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四相电每相2个mos管和三相电每相3个哪个好些?

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1#
发表于 2007-11-30 21:10 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
发表于 2007-12-1 15:44 | 只看该作者
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
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3#
发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 $ e1 Q9 s/ Y  x; C/ R( s4 s3 @
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
( Z$ f8 g% i* W, O
2进1出
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4#
 楼主| 发表于 2007-12-1 17:02 | 只看该作者
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5#
发表于 2007-12-1 21:18 | 只看该作者
最好是六相,每相四个:lol:
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6#
发表于 2007-12-3 08:23 | 只看该作者
好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
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7#
发表于 2007-12-3 12:21 | 只看该作者
看图是一进二出,理论上四相好点,mos管不但要看数量还要看内阻。
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8#
发表于 2007-12-3 13:22 | 只看该作者
每相3个好些:rolleyes:
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9#
发表于 2007-12-3 14:04 | 只看该作者
原帖由 李冰玉 于 2007-12-3 08:23 发表
' z2 Q0 @( A! B9 l; d5 D  o. A9 Z好像  三个中有两个是场效应管,一个是快恢复二极管,快恢复二极管是用来保护场效应管的
:sweatingbullets: 那个肖特基二极管已经集成进MOSFET里面了吧。。。
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10#
发表于 2007-12-3 16:22 | 只看该作者
原帖由 yxmmxy 于 2007-12-1 15:44 发表 3 v( d. T3 d3 g, @  Y
每相三个??我学过点电子知识,三个管子怎么整流?
% r9 k0 z! `5 Z- }
0 `: S$ S% M# d3 j
这里不是二极管整流,是DC-DC变换,Buck Converter电路
: U' G% Y$ v6 J! L8 I% l0 XMOSFET分为上桥(UGATE)和下桥(LGATE),一个周期内轮流导通给负载提供电流并调整负载电压。- V) f. ]% x( v6 y% }) N
因为下桥导通时间长、发热集中,所以并联两个管子有利于分散发热降低内阻提高导通能力,是目前最常见的单相方案
& w1 z& `. e! `6 ^4 D再把上桥也做成两个并联,就是每相四个MOSFET的增强方案了。
; [5 u% V0 I5 M, Z9 B' V& N: D  P1 l! e2 J; K) f  U
至于肖特基二极管,也许现在的电路已经够快或者MOS管的体二极管都是高速的了
! a# W, G( w, F: z) X可以省掉?
- Z% G, ^0 i0 ^8 u1 f/ K2 O! h如果不能省掉,那么它是并联在LGATE上续流的,外观和MOSFET很不一样。9 ]! T5 u$ s% c5 F! C( {0 f

$ q  u! Q5 Z4 M  w8 G[ 本帖最后由 Travis 于 2007-12-3 16:35 编辑 ]
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11#
发表于 2007-12-3 18:35 | 只看该作者
太高了,不懂,学习。
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12#
 楼主| 发表于 2007-12-3 19:51 | 只看该作者
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13#
发表于 2007-12-3 20:03 | 只看该作者
相数越多,心里越踏实。。。曾经被两相折磨过的人。。。
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14#
发表于 2007-12-3 20:34 | 只看该作者
这个不开datasheet大会没有意义的吧* ~; A' u+ {" ?. M
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:
6 L8 P; z+ I7 H2 k5 V" O
) u7 b" i  Z4 lbtw,这个讨论了也没意义哦
2 Z+ y$ X7 ^. W9 m  i* n像msi那种玩法的4相,不是一点点弱6 e) [+ n" x/ e" x8 x
6 s% y# Q( T: t, [
[ 本帖最后由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:40 编辑 ]
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15#
发表于 2007-12-3 20:42 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-3 19:51 发表
( g4 a  G" d3 ~+ e, N) n* [% n/ O, c9 Q* h3 i) o
受教了,2个管子是上桥2个,4个是上下桥各2个,那3个是上桥2个下桥1个吗?是不是可以理解为4相每相两个好些?
通常来说续流的下桥过电流比较大,因此3个MOSFET的设计是1U+2L的设计。
% X. I1 ]7 R, {0 N其实05年以后的MOSFET过电流都很大(特别是一线的电源厂产品),只要保证散热允许来那么70A、80A都不成问题,因此我觉得3相以上的设计并不是太实用,就波纹来说差别并不是太大。2L的设计一方面是并联MOSFET减小内阻,另外分担电流降低发热,因为PC主板上的MOSFET散热条件都不是太好。
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16#
发表于 2007-12-3 20:47 | 只看该作者
原帖由 skywalker_hao 于 2007-12-3 20:34 发表 5 o) B. s, v6 D9 J
这个不开datasheet大会没有意义的吧
' ]5 u7 n( E0 Z# g
内阻和开关速度统统贴出来哦:shifty:* t8 J4 x# q$ U- F" L+ \1 k$ m
. m8 v2 C/ H3 W( s4 L; q
btw,这个讨论了也没意义哦
9 I7 M) j2 |; |/ X# p像msi那种玩法的4相,不是一点点弱
嗯,不同的元件性能差别很大。所以我通常比较反感那种没事就拿“几相供电”来炒作的产品。如果一张主板上了IR、飞兆、NXP的元件,另外一张用的只是一些台湾二线厂的东西,那还有什么比的,几相又怎么样?
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17#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:04 | 只看该作者
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18#
 楼主| 发表于 2007-12-4 01:09 | 只看该作者
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19#
发表于 2007-12-4 01:25 | 只看该作者
要看用什么型号的管子
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20#
发表于 2007-12-4 03:05 | 只看该作者
原帖由 distance 于 2007-12-4 01:09 发表
9 o+ X/ r* ^+ g2 V4 r0 s2 O4 c4 m' p2 t' N& k
那么两个MOSFET是一上一下还是两个都是下?既然下桥过流大。
两颗MOSFET当然是一上一下,要不怎么够成PWM开关呢?补充一下Travis,PC上常用的PWM开关供电简单说就是一个周期上桥内对电感充电,再通过导通下桥控制电感放电的占用周期来调节输出电压。/ D! D! T. ^0 T; P% v

, k, z* ~# l- H, I6 w当然较早期的产品电流都在10A以下,损耗要求不是太高的地方也并不都是用MOSFET来完成开关,也有一颗MOSFET配一颗二极管作为一相供电的。
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