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楼主: zifzhu
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音频用的电容到底讲究的那些参数?

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21#
 楼主| 发表于 2007-8-21 22:50 | 只看该作者
原帖由 HerculesVR 于 2007-8-21 20:38 发表 1 k6 x, d/ ?( d5 i- B
赞成 ,老何 也这么说··哈哈··· 做功放 电子管作不过晶体管的:loveliness:
& o) ?; q$ W; _+ G, l9 Y1 |/ c! |, X
老何是谁:huh:
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22#
 楼主| 发表于 2007-8-21 23:03 | 只看该作者
原帖由 sonicxz 于 2007-8-21 21:04 发表
& G# h/ L6 [1 `ESR 5O的话,固体电容也可以4 [! Y0 Y- W! ~: K
其实不用研究这个,直接在个品牌的音频电容里面选择就可以了
: Z: @5 R! Z' E2 h还有个问题,貌似音频电容极限温度下寿命都不是很长,都1000-2000小时:funk: 85度
/ {5 j, m. G; G; x/ L3 R
不是5Ohm,是5mili Ohm。:p . `5 U  |: H- z" p- ?
铝电解的确是耐不了高温,因为介质是电解液。固体电容如铝聚合物,钽,钽聚合物等基本上都可以到125度。
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23#
发表于 2007-8-22 01:31 | 只看该作者
如果追求参数 就利用电容的公式计算!当然,预选电容的参数要了解(这个参数可以用音频分析仪检测或者厂家有PDF); w8 o+ u0 Y5 @

4 u  B% U. c/ g% w5 X老何 就是 何kingwa呀
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24#
发表于 2007-8-22 02:52 | 只看该作者
我一直都认为直通最好,非要耦合的话自然也是高性能的元件好,失真是越小越好,原汁原味的还原才是正途,被过分修饰过的音色惯坏的耳朵,说不定哪天花大钱去看现场演出时还会觉得听不入耳呢~~~:p
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25#
发表于 2007-8-22 14:51 | 只看该作者
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。
( h6 W8 E) S4 w) R3 R/ Y  tw00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。7 o% W' ^! G, y8 q

. s9 I" [- i/ z% H, }; G. G- D至于耦合电容不要太过于关心ESR。因为音频电容FOR AUDIO一般是指TAN&介质损耗低的电容。可以参考NICHICON   MUSE系列。+ u/ h7 Q$ y5 U6 `9 f& ^+ g
FW FG KZ系列的参数对比。KZ的损耗最小。在交连中,ESR作用不大的
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26#
发表于 2007-8-22 15:06 | 只看该作者
这是不同的音乐追求,有的人认为摔玻璃的还原能体现器材,可是人们买器材不是为了去听摔玻璃的 # }9 E3 L" t+ _0 l6 ^
电子管重的是种韵味, 或者对于中年hifi迷来说 更是种回忆  就和我们现在再看电影板变形金刚一样; h) N9 j0 x$ I# n  p
140DB 动态的大录音制作室 是制作还是回放,如果是回放 我们在把音量开到最小的信号能够听清楚的前提下 就是最小的信号24分贝 最大的信号是164贝 如果不压缩动态  那么超过人类对声音可闻的最大极限-130dB 还要多34db这是享受音乐吗
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27#
发表于 2007-8-22 15:08 | 只看该作者
CD的数据格式和声乐参数对于大多数讲究音乐性的音乐足够了, 这是25多年来被大家接受并认可的,存在皆合理把, 否则早就要改了
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28#
 楼主| 发表于 2007-8-23 12:36 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-22 14:51 发表 % \: R3 U' @5 e1 y& e
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。
- c" r- Z0 z+ M( `4 Hw00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。" I; c$ W- {/ N7 p: b0 n* \

; \- q1 x# F+ G) y/ W7 c& G9 M至 ...

