|
|
68# klinsmn
- g2 H- f2 z0 {2 @" XTOM的测试测温点有问题,你可以发现DS3R和UD3R或者UD3P的供电模块有差异,DS3R的MOSFETs与电感,电容混杂分布,而UD3R/P为了上散热器,将MOS整齐放在一起,你觉得这样去测试该位置的温度差异能得出是铜膜造就的降温效果?9 |! c W, a* ?! u% J
4 _9 ]- i7 @7 g8 v/ Z- VDS3R% y& e0 X, N6 O7 K
![]()
" V& k% C8 r5 k& d& I/ [. w1 f% D; \1 W3 C0 b
UD3R9 S. N/ P3 f+ L2 j `3 |) F& [
![]()
$ I! O" `0 L& h' Y9 o3 b: e( g% {
' X2 L+ Y3 {0 w8 n# F7 l" _- Q0 S/ B' o
Intel原装风扇下吹的风流遇到这两种不同结构,你觉得影响会比所谓的铜膜降温来的小?
4 `! n4 S, n6 P2 h# U
( w( n5 R# \, h4 z# k' H8 A倒是Acsii.jp的测试,采用的测温点都是靠近CPU的内存槽的两端,内存槽的位置几乎就是固定不变的,至少DS3R与UD3R的内存槽是一样的,两端的温度差,显然要比你单列的TOM测试结果有意义,而且你不再三宣称的是”不是说加了铜能够降温,而是说加铜能够改善温度分布“,你觉得你的所谓的论据与你的论点有关系吗?几乎相同位置的内存槽就有如此大的温差,不要说是CPU吹出的风流造成的,同一CPU,同一散热器,测温点位置也完全相同,为何能得出如此大的差距?0 Q- \8 R8 k( f$ c2 q
3 c9 a5 X R" QTOM的测试并没有证明加了铜就降温或者说改善温度分布,只能说明,UD3R/P改进的供电MOSFETs的分布,对于供电部分的温度降低有一定的效果。至于铜,谁看到效果了?
- y' ^4 @0 n2 x) L4 y( Z
+ Y. y g. v. y: \8 i8 b3 }还是那句话,UD3系列是不错的主板,做工和用料都不错,但是加了层铜不过是官方的噱头而已,产生的效果几乎可以忽略,或者说完全没有直接证据来支持加铜有效果的说法。 |
|