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楼主: zifzhu
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音频用的电容到底讲究的那些参数?

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21#
 楼主| 发表于 2007-8-21 22:50 | 只看该作者
原帖由 HerculesVR 于 2007-8-21 20:38 发表 $ ?0 S  t' N, O! `; ~
赞成 ,老何 也这么说··哈哈··· 做功放 电子管作不过晶体管的:loveliness:
; m! K7 J9 n0 Z, r' J2 p, i3 i
老何是谁:huh:
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22#
 楼主| 发表于 2007-8-21 23:03 | 只看该作者
原帖由 sonicxz 于 2007-8-21 21:04 发表 & z) o5 Z  b: ~6 e( ~
ESR 5O的话,固体电容也可以
+ N. z6 ^3 t* ^- e# Q4 R其实不用研究这个,直接在个品牌的音频电容里面选择就可以了% M* f* T+ ^" Z3 Z# b3 X  [( M6 D
还有个问题,貌似音频电容极限温度下寿命都不是很长,都1000-2000小时:funk: 85度

8 c- J2 }, @9 J1 H  v" a6 z6 C2 M- x- l不是5Ohm,是5mili Ohm。:p 0 `" V9 D+ q+ M4 W2 S# y6 P
铝电解的确是耐不了高温,因为介质是电解液。固体电容如铝聚合物,钽,钽聚合物等基本上都可以到125度。
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23#
发表于 2007-8-22 01:31 | 只看该作者
如果追求参数 就利用电容的公式计算!当然,预选电容的参数要了解(这个参数可以用音频分析仪检测或者厂家有PDF)! R" c. n; q8 ^. u
$ \# Z. Q1 |% `6 a1 [1 c2 @" i
老何 就是 何kingwa呀
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24#
发表于 2007-8-22 02:52 | 只看该作者
我一直都认为直通最好,非要耦合的话自然也是高性能的元件好,失真是越小越好,原汁原味的还原才是正途,被过分修饰过的音色惯坏的耳朵,说不定哪天花大钱去看现场演出时还会觉得听不入耳呢~~~:p
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25#
发表于 2007-8-22 14:51 | 只看该作者
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。1 M7 O( e# w9 A9 g; ?) p, H
w00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。
5 n) l* C6 _( j1 v) F% R; b/ F3 N' Z
9 P4 }, p" n) w6 L/ ]% E' M至于耦合电容不要太过于关心ESR。因为音频电容FOR AUDIO一般是指TAN&介质损耗低的电容。可以参考NICHICON   MUSE系列。# j! d+ a' |- J# g
FW FG KZ系列的参数对比。KZ的损耗最小。在交连中,ESR作用不大的
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26#
发表于 2007-8-22 15:06 | 只看该作者
这是不同的音乐追求,有的人认为摔玻璃的还原能体现器材,可是人们买器材不是为了去听摔玻璃的
  p3 B4 ]. a/ y" E' m+ t1 ^电子管重的是种韵味, 或者对于中年hifi迷来说 更是种回忆  就和我们现在再看电影板变形金刚一样1 V- z) i: Y& N2 D, M
140DB 动态的大录音制作室 是制作还是回放,如果是回放 我们在把音量开到最小的信号能够听清楚的前提下 就是最小的信号24分贝 最大的信号是164贝 如果不压缩动态  那么超过人类对声音可闻的最大极限-130dB 还要多34db这是享受音乐吗
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27#
发表于 2007-8-22 15:08 | 只看该作者
CD的数据格式和声乐参数对于大多数讲究音乐性的音乐足够了, 这是25多年来被大家接受并认可的,存在皆合理把, 否则早就要改了
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28#
 楼主| 发表于 2007-8-23 12:36 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-22 14:51 发表 ! V: V5 f% k3 F1 J% }+ E
我从来不觉得胆机失真大会好听。说夸张点,可以说我从来没觉得电子管好听过。
0 h" Z" S. @+ G; c) A9 e' ew00t)   也许是我比较喜欢新的科技技术,说电子管好听的。有机会去听听140DB 动态的大录音制作室就知道。电子管原来是XXX。$ h# {. P* P3 z8 m, r- C( X: h
1 N2 A/ E3 X1 W8 B2 X  v- x
至 ...