3 [8 t" v) q/ q: O+ K* q  l  o0 x查了一下介质损耗的资料。好像就是ESR除以容抗。
# i7 V6 Y+ o" k( w+ ?" d3 C- f; X2 q, _# b. B1 Z7 k
Dissipation factor is measured at 120 Hz, up to
3 X5 {, ^  S5 U' m2 z1.0 volt rms maximum, and up to 2.0 volts DC
& {  `  y/ N# n' l5 A" Jmaximum at +25°C. The application of DC bias) ]; B6 f! t6 R' ?+ J  L/ y; u% [
causes a small reduction in DF, about 0.2% when
7 `9 J$ L- I. o7 C& Bfull rated voltage is applied. DF increases with# G: g: X- u$ s6 P% b
increasing frequency.2 \/ x4 x' ^4 f! R

, u! _, t$ M" `! s4 aDissipation factor is a very useful low frequency
+ V0 l5 a; ^) u6 O: K(120 Hz) measurement of the resistive component+ a2 J3 R0 w8 R0 A& n3 g
of a capacitor. It is the ratio of the equivalent series
% j9 |! R: i" ]' j  l; P2 _& Fresistance (ESR) to the capacitive reactance, (XC)
& ^1 [1 `" _8 [3 F+ k7 D. Dand is usually expressed as a percentage. It is
; C7 i3 r* x0 |! D9 Tdirectly proportional to both capacitance and frequency.
* z. y- S8 C: gDissipation factor loses its importance at
% X6 h0 B2 H+ Chigher frequencies, (above about 1 kHz), where
) s' w6 p) z; b  Mimpedance (Z) and equivalent series resistance
& ~  M& d- ?- C+ S! G& Z6 ^) K(ESR) are the normal parameters of concern.
7 }5 |8 _/ A" ^4 w+ b& C; U& i# ?& z' B  x; o4 {9 {) c
DF = R/XC = 2pifCR2 ]( q' \) j! x# T& T
DF = Dissipation Factor* w* M: {: u4 H. Z4 i8 C3 K' \* ^6 ^
R = Equivalent Series Resistance (Ohms)# U) Z3 W7 L& Y4 s. ]/ C. g
XC = Capacitive Reactance(Ohms)
* k! S( l  E" H( f( f7 M0 _f = Frequency (Hertz)- S# }9 D' c9 X
C = Series Capacitance(Farads)
, z; ~2 v' e0 I) V$ H
  f, Y2 k; `1 d( WDF is also referred to as tan  or “loss tangent.”
) y' O2 v: {, }* YThe “Quality Factor,” “Q,” is the reciprocal of DF.
6 i4 H, l7 K! e, `DF decreases with temperature above +25°C and$ V! ?0 A) ^+ p% ]
may also increase at lower temperatures.$ `& T) O# @! [9 ]
Unfortunately, one general limit for DF cannot be' v3 P; u7 n% c# H: D+ @; O
specified for all capacitance/voltage combinations,
( F1 d3 ]/ g  ^" H7 u) z4 q9 Bnor can response to temperature be simply stated.
( z$ J* Z. H4 {. Q+ HDC bias is not commonly used at room temperature,  C8 e+ C; [- m1 |
but is more commonly used at elevated temperatures.
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29#
 楼主| 发表于 2007-8-23 13:20 | 只看该作者
Dissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧铝电解挑这么一个参数来作为主要参数呢?实在是因为这个参数最容易做的好看了,铝电解一旦超过1kHz后,容量和ESR就残不忍睹了。, N" q$ I4 u; z" K7 N
感觉那些日系发烧铝电解的厂家的确比较会“忽悠”。但愿没人拿这些电容去做耦合用。
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30#
发表于 2007-8-23 16:07 | 只看该作者

回复 #29 zifzhu 的帖子

正常人好像没有用 铝壳做耦合的···
2 T2 d  r# k' }7 a: ^. e; t( v7 s5 ?' @" u% i% R9 C$ u
一般都是低频电解或者铜箔,高频薄膜或者云母乜··# ?; l; x; ]+ C  @
: {1 v% m; V3 a- s" |6 p4 W  q1 R
- y* C, u# D1 y" S. m: Z
反正人家能忽悠到钱,这也是本事···:loveliness:
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31#
发表于 2007-8-23 16:33 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 13:20 发表
4 F* ~/ u0 R. [% }+ B# C) fDissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧 ...

