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楼主: zifzhu
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音频用的电容到底讲究的那些参数?

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21#
 楼主| 发表于 2007-8-21 22:50 | 只看该作者
原帖由 HerculesVR 于 2007-8-21 20:38 发表 4 d* R( {. S; [2 \  P$ B3 R; E
赞成 ,老何 也这么说··哈哈··· 做功放 电子管作不过晶体管的:loveliness:
% f; p# t7 |: V* C
老何是谁:huh:
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22#
 楼主| 发表于 2007-8-21 23:03 | 只看该作者
原帖由 sonicxz 于 2007-8-21 21:04 发表
& H0 f6 p  ]$ l  L  |+ [ESR 5O的话,固体电容也可以2 a( U) a' X/ d, G$ n8 ^3 i5 m
其实不用研究这个,直接在个品牌的音频电容里面选择就可以了/ ^7 ?/ Z# S1 Y  ^4 T
还有个问题,貌似音频电容极限温度下寿命都不是很长,都1000-2000小时:funk: 85度

2 w3 I) {4 E* F' j( I不是5Ohm,是5mili Ohm。:p 6 e; P. ^7 u& f* Z( b
铝电解的确是耐不了高温,因为介质是电解液。固体电容如铝聚合物,钽,钽聚合物等基本上都可以到125度。
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23#
发表于 2007-8-22 01:31 | 只看该作者
如果追求参数 就利用电容的公式计算!当然,预选电容的参数要了解(这个参数可以用音频分析仪检测或者厂家有PDF)/ n/ g- a+ ]" o8 ~

' m% j! e# P: A- X老何 就是 何kingwa呀
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24#
发表于 2007-8-22 02:52 | 只看该作者
我一直都认为直通最好,非要耦合的话自然也是高性能的元件好,失真是越小越好,原汁原味的还原才是正途,被过分修饰过的音色惯坏的耳朵,说不定哪天花大钱去看现场演出时还会觉得听不入耳呢~~~:p
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25#
发表于 2007-8-22 14:51 | 只看该作者
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。; \! k) Q: W* U) j' ]* ^' F5 ?
w00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。) e& G. n% Z0 B( X- C" h
4 V1 k: \- g8 n* n; O9 ?( ^  h$ S
至于耦合电容不要太过于关心ESR。因为音频电容FOR AUDIO一般是指TAN&介质损耗低的电容。可以参考NICHICON   MUSE系列。1 \& v3 Q7 M0 p2 k4 L) O& c' Z
FW FG KZ系列的参数对比。KZ的损耗最小。在交连中,ESR作用不大的
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26#
发表于 2007-8-22 15:06 | 只看该作者
这是不同的音乐追求,有的人认为摔玻璃的还原能体现器材,可是人们买器材不是为了去听摔玻璃的
& }1 S0 b$ H( y+ `( ]* s" s电子管重的是种韵味, 或者对于中年hifi迷来说 更是种回忆  就和我们现在再看电影板变形金刚一样5 D& r; o) J3 \9 Y% p# u, |2 c, A
140DB 动态的大录音制作室 是制作还是回放,如果是回放 我们在把音量开到最小的信号能够听清楚的前提下 就是最小的信号24分贝 最大的信号是164贝 如果不压缩动态  那么超过人类对声音可闻的最大极限-130dB 还要多34db这是享受音乐吗
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27#
发表于 2007-8-22 15:08 | 只看该作者
CD的数据格式和声乐参数对于大多数讲究音乐性的音乐足够了, 这是25多年来被大家接受并认可的,存在皆合理把, 否则早就要改了
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28#
 楼主| 发表于 2007-8-23 12:36 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-22 14:51 发表 * T0 X! @  [) U9 F, W
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。, d( @, ]3 v+ q. F9 ?! I
w00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。
: [% U6 I: l' X
$ D6 s# t# m) k  Q至 ...
$ ^- k* Z/ c, w8 Y* J% R; v
查了一下介质损耗的资料。好像就是ESR除以容抗。
8 f2 d, u/ Y, q6 @# X( Y. r# n; h1 q7 U  d
Dissipation factor is measured at 120 Hz, up to
( |; t; Y( {$ j7 u/ L7 A1.0 volt rms maximum, and up to 2.0 volts DC5 P4 k1 g1 l, ?' h# o. J
maximum at +25°C. The application of DC bias
! _2 f* `# P" G3 Ccauses a small reduction in DF, about 0.2% when2 o5 Y( [% k7 g, A- C
full rated voltage is applied. DF increases with$ f3 Z3 w. v3 z  d/ G6 J
increasing frequency.& `+ E1 e5 A. \4 K  s

