【转贴】AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？

碎梦刀

AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？
ZDNet服务器频道时间：2010-08-16作者： | ZDNet编译
本文关键词：22nm GLOBALFOUNDRIES Intel AMD

当AMD在去年出售位于纽约北部的制造工厂GLOBALFOUNDRIES时，AMD宣称此举是为了“缩小与Intel的差距”。AMD制造系统技术副总裁Tom Sonderman表示：“我们在45nm技术上与Intel相差一年，这一差距将在32nm技术上大幅缩小。到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱。”

但是一年之后，似乎这个差距变得越来越大了。Intel在今年一月推出了首款32nm“Westmere”至强处理器，而GLOBALFOUNDRIES则表示他们计划在明年年中交付32nm芯片。“32nm SOI制程符合AMD的要求，而且目前AMD是我们采用该制程工艺的唯一客户。我们已经开始了初期生产，并公开承诺他们已经给付了样品，计划（在2011年上半年）交付产品。”

目前该公司还在开发28nm制程工艺——比32nm前进了“半个节点”——并且计划在明年交付芯片。该公司新闻发言人表示：“在28nm制程——主要针对高性能和低功耗设备——方面，我们将今年年底制造出产品，并从2011年开始量产。产品上市的时间要取决于客户，不过你可能会在2011年上半年会看到。”

据UBM Techinsights高级分析师Carl Wintgens，AMD与Intel的差距不断扩大部分原因是由于两家厂商的竞争不仅在于缩小的制程工艺上，而且还在于高K-金属栅极的进程上（高K-金属栅极技术取代了沿用了40年之久的二氧化硅材料）。

Wintgens表示：“到目前为止还没有其他制造商公布他们的32nm技术，只有Intel。因为，大多数制造商将在32nm方面首次引入高K-金属栅极技术。这是非常复杂的，可能会成为推迟的原因。”

Intel早在32nm之前的45nm工艺上就首次采用了高K-金属栅极技术。

而且，Intel的竞争对手在高K-金属栅极技术上采取了不同的策略。Intel使用的是Gate-last工艺，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极。而GLOBALFOUNDRIES与其他“IBM晶圆俱乐部”的成员采用的是传统Gate-first工艺。Wintgens表示，随着高K-金属栅极技术的采用，Gate-first工艺可能会出现一些问题。

“当你对硅片进行漏/源区离子注入操作的时候，你必须使用高温流程，如果栅极是金属的，那么栅极的电性会受到该流程的影响。这就是为什么最好是在漏/源区之后做金属栈极。这会在流程中引入一些复杂性，但是最终会形成一个更可靠的流程。”

根据报告显示，三星正在探索一种Gate-last工艺以迁移到22nm，考虑到Gate-first工艺只适合于一个制造“节点”——例如32nm。

GLOBALFOUNDRIES将可能成为第一个完成32nm first工艺工艺的制造商，但实际芯片的问世可能要推迟到明年年中——尽管台积电可能会赶在前面。台积电采用的是Intel Gate-last工艺。

Wintgens表示，GLOBALFOUNDRIES的28nm制程仅仅是为了证明双方差距并没有扩大的一个假象。他说：“他们想说‘我们不希望在与Intel对比的时候显得太糟糕，因此我们将推出28nm。’28nm并不是一个真正的工艺点，而是一个中节点或者办节点。”

他甚至质疑AMD的32nm工艺是否会推向市场。GLOBALFOUNDRIES并没有谈论关于从20nm到22nm的详细计划，但是该厂商表示将于今年9月在硅谷展开的一次会事上透露相关信息。

PRAM

不是AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大，而是其他厂商与Intel的制程工艺差距正在扩大

PRAM

Looking further into the future, Glasgow, along with Intel and IMEC, is involved the Terascale Reliable Adaptive Memory Systems (TRAMS) project, to determine what might happen beyond the 15nm node. "There is no doubt that Intel will go to 15nm, but it recognises that, while variability problems are large at 22nm, beyond that they become severe," said Prof Asenov.

openlock

到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱
当时我就不相信

PRAM

到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱
当时我就不相信
openlock 发表于 2010-8-17 10:22

除去SOI的HP工艺，IBM的BULK HP不如TSMC的HP

zcwinner

的确如此~！

PRAM

IBM**烘烘烘,希望0.13um跌一跤拖惨U的故事不要重演,不然不知道拖多少人下水,边走边看吧.

PRAM

Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate-first工艺，这种工艺的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极。
由于退火工步需要进行数千度的高温处理，而Gate-last工艺则可令金属栅极避开高温退火工步，因此相比Gate-first工艺而言，前者对用于制作金属栅极的金属材料要求更低，不过相应的工艺技术也更复杂，Intel便是Gate-last工艺的坚定支持者，而IBM/AMD则将采用Gate-first工艺制作32nm制程金属栅极。intel 的gate last 的工艺，虽然复杂了点，但是我想当初开发的时候，不可能没有想到，从三明治的角度来比喻，intel的gate因为侧面也保护起来，似乎更加能够防止漏电。
而且从图片来看，intel到从45nm开始，gate 做的越来越工整。就我个人的认知，Gate last整合比较方便，而且Vt失谐也有保证,Metal Gate避开了高温process,量产整体稳定性也是有保证的,唯一的问题还是在于成本.
  就Metal gate fill in而言,Intel用的是Al,大可以换成W, gap fill能力基本没大问题而且WCVD/WCMP是很成熟的process了,大不了阻值比Intel Al高一些,但是比IBM的metal/poly/NiSi低是肯定的
      所以目前而言,Foundry端,T跟U选的都是Gate last,最主要的考量还是稳定性,C跟S没什么好说的,给IBM上贡自然是Gate first.
      其实最重要的一点,Gate last Intel已经当过小白鼠了,至少证明是可以大规模量产的, T跟U选择gate last,不无这方面的考虑.

