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楼主: zifzhu
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音频用的电容到底讲究的那些参数?

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21#
 楼主| 发表于 2007-8-21 22:50 | 只看该作者
原帖由 HerculesVR 于 2007-8-21 20:38 发表
6 q' `2 F7 E% g0 ~赞成 ,老何 也这么说··哈哈··· 做功放 电子管作不过晶体管的:loveliness:
( O6 s; ~& j5 ~# j
老何是谁:huh:
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22#
 楼主| 发表于 2007-8-21 23:03 | 只看该作者
原帖由 sonicxz 于 2007-8-21 21:04 发表
7 f) h( K2 o% h: y) {" P# V) RESR 5O的话,固体电容也可以
- r  `6 [# u3 Y6 n# F3 O, T其实不用研究这个,直接在个品牌的音频电容里面选择就可以了& I  `) Q3 Z+ P$ }2 @9 A
还有个问题,貌似音频电容极限温度下寿命都不是很长,都1000-2000小时:funk: 85度

) x; o+ D8 b8 H6 P8 K7 G  y不是5Ohm,是5mili Ohm。:p
1 C6 o, W  ~8 }( [4 B# X: v% f) g铝电解的确是耐不了高温,因为介质是电解液。固体电容如铝聚合物,钽,钽聚合物等基本上都可以到125度。
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23#
发表于 2007-8-22 01:31 | 只看该作者
如果追求参数 就利用电容的公式计算!当然,预选电容的参数要了解(这个参数可以用音频分析仪检测或者厂家有PDF)3 ]2 h: a9 H. S* x9 {, @

7 p' A, q/ ?+ n" L. J老何 就是 何kingwa呀
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24#
发表于 2007-8-22 02:52 | 只看该作者
我一直都认为直通最好,非要耦合的话自然也是高性能的元件好,失真是越小越好,原汁原味的还原才是正途,被过分修饰过的音色惯坏的耳朵,说不定哪天花大钱去看现场演出时还会觉得听不入耳呢~~~:p
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25#
发表于 2007-8-22 14:51 | 只看该作者
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。
* E( p& {' F6 _: @w00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。% H0 a6 G5 G) [6 ~2 C3 ~3 m
1 |9 i8 w" w* Y9 ~
至于耦合电容不要太过于关心ESR。因为音频电容FOR AUDIO一般是指TAN&介质损耗低的电容。可以参考NICHICON   MUSE系列。, u7 Y) c& E, N* D9 e( S
FW FG KZ系列的参数对比。KZ的损耗最小。在交连中,ESR作用不大的
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26#
发表于 2007-8-22 15:06 | 只看该作者
这是不同的音乐追求,有的人认为摔玻璃的还原能体现器材,可是人们买器材不是为了去听摔玻璃的
1 y& H. u2 ]& z/ p) U) T: R) r; C* `) a电子管重的是种韵味, 或者对于中年hifi迷来说 更是种回忆  就和我们现在再看电影板变形金刚一样
  ~' X; s; u( i" U140DB 动态的大录音制作室 是制作还是回放,如果是回放 我们在把音量开到最小的信号能够听清楚的前提下 就是最小的信号24分贝 最大的信号是164贝 如果不压缩动态  那么超过人类对声音可闻的最大极限-130dB 还要多34db这是享受音乐吗
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27#
发表于 2007-8-22 15:08 | 只看该作者
CD的数据格式和声乐参数对于大多数讲究音乐性的音乐足够了, 这是25多年来被大家接受并认可的,存在皆合理把, 否则早就要改了
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28#
 楼主| 发表于 2007-8-23 12:36 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-22 14:51 发表 % C2 |) F0 J: Q5 w8 u
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。9 {. |& T0 V* D* z
w00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。+ K  ?9 B5 ?3 T$ R
9 J; q: d4 ^7 {! Q1 i
至 ...