9 ~; T: X8 G* l( q# ~4 w1 T+ e8 ]Dissipation factor is a very useful low frequency6 F# y5 Z; C: D3 [! R
(120 Hz) measurement of the resistive component+ X2 P! z/ m3 V/ Z6 ]  \, R; D, E6 v
of a capacitor. It is the ratio of the equivalent series  {$ I; \' K  G$ i: \0 r# k# U
resistance (ESR) to the capacitive reactance, (XC)
( w  Y/ R7 B  J' o. }1 |& o+ _and is usually expressed as a percentage. It is
4 _8 H7 ^6 j) Jdirectly proportional to both capacitance and frequency.2 e2 E( l8 E! E" t8 O
Dissipation factor loses its importance at
, f; N0 s# s: M$ ehigher frequencies, (above about 1 kHz), where0 l& B3 L7 E$ s' k8 h
impedance (Z) and equivalent series resistance2 _' ]3 e4 E4 s5 ?5 P1 ^1 ^# p  T
(ESR) are the normal parameters of concern.
1 g: p: G8 `/ ^, h! y2 W3 c* D# d% Y9 g
DF = R/XC = 2pifCR/ h* m- }1 }+ K9 f
DF = Dissipation Factor
0 q/ p8 \( j0 t. H) gR = Equivalent Series Resistance (Ohms)
# o" T9 U; B9 i" g* J& x) ~+ JXC = Capacitive Reactance(Ohms)
. F* e& h& x0 e) f0 K, f2 G( Df = Frequency (Hertz)
1 w$ u+ N3 N2 t- X7 EC = Series Capacitance(Farads)
+ V  R; C; k# M- W& j: J8 d% j1 ^/ c7 R! h
DF is also referred to as tan  or “loss tangent.”, g: Q9 }( G9 L8 h" \) H
The “Quality Factor,” “Q,” is the reciprocal of DF.
" i, R1 j$ I0 Z; y1 @3 h* ADF decreases with temperature above +25°C and% Q" Q$ L0 U4 b3 x$ s4 n: @: J  m
may also increase at lower temperatures.
, P5 k' P: g' ~; F: h+ s) lUnfortunately, one general limit for DF cannot be3 ?: K# p* D5 e( \* j
specified for all capacitance/voltage combinations,7 s" j3 y; b3 m! g4 `
nor can response to temperature be simply stated.5 d, M: _" v! {% S) h6 L
DC bias is not commonly used at room temperature,
4 a  L8 P( O  |6 Q2 U6 ~' ^, ?but is more commonly used at elevated temperatures.
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29#
 楼主| 发表于 2007-8-23 13:20 | 只看该作者
Dissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧铝电解挑这么一个参数来作为主要参数呢?实在是因为这个参数最容易做的好看了,铝电解一旦超过1kHz后,容量和ESR就残不忍睹了。
0 a% `. u. j9 @% v7 \0 p5 R4 l* G2 {感觉那些日系发烧铝电解的厂家的确比较会“忽悠”。但愿没人拿这些电容去做耦合用。
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30#
发表于 2007-8-23 16:07 | 只看该作者

回复 #29 zifzhu 的帖子

正常人好像没有用 铝壳做耦合的···( h7 N. f3 y- _6 k8 I& z! R

5 Y7 L5 @2 N# \+ v一般都是低频电解或者铜箔,高频薄膜或者云母乜··, O4 R) }  H  _+ P$ B: R

% d: k7 I7 T6 w1 M
3 M% o5 `  I1 i% k# z反正人家能忽悠到钱,这也是本事···:loveliness:
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31#
发表于 2007-8-23 16:33 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 13:20 发表
$ b; L7 `) @: p+ xDissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧 ...

; h2 {6 x4 K$ V% V9 ]3 m' @$ x1 S6 N, H* X2 f* s( P9 N
# e; f/ V5 d9 y, X% _
介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。
$ R! \/ n( W* Z' w5 @1 U
1 e( h  O: ~2 o; ~0 J+ t1 {# x- m* B  z; n9 B4 Z/ C
固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。, R9 o* H. a4 V

2 `: q) @9 Q2 t. w3 E6 C/ @8 S相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
& u. P  [8 j: G6 S8 V! [1 b7 y  }# V* [3 V, S" r7 X) ?' {
聚合物是指无机盐。不是铝聚合物。oscon  新型号都是采用导电型高分子阴极材料。( {* y0 m+ E5 s2 v% J8 v$ I6 e9 B& R
- ^, {: C$ C' l+ y0 Z. |! B8 d
  I- q- \. G8 X: X! G9 j
这些电容性能好,容量大,但是还是比不上MKP) e. x1 Z1 {3 i) ^/ f/ F

# h5 H; r" x. B. }" HMUSE 顶级的KZ 系列。最低介质损耗的才是100V 耐压的是0。07  5 G+ u0 ]8 l" g6 r6 b  h
随便一只MKP也可以做到0。03%  就是0。0003' K  {8 v6 Y! d* }( w$ }
7 k2 v4 ]+ `* P$ e" ^
这个是耦合电容最明显影响效果的。ESR IRAC只有在滤波的时候才影响,而且DAC 这类工作电流十分地小。纹波电压=电流*ESR; z: w% |9 _& m) {3 h# z- r
' J4 B6 l: ^/ n9 t0 [9 {: G- Z
所以对ESR电容要求并不高。。电流太小了。。。/ V* g- _5 P( k' c. R2 j6 Y
. @) V% R+ _1 y* p. B0 e  [
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:38 编辑 ]

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32#
 楼主| 发表于 2007-8-23 17:38 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表 - l/ L4 h% s6 y; Z" j

/ ^5 O, `3 ]3 U9 I. e
6 \7 m' f7 ]& a! g5 N5 c$ D' [- O0 G% I& a
介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。
! Y* y! X, f) ^$ U" k/ C6 x6 f4 Y3 N2 n5 t  \& M. l( M/ X
$ I' T. h8 Q8 y6 r& u1 X7 F1 J) h
固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
+ @: j$ f9 A8 g) s' e; y" T5 i
/ B7 g" n( ^- V% x% ?- f相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短 ...

, G5 h+ h( I6 u2 ]- a0 ^介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/standard/edit/UploadFile3/2007326194258871.pdf( p9 f$ M2 d, A, x: c9 n# g
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。
% h- w1 q: I& ~1 V; u+ N$ D  z* o5 e& [4 t3 y  J9 f
其实,ESR=Equivalent Series Resistance =等效串联电阻,损耗本来就是等效串联电阻引起的。没有ESR的话就是理想电容器了,没有损耗。
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33#
发表于 2007-8-23 17:55 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 17:38 发表 # S+ T5 J- Z  Q( b1 m
  T# i* ^; N- n/ x9 T! Q
介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/stand ... 007326194258871.pdf
5 n+ [5 y8 C! f上面的计算公式和我先前写的也是一样的。
, G/ U* ?* z) c; S9 l( q
( e3 o0 i8 a6 B其实,ESR=Equivalent Serie ...

8 C2 F) T4 |5 z8 h1 G+ o5 O- i; T4 X* c% R/ V7 O* M6 k+ s, Y

( L2 r1 f1 r# T3 x没有用处的.4 W! ^" l8 ?3 K* }! N, s, p* G" a: |

6 z% P4 r$ F( y6 I你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.
' P4 [9 ?+ h/ Y$ k5 x2 ]  Y8 E  o+ w& \( `9 d( y& {  H7 u

