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本帖最后由 klinsmn 于 2009-2-5 12:17 编辑 2 O1 O. J* b# y$ M1 F! g4 m1 F
5 `& N( o) ?" h无他 PCI里新手太多 一些基本的发问 一些违背常识的误解太过...( _" _ A* t5 b& O
明日又要踏上相亲的征程 今日闲的无事
: N$ y. i6 ^% o3 a把众达人及本人的一些心得整出来共分享/ B6 o9 L8 S4 t9 N
作为旧人 也是种对PCI的回馈 有砖请轻拍 谢谢/ S! \% x. ]' Z: Z7 b, E/ I4 C
5 q$ y$ V- V ]( }. @. iCPU电压篇7 o; z8 j' D) C2 R
买P45的不超的占少数 说到超第一就是电压了
0 ?4 E+ E2 A( j- a; {- W" _* v( L要加压就要明白电压的含义 做到有的放矢
& c' J- z2 c' V/ L( `1 j基本的关系到安全的就那几个 既然不是想把东西玩废
0 a2 j6 e+ F5 u) L安全第一的观念一定要树立起来 - Z1 I. b" ]7 J6 b3 ]' A% _
t2 F. l V5 v% o L# Y7 S而对CPU各个关键电压的权威定义来自于intel官方* z0 d+ ]: b7 n; F9 } {2 }5 b1 l, z2 c$ k
所以P45超频第一步就是拜读intel的CPU规格书(Spec)
. _* f2 z' S* V4 J Y. nintel对于U的几个关键电压有如下定义(各主板厂家命名略有差异):( Y5 D7 Z9 U4 g0 w8 U& p
5 i. u3 N* h9 o8 _9 N) @* b' QVid 标称电压-定义CPU供电电压
& E4 q ?" o* o& zVcc 核心电压-实际核心工作电压 超主频必须调整电压
5 P# o. P2 _& A; o# n+ j; XVdrop Vid跟Vcc之间的差值(主板供电电压=Vid时)
& G+ H- N! {8 ^4 @6 o 广义掉压,开启LLC时,Vdrop为固定值。& Y' `6 h/ ^! V( e* E2 j% s5 D: o
Vdroop 满载Vcc跟待机Vcc的差值,狭义掉压,
C( l# |/ p; p; v$ l 包括在Vdrop里面,开启LLC时Vdroop≈0
+ J- a- ]1 V' q1 z: `Vtt FSB电压-定义前端总线电压 超外频必须调整的电压' K% L. \0 S2 }! x6 Q6 D+ r
Vpll 内部频率发生器电压-驱动频率发生器产生需要频率# s* c; @5 P0 B/ U; E
% D5 S) j) L& x+ T1 B以上电压高低限具体见下图1:
* Q. J N7 o0 R; K) j% H4 _. o0 o
& `+ N% g/ ]. n
& j/ M: x) S7 l1 D( |图1中E8000系列的Vcc高低限‘Refer to Table 5, Figure 1’见图24 D- [" o/ H v; T _$ w. M0 k* x- n
! T0 O6 f2 u' E" R# s从以上两图可以得出几个简单的结论:
4 @# A, b' I- q0 W
6 f- U: n7 x* I& h结论1:) I% I$ P. V. [* w9 z% v- M
Vdrop(俗称掉压)是intel规范使然,CPU不是理想导体岂有不掉压的道理,
; x2 I. K4 \4 R3 C掉压是动态线性的,根据Icc(核心电流)进行变化,核心电流越大,掉压越严重。. L7 S- |9 Q3 ]$ ?4 w b8 B
所以请各位朋友不要再把掉压归罪到主板上,因为你的U不掉压的话等于主板没有遵循intel规范。9 `) t. D: ?$ G2 q+ Q
补充一下,这里的掉压是指主板设定电压与Vcc核心电压出现的偏差,0 `( T; @* u! ^
不是指CPU满载Vcc的下降,不少朋友所谓掉压是这个意思,这个是intel规范使然,正常!