$ z+ S/ \$ L! o/ f; s查了一下介质损耗的资料。好像就是ESR除以容抗。
6 h! }9 C) j0 H1 A0 u. S% u9 I3 b
Dissipation factor is measured at 120 Hz, up to. v& u- Z  T$ g& V: B' E
1.0 volt rms maximum, and up to 2.0 volts DC$ Z! U+ V0 O( O: U! {8 V# E
maximum at +25°C. The application of DC bias, K( l$ G3 M* y* @6 w
causes a small reduction in DF, about 0.2% when0 u3 U, @0 N: @, g
full rated voltage is applied. DF increases with5 f2 T8 d. b  T' Q7 W3 R2 s- \; w
increasing frequency.
! {, z, c4 M; w1 F* o" @7 ^6 @- n
3 [& X; D7 n9 R. pDissipation factor is a very useful low frequency) z% u4 _  Q8 z, U% z
(120 Hz) measurement of the resistive component
) A) n% t! ^( q, \' B5 Pof a capacitor. It is the ratio of the equivalent series
4 c/ @% w- g* y3 {resistance (ESR) to the capacitive reactance, (XC)- Y/ b# B8 [' C0 i
and is usually expressed as a percentage. It is* C1 p2 L. A$ l' h" P) _1 M# R$ `2 d( F
directly proportional to both capacitance and frequency.
& Y: Z# ~, m# B+ V0 IDissipation factor loses its importance at
4 t) P6 Q$ T# p# rhigher frequencies, (above about 1 kHz), where
9 w* G3 V. l1 e( ~5 g( nimpedance (Z) and equivalent series resistance
% a4 c6 \2 N' E' @(ESR) are the normal parameters of concern.
% k3 A; Z8 W/ }( a+ c- O* y& D& n
6 ~3 T4 V( m0 U8 }; w8 Q9 dDF = R/XC = 2pifCR
5 ^+ X/ V: s0 mDF = Dissipation Factor
4 s0 |1 d/ B8 `7 YR = Equivalent Series Resistance (Ohms)
  h5 ]+ n, S( }; G% a4 pXC = Capacitive Reactance(Ohms)
: p1 g& ?1 l: u" v  n# Wf = Frequency (Hertz)
2 z- f# g8 n9 cC = Series Capacitance(Farads)& R/ q$ j" h/ o' G  A

' c6 _1 W* ~0 r. U+ L. p1 eDF is also referred to as tan  or “loss tangent.”
9 d7 a  u# A+ K' [) c8 Y+ \The “Quality Factor,” “Q,” is the reciprocal of DF.1 \$ C3 Y  r; z' x) C  Y
DF decreases with temperature above +25°C and
+ K6 B) t1 k! ?+ }1 v6 T' n3 omay also increase at lower temperatures.( g) s" y$ s3 _) Z, {/ S4 K
Unfortunately, one general limit for DF cannot be3 E2 f" }! {! b' H- z& h
specified for all capacitance/voltage combinations,
( @) X" o) j3 \0 G$ z+ n5 h# anor can response to temperature be simply stated.
& X- S0 [( I! LDC bias is not commonly used at room temperature,1 j; F+ s4 \1 o7 t3 j6 x
but is more commonly used at elevated temperatures.
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29#
 楼主| 发表于 2007-8-23 13:20 | 只看该作者
Dissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧铝电解挑这么一个参数来作为主要参数呢?实在是因为这个参数最容易做的好看了,铝电解一旦超过1kHz后,容量和ESR就残不忍睹了。
+ y7 `3 M% C! L  {- x感觉那些日系发烧铝电解的厂家的确比较会“忽悠”。但愿没人拿这些电容去做耦合用。
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30#
发表于 2007-8-23 16:07 | 只看该作者

回复 #29 zifzhu 的帖子

正常人好像没有用 铝壳做耦合的···2 h: l$ Q& n( k' a9 H* s
! Q( W4 W( w, G5 [3 L0 K& S, c
一般都是低频电解或者铜箔,高频薄膜或者云母乜··
2 k9 _9 _, c7 A3 Y+ ^4 d! I6 t( y" c) x& _: ?: [

( d& f7 J2 f! B% V反正人家能忽悠到钱,这也是本事···:loveliness:
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31#
发表于 2007-8-23 16:33 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 13:20 发表 , L" Z8 l2 B2 |4 t
Dissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧 ...
6 ~2 D; q" }: L$ E
' R# w( M5 c2 O0 |# {5 o, }

