音频用的电容到底讲究的那些参数？

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:05

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 11:14 发表 " p: b. g) s1 U2 J; b
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$ Q% q/ {+ R( M1 _3 L" U% {6 ^0 u# P# ~! I3 f* o4 X. C
我虽然不喜欢小日本.8 p, R; _; c R, u# H6 n2 C
7 d1 {- @7 E% Q/ y; r. b% V; k
但是小日本现在电容占据全球90%份额,如果敢在PDF上胡乱标识介质损耗那估计吃官司是少不了的.
1 z$ Z& s' C. c# C; E+ b
' R8 J% q6 E5 }. M5 @' J而且音频电解电容一直把介质损耗最为最重要的参数.你如果说介质损耗不能影响音质那 ...

evox-rifa被kemet收购了，前面那段英文的介质损耗的定义是我从kemet的datasheet上抄的:p

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 12:06

那你计算一下这个ULTRA LOW ESR 电容 HZ的介质损耗

6.3V 1000 UF ?

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:09

本来，用DF@120Hz来衡量音频的性能就是一种忽悠的行为。比较好的做法是标个容量/频率曲线图，和ESR/频率曲线图。那各个频率点上的DF就可以自己算了。

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:13

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:06 发表 ! S, g, x2 _* a
那你计算一下这个ULTRA LOW ESR 电容 HZ的介质损耗
* r H. x w/ [6 S r& _, g. a4 {) t/ C% M, _% X: E
6.3V 1000 UF ?

没标120Hz的ESR

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 12:14

原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 12:09 发表 6 ?/ o, b1 t9 k/ B, @
本来，用DF@120Hz来衡量音频的性能就是一种忽悠的行为。比较好的做法是标个容量/频率曲线图，和ESR/频率曲线图。那各个频率点上的DF就可以自己算了。

估计是你书上东西看多了.

不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.

你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?

哪个的介质损耗低你说说?  如果像你所说,ESR越低的电容损耗越低.要知道ESR是与电容容量成反比的.那我们就不需要专用的音频耦合电容了.

全部用HZ  这类ULTRA LOW ESR的电容吧.或者用OSCON做耦合电容...嘿嘿

[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:21 编辑 ]

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:21

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:06 发表
; L; W( S# t6 b那你计算一下这个ULTRA LOW ESR 电容 HZ的介质损耗2 [4 w$ O7 p8 h. r3 e5 o2 x- z

. P& ~: u# @# k+ ?: a) S6.3V 1000 UF ?

如果那个1000u的在120Hz下的ESR也是14mohm的话，那么DF=6.28*120*0.001*0.014=0.0105504

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:23

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:14 发表
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估计是你书上东西看多了.: p4 u3 Z# P& A* [
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不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.
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$ w3 @/ `9 _. ]8 ]6 n你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?; w' ]2 u3 W8 L$ Q. k3 j! V+ c, [

& z- P  Z( M6 }; [哪个的介质损耗低你说说?  如果像 ...

那你说说介质损耗是个什么神秘东东呢:p
我指的是科学性的定义。

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:30

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:14 发表 - o2 S$ O  T0 c& M  Q

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估计是你书上东西看多了.1 S, H& F, V$ ?* @

! y" |( v" k" Z# S7 G3 z7 c/ k+ R0 b不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.' [( N4 H' G1 E' @1 p' v0 J
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你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?4 j* m- S, `- I! L0 G
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哪个的介质损耗低你说说?  如果像 ...

其实应该这么说ESR一般是容量越大而ESR越低，所以，拿小电容的ESR和大电容的ESR去比是不公平的。从这个角度说，DF是有它的公平性的。但因为DF是在120Hz测量的，所以，对音频20Hz-20KHz来讲是肯定不合理的，所以，要有个ESR的曲线来表示频率特性的平直。

zifzhu · 发表于 2007-8-24 12:36

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 12:14 发表
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估计是你书上东西看多了.( O' F0 H; Y4 [- O& U+ n9 g+ l
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不同介质电容的损耗是完全不一样的.和等效串联电阻谈不上决对性的关系.
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你自已估计一下MKP 0.1UF的ESR是多少?  OSCON 100UF的ESR是多少?! F% P) ~$ ^/ v& C( t- k. b+ g

  _; w9 z0 u: g( f4 M6 {* T+ a% o哪个的介质损耗低你说说?  如果像 ...