/ c* h0 s8 ~" e3 A' {4 {8 \" h: Y1 f  h) {. l. E
% d# i: Q" w: t7 ~
介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。& F) o1 S+ F1 T! |
0 E, S$ X1 u9 s* L& p/ T, v

; E4 T% @# A5 X' c" w! Y/ s固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
0 H9 B$ p6 \2 E2 u( _6 v9 M8 j( q9 k4 m, |5 O
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
7 M# X9 [7 b+ X8 s* J- w: I, R" F) L! K! V: q
聚合物是指无机盐。不是铝聚合物。oscon  新型号都是采用导电型高分子阴极材料。
9 \- Z0 \1 j; @
7 }1 N# B  K: h8 U  f) O# O/ _- J  i* r* L8 Q0 L5 u/ ?
这些电容性能好,容量大,但是还是比不上MKP3 a2 _1 ~4 l7 D
7 X4 c5 U# O$ h( {" f+ b9 d
MUSE 顶级的KZ 系列。最低介质损耗的才是100V 耐压的是0。07  
6 L6 Q8 O) Z3 c1 o! P) r& k& Q$ |随便一只MKP也可以做到0。03%  就是0。0003
* w; X: m; x' T4 _& f# x/ h8 R
% w0 X7 b% k. t5 b. _这个是耦合电容最明显影响效果的。ESR IRAC只有在滤波的时候才影响,而且DAC 这类工作电流十分地小。纹波电压=电流*ESR% s% S5 b/ W' Q1 G% q" ^5 \7 o
4 v3 `& q: l6 q# O
所以对ESR电容要求并不高。。电流太小了。。。
2 P4 ~: I$ u3 E/ \4 j4 I. `- |  S0 C' F( T: C
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:38 编辑 ]

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32#
 楼主| 发表于 2007-8-23 17:38 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表
' V! d' I  M: S$ r1 ]- C- V) C) T& s  e4 U) k/ S! r  d( M
8 k; G9 x/ l7 ~, Z5 S; i6 B8 T

  `; L  M9 x. w2 f2 w; ~: a; U介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。# B0 M+ c' ~" b' |. p: [8 y
6 v# x) h; l# m) l( l/ r

- p! X/ T& \7 V) S固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
2 B9 o& g2 S& _" K0 |& |8 U
# c% m' Z0 b3 V9 f: f5 w相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短 ...

$ f3 w! k8 G5 T) A, ?+ `介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/standard/edit/UploadFile3/2007326194258871.pdf, ^- u& }" z9 R; ?" P, q9 R8 X2 d
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。
+ x' |" z& _( f, C2 _3 a* }( M5 A( \; B+ J4 m( {
其实,ESR=Equivalent Series Resistance =等效串联电阻,损耗本来就是等效串联电阻引起的。没有ESR的话就是理想电容器了,没有损耗。
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33#
发表于 2007-8-23 17:55 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 17:38 发表
; x+ h' k0 M/ b- v8 B
. }+ S9 X- t, q介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/stand ... 007326194258871.pdf* L+ w: K/ b7 h8 j# K( J
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。+ k0 ?/ q" ^! N$ g; |

( A& a4 z2 I: X! _+ K' F: o& f, R1 x其实,ESR=Equivalent Serie ...
3 ~2 w" ?! _& w  h

6 V, |, Y" c$ I! `# P  s" r8 `) S8 J5 t* \3 n( Q4 L! R5 F6 I
没有用处的.
  P8 j# ]  v$ g) i$ m  U  B/ t
5 P7 _" W0 w. K+ U# S4 I7 t0 K你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.* i, U4 A/ J$ }
9 Q9 r: [1 L9 ]6 ]$ Z  \

