据推算，东芝19nm的擦写寿命只有2000P/E

cocker · 发表于 2013-6-25 11:53

本帖最后由 cocker 于 2013-6-29 10:29 编辑

众所周知，24nm、25nm级别的普通闪存颗粒具有3000~5000P/E的官标擦写寿命，这个可以从很多SSD的SMART信息中直接观察到，例如镁光M4的AD值达到3000后官标寿命就到头。
那么19nm的东芝普通闪存颗粒又有多少擦写寿命呢？很多测评说是能接近3000P/E，但是东芝官方却一直遮遮掩掩地没敢标明有多少P/E，今天我从金士顿官网SSD数据声明中推算出19nm的东芝颗粒实际只有2000P/E

我们先来看看金士顿V+200这个型号的SSD，这是使用sandforce 2281主控 + intel 25nm异步颗粒的SSD，有测评说这是3000P/E的颗粒:http://www.pcpop.com/doc/0/829/829186_all.shtml
金士顿官方对其保证的写入寿命是这样的：
http://www.kingston.com/datasheets/SVP200S3_us.pdf

Total Bytes Written (TBW)
  60GB: 48TB
  90GB: 72TB
  120GB: 96TB
  240GB: 192TB
  480GB: 384TB

Total Bytes Written (TBW) refers to how much total data can be written to an SSD for a given workload before the
drive reaches its endurance limits.

也就是说官方用了很保守的算法来计算这块盘的寿命，算下来只有48TB/60GB=800P/E

现在我们再来看看相同主控不同颗粒的金士顿V300的官方数据，V300采用的是sandforce 2281 + 东芝19nm的颗粒：
相同网站的拆解：http://www.pcpop.com/doc/0/904/904737_all.shtml
"业内"人士解释其闪存颗粒是东芝原厂的正品Good die颗粒，金士顿只是拿来封装而已，也就是说颗粒和M5S M5Pro上用的颗粒相同：
http://bbs.pceva.com.cn/thread-74993-1-1.html

那么金士顿官方对这块盘的数据描述是怎样的呢？
http://www.kingston.com/datasheets/SV300S3_us.pdf
官方的数据标明：
Total Bytes Written (TBW)
  60GB: 32TB
  120GB: 64TB
  240GB: 128TB

现在大家看出什么来了么？

使用了相同主控不同颗粒的SSD寿命减少了整整33.3%，以60GB型号的盘为例，使用3000P/E的25nm异步颗粒时的写入寿命为48TB，到了19nm的东芝颗粒就只有32TB写入寿命了，那么我们是不是可以推算出19nm的东芝颗粒只有2000P/E呢（3000P/E * 32TB/48TB = 2000P/E呢？）

既然寿命缩水了33.3%，那么现在市面上19nm的SSD是不是价格也应该比25nm的低20%才不坑爹呢？

Travis · 发表于 2013-6-25 12:43

金士顿怎么标和东芝颗粒实际什么品质没关系，而且金士顿自己买了die回去封的颗粒和其它厂家用的颗粒也不能划等号。其实楼主就是想借金士顿的刀杀浦科特。

cocker · 发表于 2013-6-25 12:50

Travis 发表于 2013-6-25 12:43
金士顿怎么标和东芝颗粒实际什么品质没关系，而且金士顿自己买了die回去封的颗粒和其它厂家用的颗粒也不能划 ...

我说的不是事实么？
金士顿自己买了die用在自家的SSD上会用很差的die么？
东芝官方敢标明19nm的PE么？ intel、镁光三星就敢，而且直接标在SSD的SMART信息中。金士顿也敢，于是就真实地标了个2000PE...

最后我是用数据来说明问题，有理有据，你要反驳我请拿出官方数据，而不是在这里给别人扣帽子.

tcgg1983 · 发表于 2013-6-25 12:54

除了测试 SSD 大多是挂在固件上而非PE上你要3年内用挂也行啊反正换新的

superrasei · 发表于 2013-6-25 13:02

哈哈反正我暂时不会玩固态

cocker · 发表于 2013-6-25 13:12

superrasei 发表于 2013-6-25 13:02
哈哈反正我暂时不会玩固态

我放在服务器上玩，所以比较关心这个，缩水33.3%，性能提高很少，价格却没下来，太难让人接受了...

superrasei · 发表于 2013-6-25 14:54

cocker 发表于 2013-6-25 13:12
我放在服务器上玩，所以比较关心这个，缩水33.3%，性能提高很少，价格却没下来，太难让人接受了...