Rastax

应该说是英特尔正在拉大和其他厂商的差距.

xidor

intel只设计芯片吧?工艺上又不是intel的机器.貌似是富士的.AMD和intel就是一家.美国讲究的就是团体.

我们从另一种角度思考下,如果AMD和intel不相上下,对谁最有好处?目前的状况消费者就是最吃亏的!

foxroz2003

intel只设计芯片吧?工艺上又不是intel的机器.貌似是富士的.AMD和intel就是一家.美国讲究的就是团体.

我们 ...
xidor 发表于 2010-8-17 18:38

对你表示无语。。。。。。

asdfjkl

intel只设计芯片吧?工艺上又不是intel的机器.貌似是富士的.AMD和intel就是一家.美国讲究的就是团体.

我们 ...
xidor 发表于 2010-8-17 18:38

不是你吃亏了，所以其他厂商和Intel就没有差距了。
技术问题，特别是硬件；远比软件难超越。

asdfjkl

对你表示无语。。。。。。
foxroz2003 发表于 2010-8-17 19:46

没一句对的，光刻机是尼康，ASML提供的。

PRAM

光刻机  intel 45 NIKON ?% ASML?%   32  NIKON 100%  22  NIKON 50% ASML 50%                     AMD(GF) 45/32    ASML   TSMC  45/32  ASML

xidor

光刻机  intel 45 NIKON ?% ASML?%   32  NIKON 100%  22  NIKON 50% ASML 50%                     AMD(GF ...
PRAM 发表于 2010-8-17 20:22

    intel基本都是用日本的光刻,以前还有个文章调侃说,尼康不是哥做不出U,是哥不想做.光刻精度我认为美国还没日本**!

PRAM

intel基本都是用日本的光刻,以前还有个文章调侃说,尼康不是哥做不出U,是哥不想做.光刻精度我认为 ...
xidor 发表于 2010-8-18 10:28

我们 使用的 液晶面板 也是在wafer 上 用光刻机 曝出来的 像素 点 。 只是 因为点比较大 所以 工艺比较简单 。
在这个领域 canon 占主导 asml一直没有介入。

其实我们已清楚地看到了 ，canon已经推出半导体 litho  的领域了

nikon, 说实话 从技术和投入上 都远不及 asml特别是到EUV的时代恐怕大家 都没有别的选择了。

PRAM

Canon退出了， Nikon不行了， asml独大了
现在asml的 nxt 已经慢慢的开始在全球出货了。
几个大的memory厂都开始购买了(包括国内的海力士也有计划。
也已经慢慢的要开始退出了。

TWINSCAN NXT:1950i

     Lens                                Field Size                       Overlay                                                  Throughput
K1 R, HNA Resolution                              X Y                 16-point Alignment                   300 mm Wafers 30 mJ/cm2 (125 shots)

I0.85-1.35 < 38 nm                      26 X 33 mm                < 2.5 nm*                                                      > 175 wph

PRAM

intel基本都是用日本的光刻,以前还有个文章调侃说,尼康不是哥做不出U,是哥不想做.光刻精度我认为 ...
xidor 发表于 2010-8-18 10:28

Nikon 就靠intel帮它撑着了
呵呵 你知道为什么intel 撑着他？
因为intel不想asml 一家独大。
不过听说asml 拿到 intel 的大单了。看来intel 也没有办法。不选asml 不行。

PRAM

据Jagadish Iyer透露，Intel的22nm制程芯片在光刻过程==有45个光刻层需要处理，其中有55%的光刻层都需要用到沉浸式光刻技术。另外其中40%是属于前段工步（FEOL：主要在硅片上制作MOSFET等电路元件的工步），而60%则属于后段工步（BEOL：主要在芯片上制作配线，封装的工步）。
他还表示ASML公司的NXT:1950i光刻机据称会被用在这些光刻处理过程中的前端工步，而尼康的S620D机型则将用于后端工步的光刻。“尽管在未来2-3个月内，情况有可能会发生一些变化，但那时我们仍然认为Intel会在Overlay参数要求较高（<3nm）的前段工步使用ASML公司的光刻机产品。”
据报道，ASML公司会向Intel公司供货18台NXT光刻机；而尼康公司则将向Intel公司供货25台S620D光刻机。nikon声称S620D,是该公司10年以来,最有竞争力的产品.
按照nikon的说法,未来几个月相当关键,如果拿不到足够的订单,那么未来ArF immersion领域就会基本被ASML垄断了.
他们还说,那样的话,asml还会继续提高价格.