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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 0 ?% i. b1 i3 P. P% D- n3 j; ]
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

( E" X0 L! A: n) `& j2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表 ' f1 @4 q$ H4 M: ?3 Z
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 + Z% G4 }! `4 `& w7 S: ^1 J+ n
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?

: l5 g9 x4 ?$ g$ k) {' ]
& i5 i% Z4 e# O这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
  M) ?0 a% I! _. A9 H. aMOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。* I7 r- _& @$ o" g7 o
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案( `& b( F9 a  _3 p3 H
再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。$ W2 o1 h; V3 G! Z! m8 x8 w( u( Z

" D! ~$ J# U: Q# P7 w+ V至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
, a% F. J, j8 T, h% O' W可以省掉?. B4 U3 V% N! E  O6 u* Q6 ]
如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。
' c' c1 D! V2 k* w- k. ~: ]/ C6 r* [) M8 Y
[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧
: p, n; o" f* L3 v) V内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
* W/ R$ d: b( c0 k5 X# n3 J% C! Y6 M3 C3 ^5 N: i
btw,这个讨论了也没意义哦! m, C! M; }1 i  Z: M- _0 X
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
- ]& X# ?5 q: ^. X, O" q0 A
0 U5 |1 i4 V! t" G; n[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
" X$ v3 s% b2 [' H
' F& y+ V% O' d/ m4 b) Q; |受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。- p6 q- Z2 q; T7 c% D' M
其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表
) e5 G9 s) Y( P# C" Z( n- C8 Y这个不开datasheet大会没有意义的吧
. Y8 K# @! B1 q( C
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
9 n) Z- P/ L9 h3 {8 k+ q& v8 L' ~: ~: E
btw,这个讨论了也没意义哦5 L  Z1 C( a6 }" Z2 i
像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表 . v. x8 ^# Q) H8 `3 L3 Y- D0 p4 E
; Q3 x) f( l6 h, l8 U4 k2 u- N% G; q
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。
9 c/ I' c$ k( ?" y0 W
& @. V3 w5 j" K5 u当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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