恩是比较郁闷哈~ 反正固态还不成熟，再等等吧~~

cocker · 发表于 2013-6-25 16:38

本帖最后由 cocker 于 2013-6-25 16:55 编辑

Travis 发表于 2013-6-25 12:43
金士顿怎么标和东芝颗粒实际什么品质没关系，而且金士顿自己买了die回去封的颗粒和其它厂家用的颗粒也不能划 ...

对对，是不能完全划等号，让我们来看看正牌东芝颗粒的真正品质：

虽然你可以说只是个例，但至少也能说明plextor品控管理太不严格了...
而且还有华丽丽的12.95/0.734=17.64倍的写入放大，说明固件也......

eGenius · 发表于 2013-6-25 17:53

貌似楼主激怒了日粉

andyrave · 发表于 2013-6-25 18:19

吊死不care这些 500pe 1g 5毛买的人更多

xlc就要来了大家喜闻乐见的等着呢

andyrave · 发表于 2013-6-25 18:23

tcgg1983 发表于 2013-6-25 12:54
除了测试 SSD 大多是挂在固件上而非PE上你要3年内用挂也行啊反正换新的

手上不少ssd 都快2w小时了都没挂现在的js 一在颗粒上做文章 2固件上留个bug 反正颗粒没挂固件先挂 js都是这样干的吧

littlemouse · 发表于 2013-6-25 18:28

本帖最后由 littlemouse 于 2013-7-2 15:01 编辑

sandisk用的也是东芝19nm颗粒吧。

http://www.sandisk.cn/products/ssd/sata/x110/

耐力 80 TBW
这应该怎么算呢？
厂商不同，不知道内部标准的情况下进行推算也只能笑笑了。

我知道楼主对浦科特有怨念，专门来黑浦科特了。

但是m5pro相比m5p颗粒缩水确实不厚道。
就算改用type C，BGA封装的颗粒也还是有的。
就算性能好，弄得硬件完全和m5s一样，钱怎么能花的爽呢？

不过三棒840pro现在可能颗粒也缩水了，新的2螺丝小PCB版也不说是怎么回事。
大哥二哥谁也别黑谁。

cocker · 发表于 2013-6-25 19:17

本帖最后由 cocker 于 2013-6-25 19:38 编辑

littlemouse 发表于 2013-6-25 18:28 http://www.sandisk.cn/products/ssd/sata/x110/

不好意思，sandisk有自己的晶原厂，只是和东芝有闪存技术共享协议而已。
你例举的X110的 80TBW是marvell主控，主控的底层硬件和固件和我主贴里的sandforce主控完全不一样，当然就不能拿来一起比较了啊。

另外我主贴里比较的两个SSD都是金士顿厂家的，又都是相同的sandforce 2281主控，只是用的颗粒不同而已，这总有比较推算的意义吧。

我有黑过浦科特么？我例举出来的都是事实，有数据有计算有证据，让大家知道真相而已，这能算是黑？

反而是你在这里乱扣帽子，例不出数据和证据就说棒子也换了更低寿命的颗粒，这又算是什么呢？棒子黑？

eGenius · 发表于 2013-6-25 19:38

SanDisk有自己独立的晶圆厂？我怎么记得是与东芝技术合作，由东芝工厂制造啊

littlemouse · 发表于 2013-6-25 19:53

本帖最后由 littlemouse 于 2013-6-25 20:30 编辑

cocker 发表于 2013-6-25 19:17
不好意思，sandisk有自己的晶原厂，只是和东芝有闪存技术共享协议而已。
你例举的X110的 80TBW是marvell ...

别生气，黑不黑的其实是句玩笑话，不要当真了，哈哈。

sandisk和东芝19nm的厂都是一起的，颗粒还不是一样的技术生产的？
甚至就是一个生产线出来的一样的东西，当然挑出来好的给自己用也是很正常的，传说中的特挑嘛。