0 s8 B5 c  N: {8 M0 W! ]不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.* M7 o+ M& c/ C& C
: Z$ {# Y+ z" V
但是他们的介质损耗都差不多是一样的.厂家直接给出了介质损耗的大小.你给出的中文PDF上面也没有说用ESR来计算介质损耗.
" b! n7 \8 F) d/ Q4 G1 P; c) G& g) j" ]0 T2 t
1 W! z: J! a7 {: ?
其实最简单的你就拿HZ的电容和MUSE KZ来比较就知道了.KZ的ESR只能说是LJ电容.但是介质损耗是0.07 % Z" E$ n" r% K4 _* b4 U
比最低ESR的HZ还要小.
4 T* n. M; e) y$ I2 o4 J& L( X( z$ `* N* ?9 v
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 18:01 编辑 ]
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34#
 楼主| 发表于 2007-8-23 18:13 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 17:55 发表
1 P- e0 ]0 @' W% m& ]2 ?
, A" ]. E6 e8 f& i+ ]7 m0 m# k7 t* ~4 W7 I6 c- ?: g( b: v; e' |5 W1 ^8 B

; u# j6 i5 w0 W( e没有用处的.5 ^$ a5 Z: M% G2 Y5 ]. `, @7 n

% [0 _& i& r7 J% E+ r  a" J你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.! B1 x0 w" L& M% E5 [
- I7 h1 Z* C: t

7 p! q4 P& ?  B+ K不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.7 S$ X! f+ I/ v& H$ O
" L3 u& p" [% c, K- a9 g* a
但是他们的 ...
1 e/ A, T. U% q$ O
介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。
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35#
发表于 2007-8-24 06:29 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表
) V# U+ r3 T' F- F; W/ v
; d; B) @, @' T- \& ^2 ]) U$ H固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
. H" h, M9 \- @: O. xcom"q2`2 [5 Z! q# L! s7 F& {0 I8 x+ w; I  }
U$K2R
3 h1 G% `5 s! B+ N' v3 w6 `' B9 v
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
3 T8 P8 b7 b7 U5 S: p3 y& h1 H( \

# z1 @6 j% h$ e( K! g问题是固态跟液态并非在低温下同等寿命,而是在极限温度上寿命相当,只要工作温度离允许极限工作温度有1段距离,固态寿命都会有明显优势,只不过温度越高,优势越小而已。
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36#
发表于 2007-8-24 09:27 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 18:13 发表
' ~1 D" G2 N" x% ~9 p7 W, x/ V7 [/ F; [) R
介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。

" k9 Z$ {6 y* q$ T$ \: G1 b9 U: L$ C

) L" N- {" |0 R) x0 D; p" L
& M+ j8 Q1 X# [& V$ b! z事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.
. Y- \. G5 `# J: s7 u) n5 D* I; x5 |! H* Q  O$ m
KZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.$ ~1 w# O" U# S! ~* Y; C
, e; v( L: G4 W" o' s4 o! F
比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主要是和电容的介质成分有关系的.你看看MKP电容介质损耗一般只有0.00032 x  v- S" v: J
" Z: c. ], |. m/ }/ k
比电解的0.12 左右要小一千倍.但是MKP电容的ESR却并不特别低.
" s6 v! {8 l. h$ C
" F; U+ A" Z4 J* t5 h* t; Z: A[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:29 编辑 ]

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sexypig 该用户已被删除
37#
发表于 2007-8-24 10:07 | 只看该作者
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38#
 楼主| 发表于 2007-8-24 10:42 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:27 发表
6 O. l- X, G' y3 `+ Y, t  [( a+ B6 C+ C. [- |! `% @+ E  @

5 D" ?9 u6 M2 _, U, E1 ^8 Z' o
1 g4 U0 W" }1 A$ L% Z9 g- H/ E3 e0 H7 i+ O
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.
2 V7 ~3 X7 j3 j6 e' z7 T. \+ t4 [% n: |" `) W; Y- A0 e# V
KZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.2 W% c/ ~1 Y5 n/ ?; A, n
2 ?, ?7 Y5 \+ M8 J4 k
比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主 ...

