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本帖最后由 klinsmn 于 2009-1-14 01:50 编辑
; S8 a4 T4 P6 [0 S2 }( o文章不错5 n$ l" w# N: i D: r# Z6 Q. `% n
但是楼主对P45的理解有错误差,据我所知道的P45都是A2的,目前有A3?
. Z# J+ e( r& x8 B9 t还有vdrop 和 cpu 是否一个理想导体无关,只是intel规范要求,电流越大电压就要越低一点点,是为了保护cpu。
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而且不掉压的主板是P ...
, z, ]) m' x* L% a黑真PIG 发表于 2009-1-13 22:06 ![]()
9 Z* w2 q+ ^7 f* U( N
! p3 @5 Q& e; u6 ?% P. D C0 NA3北桥早就出了 华硕P5Q系列后期/技嘉UD3系列/DFI UT系列均是A3版本了 ' u n' t% p1 Z" P8 z) c
这个已经不是新闻了吧 看来仁兄的消息还不够灵通$ G" a# E5 U4 F5 c7 r8 s
( f, \1 u8 R) |& w7 D1 b; H9 o
) }8 C' P; _; R8 T! D至于掉压,看得出朋友对intel的spec了解还不够深入, F6 h3 M1 n$ d5 S
甚至对基本电气常识的理解都有所偏差:
9 n( }0 N. {! n" p- e# o( z1 G0 \ s9 C* M2 V1 T
举理想导体的例子是想说明CPU是个1.4~1.55毫欧的电阻体,. U* P" P: G1 N* g2 s8 Q6 k
电压加在上面不光有电流效应,同时也有电热效应,
1 s1 n3 n' B2 l7 v电热效应Q=电流的平方X电阻,随着电流的上升,- l! Z- A: R* d( \7 r4 P
CPU工作时的电热会以电流两次方的速度上升,
" B# k$ _5 T2 ?电能的损耗也就是压降,实际上就是拿来发热了,
/ k- v5 b; g! ~- f( F/ G' _4 s, g所以CPU电流越大,电热越明显,压降越厉害,
9 _- t$ P* K" \8 k1 `' r: a" E我这样说已经够浅显易懂了吧!
4 ?" K; c, C2 P. _: ~; f
! L9 b/ Q" W# Kintel的这张图里就说明了这个线性关系
+ ]8 x- |# Z+ J. K4 o2 r8 \5 z3 a9 O) _. f6 B& M6 h, ~& }
这个图里备注第二句话其实说得很清楚了:
2 Z% p, g. ~% E4 K5 e3 b% v'this load line shows the deviaton from the VID set point.'- p b+ B( ^ i4 `+ d- x
本负荷线形图表示了Vcc核心电压与VID设定电压的偏差。3 |% e- U) ^. ]' J1 x- F
5 @' T7 `4 N: \8 @; b6 l& N/ p- n
上图中典型Vcc的压降在Icc为零时已经有0.02V了9 L( N- I/ j# k/ `1 B J
在Icc为最高的75A时达到了0.125V,1 l" [3 s- C: t0 [
而且以上三根负荷线都在VID以下,岂有不掉压的道理
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这也是开本贴的原因所在啊 呵呵 |
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