! ^9 r8 J9 p' y/ R9 A+ _不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.9 W. q5 V2 Y# i6 b5 l) I% K
9 l: x/ b. S  l; @# D* N$ Y
但是他们的介质损耗都差不多是一样的.厂家直接给出了介质损耗的大小.你给出的中文PDF上面也没有说用ESR来计算介质损耗." V; D- x7 T+ P0 s% p
6 m% T9 M+ P1 ~+ \: Y, P+ V3 B
# t' t) R* u& v4 c7 @5 ^3 q# _
其实最简单的你就拿HZ的电容和MUSE KZ来比较就知道了.KZ的ESR只能说是LJ电容.但是介质损耗是0.07 5 o" j8 M0 G+ a( x2 O" ^
比最低ESR的HZ还要小.
/ m& ^! k/ |3 N, q5 Y6 q+ {3 b# A' ~- Q8 V9 @: f( T$ \
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 18:01 编辑 ]
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34#
 楼主| 发表于 2007-8-23 18:13 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 17:55 发表 - }; c; @( C5 v" E9 K
% K' W9 N9 v& v$ [- h  f

: ]2 u2 X) S# ~) P* C
7 S9 h8 T: k4 g" ^: x: L没有用处的.5 G9 S; M' M3 B
- @8 }5 b3 V% S. W: R" |" o
你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.
( Z! A0 G1 f5 ~) G5 g; A( F+ F$ V* x8 H. O; d$ h. z( x. ~
9 z* i6 |" b" U9 {
不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.
% o/ V+ ]# V! d" _9 q! S% W  c4 y+ ?8 o4 c9 Q2 g9 c( t
但是他们的 ...

8 |1 J2 N0 |8 _3 O: ]8 ~介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。
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35#
发表于 2007-8-24 06:29 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表
7 N2 U8 p/ F& W- e9 ~+ M" E
& j& Y; |) e1 q7 a* a固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。! q) R  l- |: j$ `$ m7 @
com"q2`0 h0 a% G8 Q$ z; ^2 _
U$K2R

! y/ k4 ~0 `' v8 Q( O相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
4 x8 V/ Q$ `/ M

) i! T5 d' \& m- Q, Q: {# G8 d问题是固态跟液态并非在低温下同等寿命,而是在极限温度上寿命相当,只要工作温度离允许极限工作温度有1段距离,固态寿命都会有明显优势,只不过温度越高,优势越小而已。
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36#
发表于 2007-8-24 09:27 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 18:13 发表 - g; \$ }$ W2 ?# }2 ~  B# v6 n

" [0 Z/ N! g/ F- A介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。
+ H1 R: K+ K7 d- ?+ O8 F

$ i% B( z: h6 u4 I8 Z- D- ]* D
/ e8 ^6 B3 Y4 K3 a" B" v" h& z# q& f; S$ o8 R
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.
7 [5 ~; y9 h) \$ {! f& S; L! u
5 M/ k6 D3 w1 h. Z. i  JKZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.1 @. a1 C$ {7 U- g6 z& X
  b9 T% e, |7 V* K* e
比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主要是和电容的介质成分有关系的.你看看MKP电容介质损耗一般只有0.00037 g/ B: l! R$ P0 S2 n+ d/ @

  Z9 \, p" v$ N  j: h比电解的0.12 左右要小一千倍.但是MKP电容的ESR却并不特别低.5 B2 a5 f, n3 j$ V
; t3 Z, c# y) r4 d( N! @8 W/ z
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:29 编辑 ]

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sexypig 该用户已被删除
37#
发表于 2007-8-24 10:07 | 只看该作者
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38#
 楼主| 发表于 2007-8-24 10:42 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:27 发表
% `* c5 a3 v! d- s" J
: [& f; Y) y1 `% r* a9 F0 j
) ^9 N/ H  ]4 |, s! n6 a& I1 A2 Y8 n1 C
+ q8 i, y5 R, j" |
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.
& W* A$ q9 B2 |0 U& m! d; ]
! P7 X2 N% t5 I/ m4 }7 ?KZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.& }( n3 s$ W, i
; t9 O. y( w8 y; p2 |' Y5 u- d% }  k
比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主 ...