: e9 P7 N% z0 N7 @, ?* L1 s查了一下介质损耗的资料。好像就是ESR除以容抗。5 I$ E  E# ^* \' m7 E- W& v
- W4 h% ]2 s, G( u+ i+ r# o( o: l
Dissipation factor is measured at 120 Hz, up to7 T: g! n  L. S" o+ C
1.0 volt rms maximum, and up to 2.0 volts DC
* V. @& o2 g$ emaximum at +25°C. The application of DC bias
' D- L) t% n1 c% f4 Dcauses a small reduction in DF, about 0.2% when
: \0 \$ S3 }/ j; s. m) L" y  bfull rated voltage is applied. DF increases with( c; h7 o6 V" Q1 e0 ?8 {! @
increasing frequency.' V; r- X2 V/ o, H1 N, I( `

- _( z' D4 m5 `Dissipation factor is a very useful low frequency4 ]' F; I1 Z  t; u
(120 Hz) measurement of the resistive component! m0 R. h* \4 e' P; u
of a capacitor. It is the ratio of the equivalent series3 `2 D  ^5 V8 A- D; D
resistance (ESR) to the capacitive reactance, (XC)
" E% D6 j6 L" ?% D" c/ M, Mand is usually expressed as a percentage. It is/ X+ P% c% ^6 Y; S% }
directly proportional to both capacitance and frequency.; q4 r  u* R/ M1 |3 N  o# G% k
Dissipation factor loses its importance at0 ~+ s1 g+ A; X1 F. [4 ~3 {
higher frequencies, (above about 1 kHz), where' B! R- b' j4 S4 o4 J
impedance (Z) and equivalent series resistance
& v9 {& P. y/ T(ESR) are the normal parameters of concern./ ~" X! B7 R$ x9 F! P

+ d9 ~) m; l7 @& c+ B9 A4 E: cDF = R/XC = 2pifCR
; G$ D6 @9 {7 n- M: p, S5 M( YDF = Dissipation Factor. p3 P, y: V, H) n! v9 E0 a
R = Equivalent Series Resistance (Ohms)  W7 `9 o6 R' M3 F2 @: |
XC = Capacitive Reactance(Ohms)7 M) `( |2 d6 i2 J
f = Frequency (Hertz): O3 p/ X9 z7 f; I; W- _. N
C = Series Capacitance(Farads)
* I6 h. h3 m8 _
& {. V  \' ?; G  m$ ADF is also referred to as tan  or “loss tangent.”
# r% s  E  S8 ?2 P7 ^The “Quality Factor,” “Q,” is the reciprocal of DF.3 m% Z, v* J9 M* {' [/ K6 v1 q
DF decreases with temperature above +25°C and/ S! P. S0 V* U1 Z- K7 {/ P8 y% D
may also increase at lower temperatures.
& F4 N9 c1 _% ^5 i* r' V6 {Unfortunately, one general limit for DF cannot be/ w& V! U0 X2 Z2 K! _
specified for all capacitance/voltage combinations,) V- }: Y, v1 ]# |: R6 Z( @' O
nor can response to temperature be simply stated.+ j  Q6 h8 |: S) ^" S! w* m
DC bias is not commonly used at room temperature,
$ a& P% ~9 o* tbut is more commonly used at elevated temperatures.
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29#
 楼主| 发表于 2007-8-23 13:20 | 只看该作者
Dissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧铝电解挑这么一个参数来作为主要参数呢?实在是因为这个参数最容易做的好看了,铝电解一旦超过1kHz后,容量和ESR就残不忍睹了。8 k2 e/ G$ B0 _2 h& D: N
感觉那些日系发烧铝电解的厂家的确比较会“忽悠”。但愿没人拿这些电容去做耦合用。
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30#
发表于 2007-8-23 16:07 | 只看该作者

回复 #29 zifzhu 的帖子

正常人好像没有用 铝壳做耦合的···  B. Q0 d& Q+ {

' |" k& @( y: ]& ?% z一般都是低频电解或者铜箔,高频薄膜或者云母乜··5 |: w: Z  m) }4 I9 |* ]

: g9 Y" E3 Y3 A" N# s
( f7 Q% G. Q5 V# ~( [" C' H5 t反正人家能忽悠到钱,这也是本事···:loveliness:
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31#
发表于 2007-8-23 16:33 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 13:20 发表
" ~. b+ f: P% x* lDissipation factor是指在120Hz下的ESR除以容抗的值。为什么是120Hz呢?个人认为这是国外电网标准60Hz经过全桥整流就是120Hz了。那这么说的话Dissipation factor就只是适合表达电源低频滤波的性能了。为什么发烧 ...