5 {4 G! X: V# ?开启LLC后Vcc不会随Icc下降,此时CPU核心供电已经没有遵循intel的规范了,, q9 m* {$ v L# c+ ]: {( @
开启LLC的目的是固定Vdrop,让Vdroop为零,请注意这一点区别!
: W* g; }9 |# s# {) x& uLLC的原理其实就是动态补偿电路,再说白点就是CPU供电动态加压系统,/ B B1 V7 }4 c, a1 Z Z
打开LLC后,待机满载主板都会加压,此时主板实际供电电压比intel规范都要高,
. g4 d' n8 S% }1 U/ d/ [# J因为intel规范里待机电流功率比较小,Vcc不需要那么大,但是LLC强制把Vcc加上去了& `2 [ Q2 r( c
6 } B; n/ ^! Y( ~结论2:
( {, I. g( ?; c8 L5 A& _0 {intel并未规定CPU的核心电压Vcc绝对高低限而是一个动态范围,
2 ?$ o% f" n2 h3 D" o但对核心电流Icc统一规定75A,因此决定CPU是否处于安全状态是看Icc核心电流,
+ U1 e! O) o, ~$ r. t: {7 R# C0 B满载超过75A,功率超过65W无异就站在危险的边缘了。& q! Y4 ]! j7 I' k
个人建议满载Vcc在VID附近能够稳定就好,高于VID太多用寿命肯定会打折扣,
+ Q3 P; ]) i4 H, v以E8400为例,以低于VID越多的Vcc稳4G说明体质越好,
7 u: u, M; P! H* I( y- W+ E而不是单纯的VID越低体质就好,这是一个很大的误区。2 Y% d2 w& Z* A2 G, B! ~+ i
以我的经验VID越低,阻值越低,电流很容易彪上去,体质越差。
! h4 o$ N( s; _" L- e至于温度,intel仅关注顶盖表面中心温度Tc(见下图),
: {8 t0 l. ]3 i) ~高限随功率变化,因此核心温度仅具参考意义。4 Y" P; l3 Z' F' \5 T5 ~0 \8 v4 }
( ^; h2 y5 ]; i V6 T0 [, v- c3 G
7 j; Z# @7 [9 |) E1 y/ j8 F5 r* ^结论3:
! d8 M8 M( Q' o# nVpll:1.5V(+/-)5% Vtt:1.14V~1.26V
& E& f; Q- |$ I8 G. b ]因U而异,我这颗PLL 1.5V超500外频足矣,VTT上500外频在1.4~1.5V之间,, _/ R l+ ]# Z2 d7 z- H& ?; b" ?6 u
关于VTT国内外对于寿命及缩肛的讨论众多,XTREME有个VTT长期使用值调查,, h+ r9 n% \, I2 j4 j ~( ^
多数人趋向于1.4~1.5之间,毕竟VTT过高体质缩肛是有实例存在的,安全第一啊! ^8 [: J! ?, a. |
intel有个人写的关于GTL和PLL的文章里也提到intel桌面处理器VTT最高1.55V,1 d) r1 p0 _' @! h5 e
具体使用看各位的心理承受力了,超频有风险,下手请谨慎:lol:
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, y. `9 m2 w+ U主板供电篇: M' j, _2 `& A8 x! H0 P2 D1 a$ b
就简单说说一线的供电模组,华硕P5Q系列、技嘉的DS/UD系列、微星白金/钻石系列。; W, G3 r" {; Q: S: _, D% b6 T
, n. X7 C; \3 y% D' f5 j华硕P5Q系列-E的PWM是8相,不支持最新Intel VRD11.1,不能自动变相,
% f6 {% ~* `/ i: o8 T7 U( N-D和玩家国度PWM同样是8相,不支持最新Intel VRD11.1,
. U* i# c& ~; N# S: r# q/ fPWM后面加个单刀双掷就虚拟成16相了,
: w& ~# q9 P7 |4 w% y7 V同样不能自动变相,因为PWM芯片不支持,变不了相EPU就形同虚设了。! S0 M7 ~1 P1 [. c) X U- m' f
P5Q系列普遍掉压厉害,开启防掉压仍然掉,估计跟这颗PWM芯片有关。
1 z- k I# I! v! P" p- D( q) A4 b
技嘉DS/UD系列,基本跟华硕一样,PWM是6相,不过支持Intel VRD11.1,可自动变相,0 Y$ r4 K* B; t' Q/ p5 A
