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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 ) ?8 J( w! P* q/ ?6 W* s; T
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

" g5 H$ m* I" w) k2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 & t& h8 I7 k% n: P8 Y- }3 c
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 " i( B( V& U! j1 }
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
# w# d# M8 V! h' g5 U7 b. \/ x

3 k2 f: ~3 j: ^这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
) T2 |% |1 F+ ?MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
( h9 Q5 H/ C$ p3 X8 H7 J因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案; P& l, B+ S& o' Z  f( g
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。# V. v8 S1 ~- Q0 }  \* \; u% p
9 P  C* {# ?& w; i
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
! N, Q/ I. E2 N: j) X+ E) N& b( @( }/ `& ?可以省掉?
7 U6 H1 |7 t$ @- P" M5 F/ n0 W+ D如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
: p4 }3 ]: I9 G# o
2 R6 E3 n3 I$ N. G8 t[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧) |' U5 e3 V, R# P
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
6 q  W3 Z6 H# {+ x( e
6 C. o# m& v) Rbtw,这个讨论了也没意义哦8 Z" p# B* E  P- l
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱7 _* r$ ?/ R9 C( E/ ]9 G
4 t0 d$ k  v. z+ Q( [  f& P# O
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
) e# o& n! a1 a" t; K) P3 ^# \/ z( D: D& i+ |- H
受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。8 U; n* X4 Y( \
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
+ x, J, A0 [( j) f% v4 X这个不开datasheet大会没有意义的吧
: a: r) B" L# M
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
/ I: W4 G$ N3 |/ q' w9 X
. a1 T6 q" j/ I8 X) `: c9 U3 Q. q2 fbtw,这个讨论了也没意义哦3 Q- u* p  C" f" ?  f
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
/ l9 t* w7 ?1 Z& i# U6 o$ l* v+ T8 ]/ `* w1 c1 O" o
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。5 P2 L5 _: S& Z+ e
5 u7 h7 s+ M1 ^3 z
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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