3 z) {, z# X$ F) C9 G' `' a1 C) i/ _: L

& i, I$ P: b3 u3 P+ ~( l介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。' u! q" [7 n( }( L9 p% n4 \

% n, o7 S. o' `! b9 o
# H% v! n6 ]0 }" I- z固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
" r. ^* S  P! {) w/ Q0 ?1 J7 Z$ {9 |
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
' T$ O5 A2 g/ a  C3 d* ?
% ^2 k7 `, P! [6 ~8 {$ V' _聚合物是指无机盐。不是铝聚合物。oscon  新型号都是采用导电型高分子阴极材料。
* f; p, L6 O5 k$ d7 J+ y! u/ c3 k" R6 K! E

6 k( o) ~$ r" a- l0 `! H; A  I6 }1 z这些电容性能好,容量大,但是还是比不上MKP
! d# ~- r" w7 a0 L( m! A6 C2 d# `% k/ q/ `
MUSE 顶级的KZ 系列。最低介质损耗的才是100V 耐压的是0。07  ! Z( j8 W7 U0 w: A( f' o
随便一只MKP也可以做到0。03%  就是0。0003
# H+ e- a3 d/ v  L. i6 ?& i. C) F
  y3 V8 q6 D2 v& i$ O这个是耦合电容最明显影响效果的。ESR IRAC只有在滤波的时候才影响,而且DAC 这类工作电流十分地小。纹波电压=电流*ESR6 E. ^3 A! y, w+ Z

, k3 l" H+ H0 L9 q. z所以对ESR电容要求并不高。。电流太小了。。。
3 b- F5 ?7 D  q4 b5 H
; y& q4 G- T, o/ Z( D" t[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:38 编辑 ]

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32#
 楼主| 发表于 2007-8-23 17:38 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表 1 `& q: Z6 h- A% `: o) Z

- ]2 {6 M$ G7 H; P" B) b0 x+ l, G5 H" E) _, B9 o  Z

4 N: \5 m5 E- C/ d% i0 v" a介质损耗在FOR AUDIO电容上面。与ESR没有关系。主要是电容阴极成份。: D, M! J4 N7 m6 U5 O2 [- F# O
! N: b3 |, k/ j. X3 T7 l6 u

% \  a/ O) r2 [固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
' j: ^) R. l& u  K: c% H2 [9 N6 S( p2 T1 Z8 }* }
相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短 ...

; ~' p/ q8 ]- ^* z介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/standard/edit/UploadFile3/2007326194258871.pdf  @1 x5 y, F8 Q/ o
上面的计算公式和我先前写的也是一样的。0 E7 u" w- O  n
! }3 i. V$ Z$ D2 e: n4 d6 G
其实,ESR=Equivalent Series Resistance =等效串联电阻,损耗本来就是等效串联电阻引起的。没有ESR的话就是理想电容器了,没有损耗。
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33#
发表于 2007-8-23 17:55 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 17:38 发表
1 m- f2 s- a+ S. [0 H6 k, z5 f6 i$ ]4 H6 ^/ {# P% G5 B0 l1 M
介质损耗是一个参数,就有它的定义。我又找了一份国标http://www.sinofood.com.cn/stand ... 007326194258871.pdf
! j! a$ Y6 n" x上面的计算公式和我先前写的也是一样的。4 I1 z! ^9 g& J3 X

+ }' x$ ^& p& E% P- r! t1 {其实,ESR=Equivalent Serie ...

5 b6 R2 s/ Q  }+ |  t+ a( }. G4 J! X1 L$ |4 V9 x$ P3 k; x

; [9 M  Q; Z' g+ ~3 A( w$ [没有用处的.
8 I: e8 `& a- I1 t/ q1 H  s4 h. r/ N" O9 @# M( G
你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.( R( Y9 a2 U8 D& d1 u

% B& Z) c) r8 C5 W( v* r; Y- e- i, \9 m! t* E
不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.7 m' M% E0 d  h9 z, g* e. }( f: u

