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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
1 Y1 n/ P% E9 P  l每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
' L8 Y: O. F' e. l& ]* ~! w
2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
- R# C/ r9 _0 y" j. X7 s" Q( b' W1 {好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 4 L" U$ u% r- o, w% V
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
5 V2 l& @/ Q' m' l

4 z' v9 U, k  p: E) K这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路7 M: R: _6 G5 R/ J: R
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。/ j  \" S" [. M! I1 R4 i
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案# I% w- H0 K6 q5 Z4 H" `* k
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。8 r9 r$ O0 ^$ P; Z/ N! @' }
- S* k9 O* T0 q
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
; }* i5 g" a3 L, D8 P  Y可以省掉?9 Q7 @) j0 Y. r2 V, Q2 b' M
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。5 _: @0 T! g3 {) C) S" t1 H

* U+ T8 F: u  w6 ^/ T[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧) S2 Q- o( V" j$ z! N" V0 }; G; Y
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:8 B# X$ `$ T, T, H& f2 \+ f
9 l7 b) h3 M2 d+ J; ?% ^% c  F
btw,这个讨论了也没意义哦
( G* ?3 J, m) }6 d' U6 W. w像msi那种玩法的4相,不是一点点弱7 F/ ~* h8 n8 p$ L& P2 Z! l! @% ?# B' c
4 X8 h! r8 x' ]& R( @
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 $ H  Y' h. I- ^( s

9 f( Q% Z! \  ~受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
8 O4 g, u# D9 Y- j其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
( C8 ?% l; U3 g& `5 v这个不开datasheet大会没有意义的吧
4 n3 M% g+ Y, Y3 Z! B+ Y- ?7 u
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:) R2 j# z# O6 e, i# u+ _- {  m% \

* w" M$ s) p5 x5 c4 qbtw,这个讨论了也没意义哦; W$ _4 H! B  A: ^+ q5 T- M/ u' V4 |
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 5 `& n8 Z/ C$ p) r5 b( f
5 [& G  J5 X; z; L
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
. r8 k6 g( S& s2 p! j% S* K% N4 R; d! G5 h1 O5 Y' |6 d
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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