8 ?# g# e2 R+ X: D/ g! r介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。% W/ i+ Z1 H' }6 n) @; ~0 }
- n3 b# B/ V7 E2 ~  e- m# Z

+ _$ U1 v& K, v# f固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。* J% R9 |+ e. _2 E9 Y
/ U  [. x4 m9 X' I
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
. K  [* C: }0 J4 w
; T' F5 S- l: I# T& o% a" i3 T1 c聚合物是指无机盐。不是铝聚合物。oscon  新型号都是采用导电型高分子阴极材料。
- z4 M# }& w! O4 ?7 E  u4 W2 |1 z; g  P9 G3 K' N- H8 N8 i

  b# Y$ e2 O4 }8 h0 s4 L( N这些电容性能好,容量大,但是还是比不上MKP
9 W- w- r9 d! c2 e3 v9 Q# l% F; w$ C6 B
MUSE 顶级的KZ 系列。最低介质损耗的才是100V 耐压的是0。07  7 J. A' h" w3 S' ~0 C% G
随便一只MKP也可以做到0。03%  就是0。0003
0 T- n# g. s( C5 _( c# ^+ N1 H" r6 Y! H/ D! r. x
这个是耦合电容最明显影响效果的。ESR IRAC只有在滤波的时候才影响,而且DAC 这类工作电流十分地小。纹波电压=电流*ESR
) f6 w/ N7 O; w. L& r# h; z3 \1 q! ~0 Q
所以对ESR电容要求并不高。。电流太小了。。。
2 D& e) q  W+ K  U' Q) o+ R2 ?( m; D6 G8 N7 I2 a
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:38 编辑 ]

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32#
 楼主| 发表于 2007-8-23 17:38 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表 % q5 ]  q- B4 s$ n5 E) \! P

3 k1 l' u8 N0 _& M, Z3 l# C' h/ Z* a9 a3 F$ C; {* H0 n& ]
$ Q. N( ^6 v+ N: G" {
介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。! H5 {9 h  ~4 [

( s- a% R0 \+ F0 G) N4 o6 ?8 r% v& A9 Q. K, K$ f
固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。1 u3 y( _( s& D' C2 K/ f

% A8 |9 [, k4 @$ H# o0 v" D  A相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短 ...
& o$ a; u3 Z: }0 ^6 k
介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/standard/edit/UploadFile3/2007326194258871.pdf  U0 [4 r5 Y" _" s2 d$ z
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。
# z/ Q! U) Z7 {. s, _+ D" D) u( B. N* Q5 q
其实,ESR=Equivalent Series Resistance =等效串联电阻,损耗本来就是等效串联电阻引起的。没有ESR的话就是理想电容器了,没有损耗。
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33#
发表于 2007-8-23 17:55 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 17:38 发表 & M" |( E3 M+ i

# [. W1 |& M  a9 n5 `" v介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/stand ... 007326194258871.pdf$ E, q  D9 G- E8 |5 o/ c" U
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。
2 _- C. q: @; ^- s  B# ~% z1 Z: N, M. z0 S* O
其实,ESR=Equivalent Serie ...
9 q) k# `; u$ [( x: j' q

9 |) s- a+ ~! J& Q2 o+ T2 m: U  W; e, k) }4 {/ J# V
没有用处的.1 J# I4 g) h% B' C% z5 {
9 l4 G) ^% ~3 F+ z; l# T$ G3 Y
你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.  @& s; B% C  X( T0 X  N  r+ z; u

4 M1 p! Q- z2 p, m9 [7 b7 P/ j+ a  Z" E7 ?3 A, K" I4 P
不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.
9 D& o9 f% ^/ {& ~' G& y2 U/ g
# P8 |% b/ f1 d! t9 ~. O+ O0 w但是他们的介质损耗都差不多是一样的.厂家直接给出了介质损耗的大小.你给出的中文PDF上面也没有说用ESR来计算介质损耗.5 e% C: Q9 \7 n) B6 B4 W, K# U& b