) c+ N3 f9 T5 D( Y0 P2 L" }5 B
/ O( c+ o! P" e  K6 ?4 }$ G$ p( [估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol: 1 x- V, v+ l$ m. `
介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。
% g7 Z8 u3 C+ Q我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是有公式可以计算得出的。而公式的要素就是ESR和Xc。就像U=IR一样。1 u' m. Q, `/ Q! W/ B
有可能小日本的介质损耗是指某个化学参数。如果是这样的话,那就更是忽悠的利害了。
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39#
发表于 2007-8-24 11:14 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 10:42 发表
  M2 l# I- t) k) ]# j) r" B5 e& B- U; J, D

7 g$ D- [2 V& V9 u2 p; L# N# n+ q) F估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol: + t  U5 q2 R* z) n5 \
介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。" ~; A( C) q' b( K: a/ E8 B  y
我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是 ...
5 p4 s. B1 T  J/ N, \( Y5 N3 U

3 K  f$ F" K1 a$ Y. F  f9 g* i# o( E4 |3 Z/ ]; b6 W
我虽然不喜欢小日本.
: l: I. N1 q# M; N; c3 C8 P) K0 v9 ~  O0 q
但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
0 T9 t7 C1 [) {/ h1 P3 p- H/ a4 ?3 C5 |& k2 f& y+ h
而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那我也就不想说任何东西了.4 x0 O2 X" e6 p; ]( M
( U' [& V3 u! p5 E
我再三说你去看一下.NICHICON MUSE  的三个型号FW FG KZ 基本上就是按介质损耗来划分等级的.同样容量耐压下.KZ损耗最小.
; X7 \- g& \  R) P9 P% Y
% l, _0 D8 S$ B& m( ?  s: j4 ewww.nichicon.com9 Z# H0 i$ `3 j: f$ t+ r

, q' Y8 [5 Z  h! F" f& b如果你说小日本的东西不能相信.那    http://www.evox-rifa.com/   可以在这里查BHC RIFA的资料.所有型号都有介质损耗标大小.
$ m) }8 C8 q# g+ K
7 B! t" I' w* K8 P: V( G  A' Y+ S  d3 Q- v; b
如果你老说ESR越小.介质损耗越小.那MKP电容0.1UF的损耗也只有0.0003 如何解释呢.那ESR可能在1欧以上.

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40#
 楼主| 发表于 2007-8-24 12:00 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表 # _5 M2 l  ]( n' o6 ]% S% \. j
0 X- O7 ^+ i7 ~6 k( ?9 a
5 k& U$ x% Y2 J

9 L; G: P3 P0 q5 h& a: G我虽然不喜欢小日本.
) ^+ `4 S' Q! I1 a9 ]$ _3 g7 R7 ]) o
但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.2 E1 U5 W0 q* N0 V) }

- M& f3 R- u8 [& m8 z2 K而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...

: _3 |9 S0 n" S1 |9 m& E( ?0 M
* q# N2 T5 ^% T, h& p* f6 M- [' v, J8 ODF = R/XC = 2pifCR. b0 a$ x. j& P$ P! r! Q

4 d+ I. \6 G9 n: EDF = Dissipation Factor& Z4 L# Y: @! G! t7 I- L- b
R = Equivalent Series Resistance (Ohms)/ h9 `0 \& L3 P  O7 q
XC = Capacitive Reactance(Ohms)
: r$ x% ?. |: U, p& q: ef = Frequency (Hertz)3 q& Q: y& z6 |9 F( E8 j
C = Series Capacitance(Farads)
" x3 E5 O* G  A" g; D- t
* _: q: j7 v  ]0 ?9 |! T前面已经再三的说过了,DF除了和ESR成正比外,还和容量成正比。那个MKP只有0.1u,如果1000u的话ESR还在1 ohm的话,那它的介质损耗就很高了。
+ m4 M' Q; O  s2 ~0 k. T, B) W# J+ ]! R7 b5 @* J
假设那个MKP电容在120Hz下的电容量为0.1uf,ESR为1 ohm的话1 d3 N1 x% p( L9 Y
DF = R/XC = 2pifCR=2*3.14*120*0.0000001*1=0.00007536
( Y  t' ?  ~; F' p. V/ \/ b这个介质损耗还是很低的。
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