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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 * G. g7 k, E- u3 b  [1 v. @
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

# U5 _8 o2 H  G# ^" k. g! e" H, Q2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
: J& x: Z5 S/ F$ s5 Z8 Q好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
" Q+ t$ h' Z& I0 j9 A) @7 Q每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

* R& s* @# w  g$ m7 q' _$ c0 ^; M' ?5 ]. T0 p, _% M
这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
3 A5 v6 g* u6 }7 k+ ?2 b7 SMOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。5 t1 `/ T# V. e+ [
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
: B7 T$ o$ z1 q3 C再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。4 K8 e8 ]' c& I4 @' ]6 m, I" o9 z2 R
6 I( @' e# j! J2 F/ z4 u
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
: z+ q1 s6 ]3 H, ]+ x, \. D可以省掉?. L' F( {7 z  `! {$ s' F& U, m4 Z3 p* V
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。- ~; y: W9 a! \3 ]; m! N

$ g3 R$ \. f6 X/ I8 l# X[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
+ c; t  ]$ b8 z# J! k内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
3 x* V" u% B0 C+ v" w! C
- Q! D9 m0 r: P# D) Wbtw,这个讨论了也没意义哦# j! H, G  N4 s- k$ s
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱# X' U; ?6 c3 @& @1 c) z' k
( m% G: q- V7 }1 z( l0 N4 b, g5 Q
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 4 J' t3 C( O! o- _& B& t

$ G; D" m2 q- V1 C受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。) `' \) z& m4 Z! x% ]- `' \
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
4 |/ S" u, l( L9 o/ |这个不开datasheet大会没有意义的吧
/ R7 ^  f7 x  u! v  m
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:2 |) L2 w5 ?2 y  A' h' ~3 m
9 D, [9 A) s7 C1 A) C
btw,这个讨论了也没意义哦
# c: j/ m# x' ~( z: {像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
3 `" J( ~* x! K3 z, b( t& f0 V3 F+ \0 h
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。4 |) M- r! K7 D/ [& m
" M6 |) B1 Z( t/ {$ {
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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