介质损耗来自于英文的disspation factor。估计你是受到“介质”那两个字的误导了。
实际上，dissipation factor直译过来应该是耗散因数。和什么“介质”没什么关系。

当初不知道是谁把dissipation factor给翻译成介质损耗的？误人子弟啊:wacko:

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 13:06

原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 12:30 发表 , n0 _$ N2 |2 N/ x. }9 C1 ~- v

& W% K( o( L t3 u! c其实应该这么说ESR一般是容量越大而ESR越低，所以，拿小电容的ESR和大电容的ESR去比是不公平的。从这个角度说，DF是有它的公平性的。但因为DF是在120Hz测量的，所以，对音频20Hz-20KHz来讲是肯定不合理的，所 ...

有什么不公平.你的意思就是ESR越小损耗越小/

那意思就是电解电容损耗比MKP小,OSCON的损耗最小了? 这个介质损耗也可以叫损耗角因素,随便如何都是指一个东西.

有空自已去 www.wima.com
随便找一些MKP电容和OSCON比较一下,看看哪个ESR低哪个损耗角低..

如果你找得出任何一只OSCON 损耗在0.003以下的,就来说声.要不然就不用再继续下去了.
或者KEM 的钽电容.任何找一只损耗角比WIMA MKP10 还低的出来看看

http://www.wima.com/EN/mkp10.htm

[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:15 编辑 ]

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 13:18

德国老应该不会忽悠人吧.

不知道你有没注意.MKP10
在1K HZ 频率下面.所有容量的介质损耗都是3*10-4次方.换句话说和容量无关.

容量与ESR是成正比的.

zifzhu · 发表于 2007-8-24 13:24

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:18 发表 & T( f) D" A; ]' _0 z% z
德国老应该不会忽悠人吧.
) k3 w& `2 m% U' ~" r; P
+ B, N+ n( O+ Q& k& R7 C不知道你有没注意.MKP10
0 d0 _% K' @2 \; g; A9 M在1K HZ 频率下面.所有容量的介质损耗都是3*10-4次方.换句话说和容量无关.& I4 v- o; L0 p% j

; o4 D$ r6 ~: [: h0 ^4 @9 L7 ~; O容量与ESR是成正比的.

容量是和ESR成反比的。
这就可以解释容量大和容量小为什么DF是一样的。

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 13:27

原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 13:24 发表 1 c& n7 Y+ j" X) D
1 t! `, f" K( S# x& a
容量是和ESR成反比的。+ E- \/ t8 l8 |6 j- v. m% A' U6 K
这就可以解释容量大和容量小为什么DF是一样的。

嗯对头.是反比.

那你能解释NICHICON WIMA给出的TAN& 为什么没有一个给出容量或者ESR的计算?

WIMA电容上面明确标注不同容量下,在同一个频率下.损耗角是一样的.你那种损耗角计算的方式很早以前就用网上的小工具可以计算这种东西了.

可是我从来没当真.现在电容的技术不断发展.还是看官方给出数据比较实在.

[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:28 编辑 ]

zifzhu · 发表于 2007-8-24 13:27

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:06 发表 * W- F9 z6 b0 @( y
" f8 }3 w# j$ {

4 ^' r  p  ]8 r7 |有什么不公平.你的意思就是ESR越小损耗越小/
9 y/ ^3 L  l+ Z3 i4 W# _: [" _
+ }/ r8 g: K. u0 j: L9 {' i' l( [那意思就是电解电容损耗比MKP小,OSCON的损耗最小了? 这个介质损耗也可以叫损耗角因素,随便如何都是指一个东西.* v+ h6 W7 F8 K% J" i: e* l- `
3 k# ?. y& K; x2 O5 @" H
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有空自已去  www.wima.com
' B$ L$ t1 b2 T, s$ l随便找一些M ...

小电容的损耗小，大电容的损耗大。这没有什么办法。
但我们设计电路的时候往往是确定要用多大容量之后，再去找适合的电容。这时候，看ESR和容量的频率曲线就比较客观了。

DF使得小电容和大电容之间也可以公平的对比，这是有它的意义的。但DF@120Hz的话对音频来讲就纯粹是忽悠了。

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 13:29

原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 13:27 发表
! D& b/ ]9 R! P6 ], A0 w5 e; P$ _% m7 S( q& z3 l6 ] k
小电容的损耗小，大电容的损耗大。这没有什么办法。
; E0 Q, X* n0 f4 g% {# M但我们设计电路的时候往往是确定要用多大容量之后，再去找适合的电容。这时候，看ESR和容量的频率曲线就比较客观了。
7 j8 {: a" i' r: q' j9 h/ W% q; a* ? O8 |" W3 r s; @+ o* t
DF使得小电容和大电容之间也可以 ...

