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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
9 R6 p  |& v" W3 I7 z8 K每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

+ \; t3 l( e( v7 F. L  \2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 ) m6 D+ N$ {! F2 Z. m, q# d: J
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表
: z1 U  y: y* I! {2 S3 P每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
3 R; g: ?* b! }/ O; R
/ _6 W; C) I- ]' X9 E
这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路% s* ~9 e/ W0 V+ g: D
MOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。2 \2 U- ?8 C! P; h" n
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
# ?$ L4 c  Y' a8 w; n再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
# @. B& `6 `% O
/ G: d' Y5 @7 O" C至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了# y$ A4 z. k9 ~( y. i1 k
可以省掉?
9 z8 J0 g# I% V% B如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
8 h* V1 w- J! N# q$ {( [& d( ?) t* ^* `4 |
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
4 m# K- y& v) V6 c内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
/ T! y5 J9 z  u  i$ M, V: n% d2 O* g* |, Q* k
btw,这个讨论了也没意义哦
* v# p: y: I1 b1 W; e& B像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
5 M! e; h3 m: v# Z" u- U; N' ~8 G" B+ O
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表 2 ]; q. c9 w: E% S+ ?& \0 x
* b" s4 b3 ^3 P: a
受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
0 Q/ C- e4 W( J# X+ L其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 2 y* C8 a9 t5 f& }9 d8 m+ y
这个不开datasheet大会没有意义的吧
) k; Q6 `$ H; D! c0 H* |$ J" V5 P  K* `
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:+ o6 A) j$ P( @/ W& z& ^

! d: n- [# S8 ^; g( Q% C( q0 Kbtw,这个讨论了也没意义哦$ @' `7 p) r4 Q+ g4 P
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 - |0 o! B* r4 a& n, |) d8 ^

$ U5 U# J2 Z6 r* g& H, W那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
9 Y' O  p/ W, Q1 X9 w* y, v, v+ f6 a. `3 s5 C
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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