POPPUR爱换

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

手机号码,快捷登录

搜索
楼主: kapc516
打印 上一主题 下一主题

说说我为什么选ep45-ud3r

[复制链接]
61#
发表于 2009-2-12 15:40 | 只看该作者
65# klinsmn
! h6 J) s. {- N  V7 M
" B/ z3 G* I( a: ^
- E3 M8 K$ U; q0 C/ a所谓改善才是纸上谈兵,又回到ascii.jp的测试结果上去了,在同为靠近CPU的内存槽两端各放置一个测温探头,直接开机时,UD3R的温度差是(39.5-31.5=8),DS3R的温度差是(35.2-30.1=5.2),UD3R并没有显示出所谓的“改善温度分布”,当然你会说刚开机,温度分布需要时间,那就继续,然后是高负载运行,UD3R的温度差是(43.1-37.4=5.7),DS3R的温度差是(42.9-37.1=5.8),考虑到误差,0.1基本上可以忽略,UD3R并没有显示出所谓的“改善温度分布”;最后是高负荷运行结束后10分钟的数据,UD3R的温度差(41.3-32.9=8.4),DS3R(39.2-33.8=5.4);这样的结果你又怎么看呢?改善究竟改善在哪里?
回复 支持 反对

使用道具 举报

62#
发表于 2009-2-13 00:54 | 只看该作者
不外乎找个论据嘛 自己动老子思考才是王道 . e+ _  f1 L: c: D2 f7 `3 r
看看TOM'S的分析吧1 [/ Q1 Q$ a5 n+ v( A
) A+ d+ j! |+ T

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
回复 支持 反对

使用道具 举报

63#
发表于 2009-2-13 10:38 | 只看该作者
68# klinsmn
- g2 H- f2 z0 {2 @" XTOM的测试测温点有问题,你可以发现DS3R和UD3R或者UD3P的供电模块有差异,DS3R的MOSFETs与电感,电容混杂分布,而UD3R/P为了上散热器,将MOS整齐放在一起,你觉得这样去测试该位置的温度差异能得出是铜膜造就的降温效果?9 |! c  W, a* ?! u% J

4 _9 ]- i7 @7 g8 v/ Z- VDS3R% y& e0 X, N6 O7 K

" V& k% C8 r5 k& d& I/ [. w1 f% D; \1 W3 C0 b
UD3R9 S. N/ P3 f+ L2 j  `3 |) F& [

$ I! O" `0 L& h' Y9 o3 b: e( g% {
' X2 L+ Y3 {0 w8 n# F7 l" _- Q0 S/ B' o
Intel原装风扇下吹的风流遇到这两种不同结构,你觉得影响会比所谓的铜膜降温来的小?
4 `! n4 S, n6 P2 h# U
( w( n5 R# \, h4 z# k' H8 A倒是Acsii.jp的测试,采用的测温点都是靠近CPU的内存槽的两端,内存槽的位置几乎就是固定不变的,至少DS3R与UD3R的内存槽是一样的,两端的温度差,显然要比你单列的TOM测试结果有意义,而且你不再三宣称的是”不是说加了铜能够降温,而是说加铜能够改善温度分布“,你觉得你的所谓的论据与你的论点有关系吗?几乎相同位置的内存槽就有如此大的温差,不要说是CPU吹出的风流造成的,同一CPU,同一散热器,测温点位置也完全相同,为何能得出如此大的差距?0 Q- \8 R8 k( f$ c2 q

3 c9 a5 X  R" QTOM的测试并没有证明加了铜就降温或者说改善温度分布,只能说明,UD3R/P改进的供电MOSFETs的分布,对于供电部分的温度降低有一定的效果。至于铜,谁看到效果了?
- y' ^4 @0 n2 x) L4 y( Z
+ Y. y  g. v. y: \8 i8 b3 }还是那句话,UD3系列是不错的主板,做工和用料都不错,但是加了层铜不过是官方的噱头而已,产生的效果几乎可以忽略,或者说完全没有直接证据来支持加铜有效果的说法。
回复 支持 反对

使用道具 举报

64#
发表于 2009-2-13 11:03 | 只看该作者
学习了,好刀法~~呵呵
回复 支持 反对

使用道具 举报

65#
发表于 2009-2-13 12:00 | 只看该作者
68# klinsmn
5 |6 B, v& V9 v, B, }! ITOM的测试测温点有问题,你可以发现DS3R和UD3R或者UD3P的供电模块有差异,DS3R的MOSFETs与电感,电容混杂分布,而UD3R/P为了上散热器,将MOS整齐放在一起,你觉得这样去测试该位置的温度差异能得出是 ...+ Y( m2 ]( s. U5 ]8 I) d# j
lotuis 发表于 2009-2-13 10:38

5 t' i  z. y$ Z8 t0 H
* I' \9 u; g2 L6 w. N5 }0 R2 v人家测得是主板背面温度 正是你强调的背面温度
# V& z7 }3 P8 e1 @' B跟正面元件布局有啥关系呀{closedeyes:]  什么叫不合理啊
回复 支持 反对

使用道具 举报

66#
发表于 2009-2-13 12:39 | 只看该作者
1、你喜歡技嘉
$ R3 T4 e) S! M, l- n6 q1 E2、你喜歡未聞之概念名詞1 v3 I: a3 o# q' I9 S
3、你喜歡藍色
8 \/ A; y  {5 x" [; y& {4、可能你是桿槍
回复 支持 反对

使用道具 举报

67#
发表于 2009-2-13 13:46 | 只看该作者
71# klinsmn 4 K- ~# M! v! l( _
9 f, w; k+ I; [8 S
OK,我们先来说清一点,我是针对你所谓的“加铜只是改善主板热量的均匀分布”表示怀疑,而TOM的测试和热量均匀分布有关系吗?暂且不论TOM的测试是否欠妥,该测试仅仅表示了主板背面某处的温度有差异,而不是主板热量分布均匀,通篇我找不到一点关于其他地方温度的对比,仅仅凭一点的温度能否推导出你所谓的“加铜改善主板热量的均匀分布”?
- N0 `/ q/ ^6 g; L' }  ~5 H+ ~
再来,TOM的测试还表明是否安装散热片对UD3P有17度的差异(有散热片69度,拆掉散热片86度),你觉得这么大的差异是怎么来的?热量是不是从主板正面的器件传下来的?UD3R与DS3R的MOSFETs的排列显然不同,TOM的测试也没有标注测试探头的位置,仅仅是lower side带过,这样的测试合理?
: [( _- F+ O. M  {" W" S
- y6 y8 ]6 ~/ K7 S2 U' O# {' f  t2 C0 d; I& f) ]3 m" l
加铜只是改善主板热量的均匀分布而已

9 J) P# z( G/ ], l7 A这是你的原话,TOM的测试仅仅标明特定某一点的温度上,UD3P占优,而并没有说明温度分布上占优,你引用此评测有何意义?而我先前引用的ascii.jp的评测,有明确的多点测试,既然你宣称改善热量分布,那为何从测试数据中得到的结果完全和你的想法相反?我已经给你同一时刻第一内存槽两端的温度差并没有因为多了铜而显得均匀的事实,对此,你还有什么要反驳的?请你用逻辑思维来思考问题,不要想当然~
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

广告投放或合作|网站地图|处罚通告|

GMT+8, 2026-5-23 17:40

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 POPPUR.

快速回复 返回顶部 返回列表