音频电容耦合工作频率当然不是固定120HZ.

但是我们可以从120 HZ的指标推断出不同型号电容损耗的好坏.

zifzhu · 发表于 2007-8-24 13:31

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:27 发表 + w* T4 P  |" u) J
& \% k& e' ^; y9 A* |" h9 D

  I" Z: `; z& A: j& W' t- _8 L& b9 i8 Q
嗯对头.是反比.
# \" y& q$ ^( V' n/ X  }
1 n! B2 [: _2 _; w0 z那你能解释NICHICON WIMA给出的TAN& 为什么没有一个给出容量或者ESR的计算?
  Z  j- N" q" v/ W4 Y- j% `' {* ?2 g6 b
$ _* B$ c, ~3 g0 O& _% o9 l
WIMA电容上面明确标注不同容量下,在同一个频率下.损耗角是一样的.你那种损耗角计算的方式很早以前就用 ...

偶相信kemet。kemet的datasheet上不但给了计算公式，还给了频率曲线。个人感觉比较光明正大，不忽悠人。

zifzhu · 发表于 2007-8-24 13:35

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:29 发表
9 d5 K6 d* e$ [3 K0 [' P5 G) s0 J# d3 {2 n: D W
8 Q5 y4 t( ~* ~# m: E
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音频电容耦合工作频率当然不是固定120HZ.$ @" h0 c3 j5 V1 G& @3 r! E

* [0 s$ ^; `1 E2 M但是我们可以从120 HZ的指标推断出不同型号电容损耗的好坏.

推断不出来的。铝电解在1k以上各项指标就急剧变差。所以只能拿120Hz来骗骗人。

ljm_ljm · 发表于 2007-8-24 13:50

原帖由 zifzhu 于 2007-8-24 13:35 发表
2 b1 Z" T3 F9 t# {* ^! u5 w# l% g8 H9 W/ ^: G
推断不出来的。铝电解在1k以上各项指标就急剧变差。所以只能拿120Hz来骗骗人。

这点我又很不同意了.

铝电解电容在1K 上参数会比120HZ要高很多.

看看这个NICHICON PM的电容的IRAC线条.在120HZ 下参数比例1 在11K 下比例为1.4 在110K 下面IRAC参数为1.6比例

IRAC和ESR是直接关系的.ESR越小,IRAC越大.

在高频下ESR 会比120HZ更低.:wacko:

zifzhu · 发表于 2007-8-24 13:59

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:50 发表
! z. a+ M9 m! C( n5 L! k1 o- g2 i) R+ F' W  A* V
9 l: e4 f8 A; N  b6 v" u' |6 Y' Z

9 O, G* `' v7 p# {7 v5 W$ L# T这点我又很不同意了.
" _' ^% P6 m* s
$ L5 D3 L  x4 Q铝电解电容在1K 上参数会比120HZ要高很多.
3 B0 m: W- b% P: [8 w; r
0 ?& Z( z6 F( g+ T看看这个NICHICON  PM的电容的IRAC线条.在120HZ 下参数比例1  在11K 下比例为1.4 在110K 下面IRAC参数为1.6比例
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; b& N1 m* C# S  P. oIRAC和ESR是直 ...

那个frequency coefficient到底是什么频率系数啊？感觉有鬼，为什么不直接标个频率出来。

所以，我说的没错。小日本就喜欢忽悠人。

zifzhu · 发表于 2007-8-24 14:06

原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 13:50 发表 1 f% _6 g' v7 ]4 c& f

# a" c% v) r! Y( L% ^6 Z! N5 z- [9 ^0 S

+ Y* Z4 k$ N+ ]3 u3 \3 R8 D这点我又很不同意了.0 z' V' K* g: f6 b
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铝电解电容在1K 上参数会比120HZ要高很多.
' J) k! O$ C* p8 W0 |
, V0 Z3 o! i9 \; A' s; e3 P7 s看看这个NICHICON  PM的电容的IRAC线条.在120HZ 下参数比例1  在11K 下比例为1.4 在110K 下面IRAC参数为1.6比例5 |5 R$ Q! i( K1 t3 m5 d8 Z

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