# l像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 # }0 x; b# z$ {' p$ u; q
* W% }) P- P: q9 t, m
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
+ m: ^) h0 E: y8 r& j* ?3 L4 G7 k0 s- h
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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