POPPUR爱换

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

手机号码,快捷登录

搜索
查看: 12617|回复: 26
打印 上一主题 下一主题

四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

[复制链接]
distance 该用户已被删除
跳转到指定楼层
1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
回复 支持 反对

使用道具 举报

3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
& C& i! n9 X8 g3 m: `每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
) q5 t4 A% q/ m6 V" f- t
2进1出
回复 支持 反对

使用道具 举报

distance 该用户已被删除
4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
回复 支持 反对

使用道具 举报

6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
回复 支持 反对

使用道具 举报

7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
回复 支持 反对

使用道具 举报

8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
回复 支持 反对

使用道具 举报

9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
2 O* t, l9 [+ Y+ x: u" [0 N8 P) V% |好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
回复 支持 反对

使用道具 举报

10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 & I& `8 _. i# C6 D! z  I+ N
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

: c+ Q* b+ E. j" V9 i+ ]1 u) n/ {; q
( X6 [7 c* C8 U0 i5 a4 G这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路" U- S2 j" _% s! b
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
$ H8 _) b6 {6 f  y因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
6 U7 p( y6 h9 B$ E& L! e再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
8 Z4 W4 V! B& p6 n5 i% a0 P( g1 D! U- z1 w. o
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了( L5 r) `' G' X( J; ]/ x  X
可以省掉?
, D( \. _1 U# Y- t: j* f如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
& B+ S) m+ S" l8 C" O& B6 u4 A' D9 W  [0 k. W
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
回复 支持 反对

使用道具 举报

11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
回复 支持 反对

使用道具 举报

distance 该用户已被删除
12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
回复 支持 反对

使用道具 举报

14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
1 h* j5 l+ c! }6 p/ [. l内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
' U+ h6 F* K" W, U& u8 L
2 w" ^  b* ~5 t& f2 v8 ~8 vbtw,这个讨论了也没意义哦4 D6 T( O* |. Z7 i2 N0 y, y
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱+ `. H! N: u; q- J- G6 u! N
' c# u8 [0 u& a0 Z9 Y0 N
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
回复 支持 反对

使用道具 举报

15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
* C5 @. K* Y" F+ f% [# c
& t: j, c- {% }6 {3 s受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。( M6 L* a# E& V9 d6 b
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
回复 支持 反对

使用道具 举报

16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
8 C' C$ h! W# i6 d这个不开datasheet大会没有意义的吧- ^! M, L& M/ K7 R, k
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:$ ^4 J, }' {5 Q# z

6 y: }; X+ V& b7 u& R) B( ?- obtw,这个讨论了也没意义哦7 `, B5 N. t$ s' y  Y* x9 D
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
回复 支持 反对

使用道具 举报

distance 该用户已被删除
17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

distance 该用户已被删除
18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
回复 支持 反对

使用道具 举报

20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
, d# `1 k4 G7 i+ H1 U
$ r: }* B9 R! i3 Y$ X) c8 [8 B0 B那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。  f  c: A7 H1 M- \) v( G

! ~3 T' M5 h, ^# I5 A2 @( K当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

广告投放或合作|网站地图|处罚通告|

GMT+8, 2026-5-24 07:06

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 POPPUR.

快速回复 返回顶部 返回列表