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原帖由 ljm_ljm 于 2007-8-24 14:40 发表 - r# _1 L9 o7 f0 l$ j2 s6 M
你的PDF收下了.
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( `' k5 W0 F2 L) k就像PDF中所说.TAN和容抗很大关系.所以不能证明ESR低的电容,介质损耗就低.
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v8 e6 V: `( L* t9 l6 g7 h
这也说明FOR AUDIO音频电容的ESR很烂,但是介质损耗至少标的敢比LOW ESR的电容还低的指标.
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所以算都不实用 ... " X9 Q: [5 F4 y! r6 V
是的。
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不过需要注意的是。DF应该称为耗散因数。是一个耗散的“因数”,而不是指耗散本身。而影响电路性能的还是ESR。ESR越小,“耗散”越小。如果有一个100uf,esr=5m,df=0.08的电容,还有一个是1uf,esr=50m,df=0.008的电容。如果电路都可以使用,而且对价格不关心的话,应该选用那个esr=5m的。 |
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