: S* B3 q; K- |0 n但是他们的介质损耗都差不多是一样的.厂家直接给出了介质损耗的大小.你给出的中文PDF上面也没有说用ESR来计算介质损耗.
. h# b# b% [$ m/ \  ]
  z  m' L0 c2 h
1 p8 I: g. b! I* |3 L其实最简单的你就拿HZ的电容和MUSE KZ来比较就知道了.KZ的ESR只能说是LJ电容.但是介质损耗是0.07 + y+ i- d% H& Z2 {# J' N
比最低ESR的HZ还要小.
3 Y& ?7 R) a  \9 @$ u/ V# q
/ Q1 c! x& n3 @+ v[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-23 18:01 编辑 ]
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34#
 楼主| 发表于 2007-8-23 18:13 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 17:55 发表 / N2 H- v% y8 v9 i5 d* y- P" r

1 J* i; S# C+ x8 k. p' ]) L  m
" s0 N, |+ g$ I% w$ U: O: Y
7 K+ N8 x$ J/ q7 @) P2 H没有用处的.
( P* v4 j! s' Y' i, \) u" L  y7 D7 M7 P
你这样计算和电容厂家给出的介质损耗是不正确的.
0 f% p$ D% h/ K
1 C* e- r! R) _. e, J4 f1 y$ |0 j, V5 R
不相信你可以随便找一个电容.nichicon 的HD HM HN HZ 四个型号.同样耐压容量的,越往后ESR越小.HZ最低的有8毫欧左右的.
0 g' h: D% d$ O/ K- p3 a& D3 i: I+ k+ b
但是他们的 ...
+ s( Q. f, S% N) g
介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。
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35#
发表于 2007-8-24 06:29 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-23 16:33 发表
3 v  o  i* d9 U' C& _5 |- L  c4 w: {5 y
固体电容高温下寿命并不长。每提高10C 。寿命降三倍。每提高20C 寿命降十倍。
# Y6 B+ ^9 W/ [. icom"q2`! o9 R  T% x$ s3 r' y0 ]3 I
U$K2R

4 n  z3 j8 e- |# v- }$ q  f& e相比下比液体铝电容每提高10C 寿命减少一倍要短。OSCON并不适合于高温度下工作。
+ Q7 W7 c9 ?* ~6 C4 a3 v) D& h" @- x

9 k6 {+ }4 W$ M: u问题是固态跟液态并非在低温下同等寿命,而是在极限温度上寿命相当,只要工作温度离允许极限工作温度有1段距离,固态寿命都会有明显优势,只不过温度越高,优势越小而已。
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36#
发表于 2007-8-24 09:27 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-23 18:13 发表 9 [" x. ?4 T/ g3 }- K) Q

, |4 _, b7 ~" A) Y' @0 L* c% B介质损耗是在120Hz下ESR除以容抗。而标的ESR往往是指在整个频率段内最低的ESR值。

" w# X0 C8 D! r! {) C
0 z: s( v! D- ?3 [4 X
. M0 j0 p1 M( i; f5 w, f9 v7 @7 n0 }' ]1 G( H
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.2 B- _! r8 G1 F5 `% c/ ~! z& i5 A
: i1 D# r0 I" d9 p, {8 I! P; N
KZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.1 _1 M- v% L% {& u* r. X) K

! T7 G5 d2 M* W比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主要是和电容的介质成分有关系的.你看看MKP电容介质损耗一般只有0.0003& ]* j$ [1 V+ |

- A8 g2 l2 ^% e比电解的0.12 左右要小一千倍.但是MKP电容的ESR却并不特别低.% }; ~4 p) G9 t) Z

9 o- [/ B3 @, t[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:29 编辑 ]

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sexypig 该用户已被删除
37#
发表于 2007-8-24 10:07 | 只看该作者
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38#
 楼主| 发表于 2007-8-24 10:42 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 09:27 发表 3 ]" \/ G/ h8 X' F

/ R( T9 |: C0 ]# A
5 f9 h" m( W7 Z3 l# t/ _/ G) x& N/ M  m' b  r+ G  w
! D7 p  L+ v0 J" N* `. r* a2 F
事实就是.ESR 最低的HZ电容.介质损耗却没有KZ低.( g- b* H. N' m9 |/ U2 h2 {
" Y0 ], e; E: I2 G% @2 a5 R
KZ的ESR是特别大的.不争了.你不相信可以随便找不同的ESR的电容来看看损耗是不是会变低.1 q: p+ {  G. J. |  o, V- ^+ u

& W! S& G/ @3 {4 a( U9 s5 K! y+ z1 u, ]比如OSCON. 的介质损耗就比音频电容 SILMIC 大得多.这个主 ...
7 n# I$ ^4 D2 r" b