& w! o4 R' q6 Q' w, j2 o' `8 x9 H# o5 p$ A) ~. q( y, M  X
其实最简单的你就拿HZ的电容和MUSE KZ来比较就知道了.KZ的ESR只能说是LJ电容.但是介质损耗是0.07
. E: t5 `7 R' b% M8 k! Q2 X比最低ESR的HZ还要小.! |' E! ^& I2 V0 v& `1 P- L
- v: \0 ]( {, u3 W
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 18:01 编辑 ]
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34#
 楼主| 发表于 2007-8-23 18:13 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 17:55 发表 5 D4 S8 ~4 Q0 e

# l/ g4 A- U1 A/ q6 s2 B
- |1 @0 v5 X5 }
0 ^0 M! [6 x" d* \" g  U8 y2 @4 a2 Y没有用处的.
& F2 _% U+ J. C5 x" I
+ f6 v7 ?& r. u3 T! S, R  m你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.
$ H3 T  c/ ]' \( \- L# i0 N' @4 t& t& L# z$ f0 g( `3 m+ [2 z
& w, y4 K- F& K# _( A4 G4 ^# I
不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.
; b! Z$ s8 \- Z' E/ H0 U) Q  X# C( k4 m+ ?4 ]
但是他们的 ...

& h' L& m. T- z" k6 K介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。
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35#
发表于 2007-8-24 06:29 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表 ( \& ]9 C% N7 E' n1 Y
% x% d! i3 v- r. V% ?
固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
, F% \2 x) _9 C1 z7 U+ Y2 Ccom"q2`
: E6 Y* R4 l4 `' t) X3 lU$K2R
) F; j7 f5 ?: _0 B0 l+ v# m
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。

2 @5 W! _! K1 Q! L( x" e  L( X8 A
0 y7 Z* u& t& l$ j问题是固态跟液态并非在低温下同等寿命,而是在极限温度上寿命相当,只要工作温度离允许极限工作温度有1段距离,固态寿命都会有明显优势,只不过温度越高,优势越小而已。
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36#
发表于 2007-8-24 09:27 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 18:13 发表
! b8 U  v2 K+ K2 x$ V; G
- u  P2 T* r$ w0 v介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。

, X& B+ T% E+ F  a
  ]- x) L* L# |/ B& d8 `
. z; ^2 Z2 V3 s% a2 R: y
0 E. [; Q- _& Y" [事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.
2 [! _4 M# d3 Q* `1 e/ c
* H4 o' F8 I8 g3 a& M) RKZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.
" }: W" |8 b9 z8 z) ^( y1 w: N3 E& Z+ s0 J2 v
比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主要是和电容的介质成分有关系的.你看看MKP电容介质损耗一般只有0.0003" O: Y: H# B. G4 l$ ?# v, V
& h& Y) t* n2 a
比电解的0.12 左右要小一千倍.但是MKP电容的ESR却并不特别低.
+ x; F: N3 S4 r' J8 B4 I8 `
( X( y0 R2 G! h6 s6 C2 K! n[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:29 编辑 ]

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37#
发表于 2007-8-24 10:07 | 只看该作者
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38#
 楼主| 发表于 2007-8-24 10:42 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:27 发表 & B+ {+ ?: F( B7 e; j0 Q' x3 i& H3 l

) m' e6 ~* j; K5 e4 H* J) G5 t& `( g: v2 R0 y2 q! I" y' o' Q
2 q% u' Y8 O5 E$ e
5 c9 }/ V) I- d6 l; X
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.& L1 }4 n9 w: r" o8 F, s
( [( m- p- C! O. [
KZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.! m" g* Z0 f0 \% [8 x0 G4 V3 N. x8 T

& I4 ]' z8 ?4 H3 @' d  {1 x比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主 ...

