贴个图：8RDA3+更换MOSFET

liao228 · 发表于 2006-7-18 23:43

MOSFET用了IRF2804，TO-220AB封装，所以只好立式安装了，没法装散热片。好在该管的参数极其优良，RDS仅为2.3毫欧，比原先的管子好得多，所以发热也不大。

longzhit1 · 发表于 2006-10-21 17:30

这次修改不太YY了，毕竟已是旧机，YY为重。

fengpc · 发表于 2006-7-27 22:33

楼上说得没错，mos的导通损耗是比较小的，跟BJT的饱和导通一样，但是作为高频应用的开关电源就不同了，上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗，这也是高频开关电源损耗最大的一部分
ps:不是乱吹，有书为证的：）

ljm_ljm · 发表于 2006-7-27 14:17

我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出
同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.

另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.
2804 TR=120毫欧.TR=130毫欧.

我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数. TR=12 NS Tf=3.9NS.

[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]

liao228 · 发表于 2006-7-23 21:58

原帖由灰人于 2006-7-23 21:45 发表
% w: N( t+ e. x& U# S我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
1 s6 o' g9 M" O' A% z现在出了些莫名其妙的问题
+ [' C) W$ r" z5 _0 O* x" k供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
# o: L! n8 j2 t, V* Q现在刻录机接上面都用不 ...

要么是你换的那些电容不好，要么就是电源有问题。

灰人 · 发表于 2006-7-23 21:45

我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
现在出了些莫名其妙的问题
供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
现在刻录机接上面都用不了，读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗
求教一下大概是那里的问题呀？

p3 · 发表于 2006-7-23 21:39

这个也能换？？真折腾啊

isail · 发表于 2006-7-22 23:25

强悍死了。佩服惨了。

liao228 · 发表于 2006-7-22 23:06

Inel915芯片组，LAG775

liao228 · 发表于 2006-7-22 22:58

原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表' l/ A1 [$ b+ q- ]$ n) J
这样装.非常不好.
0 ]7 g& O( i; o9 K% a0 e6 V2 g, Q3 |$ ?: C- u. K* }
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

不见得不好，至少我能找到两种以上的主板采用立式安装，并且不带散热片的，前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的，即CPU风扇出来的风能够吹到。

再补充一点，其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”，MOS管的极限工作温度可高达175度，假设从20度升至60度的话，Rds最多只增加20%左右，一般的工作温度大致也就在这个范围内吧，我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且，温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响，但并不是所有的影响都是坏的，有些甚至可能有好处呢。

本人理论知识不精，说错也难免，欢迎高手指正.

[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]

ljm_ljm · 发表于 2006-7-22 22:00

这样装.非常不好.

场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]

bjbhappy · 发表于 2006-7-22 20:00

偶真的是很佩服

liao228 · 发表于 2006-7-22 18:32

原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表
0 G8 C; {: C4 [& W) b
0 u+ C+ |. R: h# F
9 y! y6 B( z$ f5 ~# B; i影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...

看来自由战士在这方面是高手，无比佩服.但是查阅IRU3055的文档，没有提供驱动内阻的值，仅有其它几个参数，不知是否也能计算出理论上的功耗？
能不能就以IRU3055和IRF2804为例，来详细分析一下呢？我提供IRU3055和IRF2804的基本参数：

自由战士 · 发表于 2006-7-22 17:59

原帖由 橄榄菜 于 2006-7-19 01:43 发表( j. e' ^8 t% ~, I: C
都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:

玩了这些,你就会明白什么3相8相供电,什么数码供电,都是一回事情:lol:

自由战士 · 发表于 2006-7-22 17:55

原帖由 jickl 于 2006-7-22 11:27 发表3 P4 c& n- u* H# V& [0 U! r+ U) E
偶感觉应该象电源一样两面MOS管，中间散热片，用绝缘的3M贴贴上，嘿嘿

偶认为应该找些铜片,直接焊在MOS管的基板上,既牢靠,效果又比用绝缘片的好:lol:

自由战士 · 发表于 2006-7-22 17:47

可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。 ...

影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3055这块PWM控制芯片内)
厂家给出的Tr,Tf值,是在栅极驱动内阻小到可以忽略的情况下测出的,实际应用中就不一样了,特别是栅极驱动集成在PWM芯片中的电路,从PWM到MOSFET栅极的布线的宽度,长度,都会深刻影响MOSFET的性能.如果PWM的输出内阻本来就不低,加上MOS管的Qg又大,那么不论其Tr,Tf如何优秀,都可能会大大增加上升和下降的时间:wub:
偶认为,BUCK同步变换器中,高侧MOS管的Qg比RDS等其他参数更重要,另外,栅极驱动内阻与Qg的配合也很重要,一定程度上就是由它的充电时间决定高侧MOSFET的开关速度和损耗..:a)

liao228 · 发表于 2006-7-21 23:20

原帖由 自由战士 于 2006-7-21 18:07 发表5 g( u1 z/ ?1 X2 c! S

6 I2 S, a8 u) ?/ P4 t" |) ~
7 t* h# w/ r, W. y其实未必要全换:wub:1 }- S" P) ]3 `2 m
RDS小的管子,其结电容必然要大些
, J+ t' ]1 h2 I4 B上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关 ...

   这个理论是对的，不过还要看元器件的实际情况。
   根据查到的原MOS管(STB55NF03L)与新MOS管(IRF2804)的资料对比，可知：
STB55NF03L Rds = 10 mΩ(典型值)
                  Tr= 280ns
                  Tf=60ns

IRF2804 Rds= 1.8 mΩ(典型值)
            Tr=120ns
            Tf=130ns

可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。

经过大致的计算(公式来自官方PDF文档)，更换新管后，上管功耗约为原管的三分之二(包括开关损耗)，下管功耗约为原管的五分之一弱.

   不过上管换成IRF2804的确不是很适合，如果换英飞凌的管子可能更好些，可惜手上没有，下管么就物超所值了。

[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-21 23:31 编辑 ]

自由战士 · 发表于 2006-7-21 18:07

原帖由 liao228 于 2006-7-20 10:28 发表# X' l, }3 H" U- m+ f

0 X; _4 I" d9 {+ D. I5 ?　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。" V/ \& U& O3 G4 c6 f/ P/ T0 l% M: g
　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类M ...

其实未必要全换:wub:
RDS小的管子,其结电容必然要大些
上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关管相反(续流管工作在零电压状态下,理论上其开关损耗为零,只有导通损耗),所以,你完全可以不用更换上面的管子,只换续流管就可以

只看该作者 · 发表于 2006-7-21 08:09

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p3 · 发表于 2006-7-21 00:35

厉害，这都能换。的

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林青豪该用户已被删除	15^# 发表于 2006-7-21 08:09 \| 只看该作者提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽
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