浦科特换颗粒不就是为了压成本嘛，肯定不会买最贵的特挑颗粒，这个大家心里都有数的。

19nm寿命肯定比24nm短多了，东芝24nm颗粒才3000P/E，19nm会怎样？其实大家心里也都有数。
你看美光难产就知道了。
真实寿命东芝肯定不愿意说的。

我不是黑棒子，我自己840pro,m5p都在用，840pro还买的更多，4螺丝2螺丝的我都有，只是不喜欢这些公司老是偷偷缩水又不说。
再说黑棒子有什么用，人家840tlc销量照样第一，谁与争锋，哈哈。

cocker · 发表于 2013-6-25 20:11

eGenius 发表于 2013-6-25 19:38
SanDisk有自己独立的晶圆厂？我怎么记得是与东芝技术合作，由东芝工厂制造啊

我没描述清楚，是sandisk和东芝合资建的晶原厂，双方各占一半的股份。

东芝、SanDisk合资24nm NAND闪存晶圆厂开张
http://news.mydrivers.com/1/199/199021.htm

pceva上对sandisk extreme II测试时某人的原话：
"SanDisk和Toshiba在闪存技术上一直有交互协议，合资建造的Toshiba闪存工厂生产的颗粒有部分是特供SanDisk的，在32nm工艺之前，2者本质上是没有任何区别的（除了编号），不过在32nm工艺后，Toshiba和SanDisk各自在产品技术上留了一手，因此产品特性上开始有了些许区别。"

应该说sandisk还是对出厂闪存的质量和技术都能做主的.

littlemouse · 发表于 2013-6-25 20:24

cocker 发表于 2013-6-25 20:11
我没描述清楚，是sandisk和东芝合资建的晶原厂，双方各占一半的股份。

东芝、SanDisk合资24nm NAND闪存 ...

我觉得某人的话也不怎么靠谱，因为从生产成本考虑也不合算，而且一个厂用2种技术生产产品，要2种生产线吧，还要互相防着对方偷技术，这种合作建厂……

cocker · 发表于 2013-6-25 20:24

本帖最后由 cocker 于 2013-6-25 20:41 编辑

你说得对，sandisk是大股东，颗粒自己可以随便挑，技术上也能做一定的主。

关于840 Pro换颗粒，我最近发现了一条十分有用的新闻：

NAND工艺路线图：20nm是主流，2013年底迈向1xnm工艺

http://www.expreview.com/25395.html

"美光、Intel合资的IMFT会在2013年Q3季度升级到18nm工艺，三星及SK Hynix升级新工艺的节点也在Q3季度，但是前者会升级到16nm工艺，SK Hynix则会升级到15nm。　　东芝、SanDisk合资的NAND厂升级19nm比其他厂商要晚一些，不过升级到未来的1xnm工艺进度要比其他厂商快，今年Q2季度就会开始制程转换，只是现在还不知道东芝的1xnm工艺到底是多少。
　　虽然制程工艺在升级，MLC依然会是四大NAND厂商的主要选择，但是线宽的降低也给MLC带来更多的挑战，漏电流控制栅极都会导致可靠性进一步减少。低电压及低线宽（工艺越高线宽刻度越小）都会给MLC带来严重挑战。"

从图中可以看出，三星会在第三季度转向16nm，这说明840 Pro也可能提前用上特挑的16nm颗粒，而东芝也会更早地从19nm转向16nm级别的颗粒，plextor老总也说会在9月份的发布M6系列的SSD，再联想到月初台北那个什么展的时候plextor展示了M6系列却不提是多少nm的颗粒，从这些信息可以估计出出M6P M6S很可能会首先用上东芝最新的16nm级别的颗粒，就是不知道又要缩水多少啊...

cocker · 发表于 2013-6-25 20:29

littlemouse 发表于 2013-6-25 20:24
我觉得某人的话也不怎么靠谱，因为从生产成本考虑也不合算，而且一个厂用2种技术生产产品，要2种生产线吧 ...

估计就跟intel和镁光合资建的闪存厂一样，基础技术都差不多，只是在某些小细节方面按自己的要求来，比如说东芝说我要侧重性能，sandisk说我要侧重稳定，于是同一个生产线生产闪存的时候某些小参数可能有调整，生产出来的闪存就有少许区别。

littlemouse · 发表于 2013-6-25 20:41

本帖最后由 littlemouse 于 2013-6-25 20:43 编辑

同意楼上。

缩到最后，mlc和tlc寿命还有什么区别？
于是顺理成章，干脆大家都tlc了，三棒这次是大大领先了，哈哈哈。

不过我估计2-3年以后，nand就极限了，等着相变吧。

不过目前的产品，作为用户还能怎么办，只能找个发安慰奖的，有保就不怕他折腾。

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