: L# N% [& ]  f: H& k6 e5 ?& u9 B4 g% \; {8 f( m+ I4 J+ e( K
估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol:
: Z9 s8 a7 K. m: \" i介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。& }. c2 f$ }4 h; q6 r. G' [' p& N
我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是有公式可以计算得出的。而公式的要素就是ESR和Xc。就像U=IR一样。
! x5 S1 X7 b" G8 @- L有可能小日本的介质损耗是指某个化学参数。如果是这样的话,那就更是忽悠的利害了。
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39#
发表于 2007-8-24 11:14 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 10:42 发表
: L: {* U- f- |
! U1 ^9 x- ?" B1 g! j: p  G- V8 S2 r0 c+ a  X1 b! x3 ^
估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol:
3 [  x: ]8 s& O% C# S4 t# |) y+ Q介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。
# u/ t+ t: l6 C; s0 X我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是 ...

' t0 E* @) ~% G# ^
6 {! u" V0 E6 e0 `8 G+ _: {: u* W4 Z+ J3 R2 ^& a( w
我虽然不喜欢小日本.
9 N8 k1 U$ p. Q2 h- x  i" o- r. ^* a! s, N5 X& _( ^, G" \
但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
5 V7 Y- [& P: b$ @
( z' O! I- T  f+ x而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那我也就不想说任何东西了.
# f; X$ E) {1 Z9 P. T! p0 p' ~- L2 I! ^3 Z, r/ h2 ]5 d
我再三说你去看一下.NICHICON MUSE  的三个型号FW FG KZ 基本上就是按介质损耗来划分等级的.同样容量耐压下.KZ损耗最小.* f3 I5 v- o) j- Y& w
# n% O- @" i2 [* L
www.nichicon.com* w0 j0 @; c$ ~# G

, _+ S& ?) ~0 \. [! Y  y: t$ Z9 z如果你说小日本的东西不能相信.那    http://www.evox-rifa.com/   可以在这里查BHC RIFA的资料.所有型号都有介质损耗标大小.! f+ @8 Q7 o; f/ i+ B0 }% _

! O6 w, u; [# [7 w1 ^  C
# U: k0 e& R6 D: t/ E* x# {如果你老说ESR越小.介质损耗越小.那MKP电容0.1UF的损耗也只有0.0003 如何解释呢.那ESR可能在1欧以上.

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40#
 楼主| 发表于 2007-8-24 12:00 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表 3 r4 ?( Z: z) d) Z3 b1 S; o' F( [

  l* o& M' j6 E$ h  s" ?+ x/ k7 r% a! K: b2 V
% l) {( J% u% x8 r5 v$ i# f4 Q
我虽然不喜欢小日本.
5 M" b8 G: l$ b0 s9 q" D  _7 u; A6 }8 N
但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
) H$ _9 E8 }2 ?
! ?& @2 W; v5 c( x而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...
7 d) k7 A5 Z+ [6 K

) w) K$ O0 l) @5 eDF = R/XC = 2pifCR
- _- y1 Z0 o1 k& o# t
) X: V7 W6 A! N2 C& p2 h- ]# v  |3 jDF = Dissipation Factor
& |' j, L" w) x( f6 ^# x  S7 A+ UR = Equivalent Series Resistance (Ohms)
( x8 u/ U' H2 ]# M! C) bXC = Capacitive Reactance(Ohms)) S) ^1 E% |* K% v/ K# q2 k/ J# w
f = Frequency (Hertz)5 A# _% b, J$ Z* |! {( S1 K, p7 N
C = Series Capacitance(Farads)" O8 ~/ o6 M' M/ s: X, @4 D7 }* n
( ~5 G; P' Y& M# |' g1 \, @4 I
前面已经再三的说过了,DF除了和ESR成正比外,还和容量成正比。那个MKP只有0.1u,如果1000u的话ESR还在1 ohm的话,那它的介质损耗就很高了。
8 w1 y- U2 _* t# ^
4 m: P* f4 S. P" Y4 N0 Z% P8 u假设那个MKP电容在120Hz下的电容量为0.1uf,ESR为1 ohm的话
5 ?9 x) K( j+ A* F5 A3 gDF = R/XC = 2pifCR=2*3.14*120*0.0000001*1=0.00007536& F; H! v. Z4 I. |
这个介质损耗还是很低的。
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