TSMC：28nm HPL(HKMG)功耗为28nm LP(SiON)的80%

acqwer

Tablet Power Consumption (including Display)
	iPad 2,4	iPad 2	iPad (3rd generation)
Homescreen	2.7 W	2.9 W	6.1 W
Sunspider	3.4 W	4.3 W	7.6 W
Moonbat (20 x 4)	3.9 W	5.0 W	8.3 W
GLBench Egypt (native res)	3.8 W	4.5 W	9.6 W
GLBench Egypt (offscreen 720p)	4.1 W	4.8 W	10.0 W
Infinity Blade 2	4.3 W	5.1 W	10.3 W
Riptide GP	3.9 W	4.7 W	10.2 W
Video Playback (720p HP)	2.2 W	2.4 W	4.9 W

跑游戏的时候，平台功耗比跑JS的时候高的多，CPU重负载下，IPad2功耗差是2.1，GPU翻倍的IPad3功耗差是2.2

GPU功耗跟着CPU功耗走，要有多2B才想出这个理论的？

wuhao911

raini 发表于 2012-12-30 12:03
这几个e文单词对于狗B神太难了

嗯嗯，说起来当时扯a9的时候，t神发现了一个英文评测，如获至宝似的拿过来显摆，结果人家的评测里面的东西跟t神自己脑内yy的完全两回事，这厮转英文从来不看内容，因为丫根本看不懂，就这sb还敢吹自己雅思呢。

wwq1233

话说这个论坛有人知道HKMG指的是什么
SION又是什么东西么
还有为什么到了32~28nm 放弃用SION的gate 而用上了metal gate么
GF 28nm 弄的不好。你们知道他们用的是 metal gate 还是SION的gate么？

raini

wwq1233 发表于 2013-1-3 22:13
话说这个论坛有人知道HKMG指的是什么
SION又是什么东西么
还有为什么到了32~28nm 放弃用SION的gate 而用上 ...

我打赌，狗B神一定不知道，但他嘴上绝对不会承认

itany

wwq1233 发表于 2013-1-3 22:13
话说这个论坛有人知道HKMG指的是什么
SION又是什么东西么
还有为什么到了32~28nm 放弃用SION的gate 而用上 ...

我来稍微解释一下吧，抛砖引玉



这个是一个简单的图
简单的来讲，晶体管就相当于一个可控的开关，由源极、门极、漏极组成
SOI指的是在晶体管和硅衬底之间加一个绝缘层，使得晶体管向衬底泄漏的电流减小
而HKMG指的是两个技术，HK指的是在源漏极和门极之间用高介电常数的物质，而MG指的是门极本身用金属制造。这样可以减少晶体管本身的寄生电容，减少电路的动态功耗，并能加快晶体管的开关速度

所以说这两个东西是不同位置的，可以共存

wwq1233

itany 发表于 2013-1-3 23:43
我来稍微解释一下吧，抛砖引玉

我写的是SION 不是SOI吧~
metal gate 对于TSMC来说。也是到了28nm 才开始用的东西吧
那之前用什么来长 gate 你应该知道的吧？

kinno

Tempestglen 发表于 2012-12-29 18:18
你们这帮人，还是等不及nexus 10的review？在这里yy半天，最后还不是受anandtech的最终裁决？

鞭尸