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原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 15:09 发表 0 h5 i: E+ M- F) m2 M. _
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是的。# @! r# l+ J8 d0 t# b8 y b z! A
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不过需要注意的是。DF应该称为耗散因数。是一个耗散的“因数”,而不是指耗散本身。而影响电路性能的还是ESR。ESR越小,“耗散”越小。如果有一个100uf,esr=5m,df=0.08的电容,还有一个是1uf,esr ... 0 W, T3 Z: }# p" G. C' Y
[ P9 B. N( Y2 j- f1 e9 M照你所说那就是尽量用大容量电容了.' v# }$ ]" G. I( g. r
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容量越大ESR就越小了.! I t: Y+ d2 {
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, A1 W8 C( z$ J% `2 g不过我对于耦合电容的ESR不太关心.我也不会用钽电容.电解电容做耦合.我只用金属聚丙稀电容.
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8 Z9 J* v. \+ n除了容量越大ESR越小.还有耐压越高,ESR越小,损耗角越小. MKP一般耐压在160V以上.而且是无感电容.
; d3 W, k+ k, ?! |, y要知道电感对交流信号的影响是极大的.
5 E- P; d4 r3 X9 x! Y用电解电容都是不合适的.0 z" n) ^3 v3 @. D0 C
* P; ]" W6 X& I: u- v( i* ] 而且耦合电容还有一个很重要的参数漏电.
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电容的容量越大,漏电也越大,成正比.
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