高端的Extreme和DQ6,加双倍MOSFET和电感并联实现12相,这点跟华硕有点不一样。9 i$ t* {. @! G" G, l' ]( T
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微星的白金/钻石分别是5相和6相供电,PWM支持Intel VRD11.1,每相1颗DrMOS,
" m2 a2 h; D: a2 r2 U& }4 P. U2 ?DrMOS是服务器应用范围的高效低耗开关电源器件,9 ?* _% f1 F2 v: }3 o( O8 v
它把2颗MOSEFT和驱动IC整合到一个芯片内,
* G5 m7 _6 F2 D1 j) s经过优化处理,加快了响应时间,降低热损耗,使电源装换效率有较大的提高。
Q( Q, F- {4 l0 ~, h/ v. v6 f, F0 ]4 z
关于DrMOS的详细原理 没用过微星 只是知道个大概 呵呵
( f- [) [" F$ x) s. _但是微星8%的节能效率是摆在那里的 这点说明一切:
+ M, L( C C+ j# p; \(技嘉只有2%左右,华硕满载EPU不但不节能还多耗能)+ E+ G8 q# S# u4 c* v& S/ H
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4 Y, a3 j$ Q' ~: G
; m* H, a1 z) ^, C8 P
+ g7 B L( r* J" R4 E/ s关于技嘉的12相和华硕的16相 其实就是6相和8相0 T7 q+ d8 f. E0 E* u2 C
技嘉的6相PWM都是Intersil的产品,支持VRD11.1最好的PWM,7 `/ u6 f4 ?# f' S
这个系列有业界最好的低负荷转换效率以及自动变相功能。1 r* y2 Z% C6 V! V
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华硕的8相PWM来路不明,以往的历史美国AD公司和台湾的Richtech都用过,
* m3 ]5 s: N4 d9 @% i) {属于二流货,其在瞬态反应、动态补偿和能耗上的拙劣表现就说明了这一点。) |0 a* J; ?& c$ C4 P
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两家只是通过不同的手段用更多电容电感分流了负荷而已,本质确实提高了供电能力,1 A* J" C/ h. T
当然12相和16相这种宣传手法属于仁者见仁智者见智,不予置评) X: D, f. S% N
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主板选择篇
% `# C. T& Z6 y7 }本来是重点,无奈怕掀起品牌口水战,就不得罪人作个好好先生算了。
2 O. h& h; ], E9 X7 q注重实用选华硕、技嘉,要长期超全固铁感是基本盘,建议1K以上的板子,
, U5 P% G- P$ n, o0 F2 B玩极限DFI、映泰这些的P45都不错的啦,喜欢折腾的上,- a* r3 F/ c9 c" q4 c% ^
没有得罪人吧。
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内存篇2 F/ O2 K. X/ G. z' u
说到DD2内存,技术已经很成熟,我的观点:
4 Q1 ]: @/ }2 S; i" Q5 Y7 b+ _0 j1 W不要盲目追求低电压、好时序,稳定高效能高容量才是王道。. x z/ g+ _7 K% c" v
很多号称5-5-5-15上1100+的其实都是硬上 性能很差的 JS们都承认的5 V/ P1 d; Y# \# f5 ~) Y% o# v+ ^
各位不要迷信什么5-5-5-15,真正最优时序的5-5-5-15才有意义# o) t) B9 N' v" p6 V y3 d4 C
为什么?超到1100+都是DDR2的极限了,很多是以缩短寿命的代价硬上的,: p6 ~. h4 K! Y6 v+ O9 g" ^
这种情况下怎么可能有好时序、好性能?!0 [* \- Y% h8 B9 t( }; D! q8 ^4 l
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说到2G单条,很多人想求5-5-5-15的时序上1200YY,省省吧