( R2 T" E2 w+ |估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol: 5 I1 I, c) Y; l' y: P  a) t2 @
介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。
9 R, s' n' o# G! G4 r我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是有公式可以计算得出的。而公式的要素就是ESR和Xc。就像U=IR一样。: e( b# v+ K* @/ H
有可能小日本的介质损耗是指某个化学参数。如果是这样的话,那就更是忽悠的利害了。
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39#
发表于 2007-8-24 11:14 | 只看该作者
原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 10:42 发表 . l9 H$ M7 x8 |) c' n* ?
3 ~7 N% C! K, Q" y$ L, k' H

1 }8 r1 R7 ]3 z4 c# J估计是小日本在忽悠吧。本来拿介质损耗来衡量音质就是一种忽悠的行为。:lol:
( L, {+ U/ ]' d) V介质损耗是在120Hz下的。另外,介质损耗除了和ESR有关外还和容量有关。: Z  T( i3 {& i+ Y* u# d& ]
我所得到的资料都是表示介质损耗是一个电性能参数,是 ...
5 @1 ]. N' j$ Z% L8 M6 x6 ]  g2 c
" _, f8 t5 v  ]) g- e5 N5 ^, x
: [, x" P5 E9 D& H9 A3 j* u
我虽然不喜欢小日本.
  `( s7 V& ?+ O+ D
* ~# j- W- x/ @% a- `' q7 u. r6 |但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
6 E0 N% }5 ~5 x& \& Q' o
2 f  }" ^4 q! g5 \$ d而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那我也就不想说任何东西了.
: N; r  n6 J: P0 H& C- c% ?3 J& o7 B! k  g2 L
我再三说你去看一下.NICHICON MUSE  的三个型号FW FG KZ 基本上就是按介质损耗来划分等级的.同样容量耐压下.KZ损耗最小.) ~9 Y# U' ^: {. o1 H+ _! E, @
5 U) t! j3 Y( z3 |
www.nichicon.com/ U5 z4 J. V- i, `( i

. k/ }9 f# x9 u# x# S# K如果你说小日本的东西不能相信.那    http://www.evox-rifa.com/   可以在这里查BHC RIFA的资料.所有型号都有介质损耗标大小.: s/ N3 B/ l( R9 {5 [

. a! q+ a# @  ~, v1 n3 c+ ?8 N8 j: }# I) ^. }& S) [
如果你老说ESR越小.介质损耗越小.那MKP电容0.1UF的损耗也只有0.0003 如何解释呢.那ESR可能在1欧以上.

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40#
 楼主| 发表于 2007-8-24 12:00 | 只看该作者
原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表
. A% P; E' ^( \, e5 E6 S
; L) N; R- c6 m% \. W8 n% k7 D5 K' @2 O5 K7 f

- h8 n9 E/ I2 N% W8 x: `$ G我虽然不喜欢小日本.
4 Q+ Z6 |8 a; ^% N# {
; y1 l# V  M9 R( e但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.  B4 x5 i4 r, `0 X

. `' d& m+ q; o1 @; {7 n+ z4 s而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...

* M1 r  ~2 K+ Y; k: X/ x" U
; M0 V7 |( q  M5 k4 HDF = R/XC = 2pifCR
# a! ?) E/ J/ ?9 s7 C% l4 }9 o
5 V) C$ {, D  dDF = Dissipation Factor
* m( M0 _  F: g1 `; XR = Equivalent Series Resistance (Ohms)8 I: J5 Z; @% Y
XC = Capacitive Reactance(Ohms)* N! J/ h, z0 i$ N4 u" k
f = Frequency (Hertz)
3 y$ @) ~: i$ W; e( Q% PC = Series Capacitance(Farads)0 b3 l2 N# H$ M' m" d. j
- K. S! W  N& Z
前面已经再三的说过了,DF除了和ESR成正比外,还和容量成正比。那个MKP只有0.1u,如果1000u的话ESR还在1 ohm的话,那它的介质损耗就很高了。* V" b! L/ S% O# U

* _/ E- ^& V0 Q( q9 a2 _: [假设那个MKP电容在120Hz下的电容量为0.1uf,ESR为1 ohm的话; o: g0 f4 |4 {8 v6 d& y
DF = R/XC = 2pifCR=2*3.14*120*0.0000001*1=0.00007536% S8 ]) V) N  C: U, m8 @; |
这个介质损耗还是很低的。
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