) {4 ^  L2 R" o' [4 O% U
9 e# y+ c6 c. a) t估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol:
% T* \' t" g1 Q' a: i介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。
" w: `9 O' o5 ?8 T# m9 s我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是有公式可以计算得出的。而公式的要素就是ESR和Xc。就像U=IR一样。
4 G; q7 A" T7 U& i" m有可能小日本的介质损耗是指某个化学参数。如果是这样的话,那就更是忽悠的利害了。
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39#
发表于 2007-8-24 11:14 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 10:42 发表
9 k0 q1 R( m/ ]+ D( j- x6 b3 S/ Y5 ]& q9 U" L3 W2 ^
) [3 H, A5 m3 _
估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol: # I# a  {0 z; Q& g6 Z( T, f
介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。- ~+ m- P; P  |! U* L3 {7 l! u
我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是 ...
: g* W9 ^) M/ B7 ~) M3 Y# ~
9 U' x9 |7 x  K/ k
5 t8 N+ |+ j, |* h0 S5 X" H
我虽然不喜欢小日本.
" a4 ~6 ]& y, l! L; [
( e2 m! `9 m' M& J: G但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.( e6 D' L% @8 e$ w& C- C6 H9 k1 i
( ?9 m+ g' s. n$ T- p
而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那我也就不想说任何东西了.
, |' P! k) q: V4 ~: x6 K
3 [/ h0 [/ F% ?" H; R0 H; C% G+ B我再三说你去看一下.NICHICON MUSE  的三个型号FW FG KZ 基本上就是按介质损耗来划分等级的.同样容量耐压下.KZ损耗最小.
" H) H2 `( @+ W5 i$ m- Q7 W% B: H. |( Z  u' g2 U5 Z6 K
www.nichicon.com1 g2 }# |1 _6 n

# x* G/ ?+ O' J& h) ]3 Y如果你说小日本的东西不能相信.那    http://www.evox-rifa.com/   可以在这里查BHC RIFA的资料.所有型号都有介质损耗标大小.
( H9 }3 m7 r! ~; a9 ~( j- h' E. t  X6 n% @& X
4 t5 g1 ~' V. p# S* ]+ m0 a
如果你老说ESR越小.介质损耗越小.那MKP电容0.1UF的损耗也只有0.0003 如何解释呢.那ESR可能在1欧以上.

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40#
 楼主| 发表于 2007-8-24 12:00 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表 " p- Z+ Q" X% j$ N# u' N- W0 N" |

. j) p1 S5 Z  H1 h# _
# @* R- n6 f4 j) X6 F5 b4 y% l; s. J7 j* [8 J4 {' j( t
我虽然不喜欢小日本.
: B3 [$ P- R- B
: r( o; V. Q' R. U1 m但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
  T- g& y& `7 A& T7 ^7 p
% w+ M# z9 ^. ~* A3 H/ v而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...
, I+ W  \4 B& }' C
. _" k2 A  }! ~( D
DF = R/XC = 2pifCR8 c1 K( S$ I: ~4 b: {

; a3 Y/ E3 y! t8 s0 RDF = Dissipation Factor
$ ^9 E! `- ?. j; @7 p% ~; xR = Equivalent Series Resistance (Ohms)6 E9 z( Y+ k4 ]  H- B2 y3 T; |
XC = Capacitive Reactance(Ohms)) U$ T/ w( M3 |% g8 V
f = Frequency (Hertz)8 b" ]  b: R4 o* E" _
C = Series Capacitance(Farads)
5 L* q4 L$ T4 H
0 ^! p+ X: Y9 H/ D0 y; J2 E前面已经再三的说过了,DF除了和ESR成正比外,还和容量成正比。那个MKP只有0.1u,如果1000u的话ESR还在1 ohm的话,那它的介质损耗就很高了。( R+ |, H  Z, ?( r+ q, e/ F5 P  Q: i

4 }( u; `5 @, D+ n假设那个MKP电容在120Hz下的电容量为0.1uf,ESR为1 ohm的话
  d: b$ {8 b5 ^3 @5 S0 W& gDF = R/XC = 2pifCR=2*3.14*120*0.0000001*1=0.00007536" D! V% N% J  ^3 m6 W$ ?
这个介质损耗还是很低的。
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