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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 % A8 W' _0 E- {) K( K
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

. \. g% N1 V# a2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 ' m1 N7 N5 T8 ]/ H9 y* @( B
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 % d3 [4 P- d2 A6 Z1 C
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

$ k$ p; D$ T: [& R* Z' p
8 \! C6 U' D6 L这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
/ k/ R4 Q9 M" J- }, S: U- gMOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。
7 `' ]) O7 e' K' K" F6 M7 p因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
6 ?# v# _4 S. J: Z1 j$ u再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
, {) X& J( J! x/ a( ]5 V7 c+ w2 M" @& E; {, I
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了0 l/ A2 t  d8 Q( z$ A6 y' }. {* m
可以省掉?
( U3 m* h9 t5 X1 }如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
4 \. d+ O/ d- X( z: E4 Z7 R* i5 j9 ~+ b, c
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
; L, `7 x+ X  V5 M内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
1 w- S4 x, {* r4 j- k) B8 m/ {7 G& H0 Q6 q! l
btw,这个讨论了也没意义哦8 m+ ~3 y; _9 W3 m: {( z
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
" u" ]  O1 V5 r1 f6 g, d1 Q# B* v6 m- V4 J
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
3 i! E6 O$ v/ m' W5 h! I  q$ ]+ w* F1 V' B
受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
/ T# Q! a( j$ K9 R5 L( J5 Z" u其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
& C; L7 q% [5 U- l, o这个不开datasheet大会没有意义的吧
  ?: x$ k2 x6 q' \/ ]% H/ c; q
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
0 h. `) s7 L* }3 F; Y9 [, m: z) h
2 z7 b2 w. t- R/ C/ A3 O  h% ?btw,这个讨论了也没意义哦
3 P. T! ~1 o, A1 |3 V像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 ; Q2 `+ _) G' w" V& z- T8 [3 {0 c
& }9 d+ n8 u- _4 K
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
# B5 t3 z7 ?# @$ w: G  b: _; m! ^9 N4 i7 Z' n4 K# e9 d
当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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