6 O' Y7 |6 \ u; e" r* b这个要挑出来的难度比什么神条、黑黄马甲大太多了,/ t, Y9 t: g. C- J9 |4 y6 a- n1 q
挑体质、颗粒,官方绝对比你我把握大,更能保证长期安全运行,
3 U1 s# u: F$ N! D) t6 T: v. p. i官挑是最放心最有技术说服力的,虽然价格不那么平易近人。
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从各大厂的官网查只有芝奇有一对2GX2的9600对条,5-5-5-15,价格2000+
( T4 v5 P1 k% H, F/ d这对世界上最强悍的2GX2用的是PSC力晶颗粒 消息来源于沧的拆MJ报告
4 \+ N C( b: ?) H官标2GX2的:镁光最高1066,OCZ最高1150(5-5-5-18),Hyperx最高1066,海盗最高1066# C* x! O1 K1 p9 U8 `0 P' ^
但是1GX2官标1200的:Hyperx有,OCZ有,芝奇有,海盗有,寨条更是多不胜数,. y6 Q0 F" g" e! X6 b- _! Q0 G
唯独D9的始作俑者镁光没有,有人会说镁光保守厚道,仔细想想,意味深长啊。, |% b" Y- [1 N }& B
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结论再明显不过:2GX2确实1066+都很难,上了也是官挑中的特挑,价格港港的。
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继续聊聊颗粒,PCI在JS的有意引导下养成了D9强迫症,唯D9颗粒YY论比比皆是。
7 f8 e: E \# KD9颗粒的通性就是吃电压,表现为对电压敏感,极限频率高但不够稳定,高压缩肛。
+ }% j9 W7 T" p5 ^0 v具体的,我感觉这个KST同门神条 VS D9 VS 尔必达的帖子很全面很有说服力
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总而言之一个基本的准则:官标电压内超,缩肛就不好了。/ Y; h: c& P% d/ H# I" O
7 D L8 K7 U- e) N! V4 s0 V
2 o# Y6 r8 v# x' Y& x6 J3 U: U2 I
测试软件及买卖篇3 ^2 A \1 P9 ]1 `, i
测试软件作为验证系统及超频稳定性的工具肯定是必不可少的,
k8 D/ ~+ o% U; J5 MPCI比较流行的测小系统不外乎Pi/CPUZ/OR/Memtest/Everest,- G J/ r, u9 t5 ]5 D$ X+ c
具体用法及侧重相信大家都很熟悉了,这里要说的是PCI上少部分JS# G, L& n4 l' A) d0 r
的作弊手法,其实也很简单,我敢在这里说出来肯定会惹上不少麻烦。
2 J4 R3 u/ z O7 E举个简单的例子,一颗4G过不了OR的E8400,就有办法让它过,5 |( ^: n- G0 A) w: z5 l
甚至4.5G过OR都是有可能的,方法很简单:软拉外频,
* S2 N$ i P5 z5 {: }' P1 G一线品牌都有软超功能,这就有了钻空子的机会, ~7 m; I" P- c1 {- f
第一步先用默认333外频跑OR,稳得一踏糊涂:lol:
$ n/ I/ @$ B5 d+ ~+ A5 |第二步等到时间够了,加压软拉到500外频,截屏完事 ' E2 a( J, e9 o! l
于是4G过OR N分钟的体质图就出炉了,想多久有多久 。
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! `4 ]8 l( F& B& I; j内存测Memtest依上法炮制,说出来吓各位一条吧。9 d9 k. } G+ g/ W) w0 ?' t
小的以前在PCI卖场出自用U/Ram坚持用双OR体质图,. g2 ~/ f" l2 m [' f$ z
目的就是表明RP,但又不便点破少数人的做法,
' L' A7 p. }( }% E因为双OR更为苛刻,没有那个体质你软拉上500立马报红,
8 e2 ?& o- I2 I- U但单OR再差也不会立马红掉,怎么也有个几秒时间截图,$ ~7 ?" j5 `0 c, a# Q9 U
所以出U的JS绝不会跑双OR给你看的,
' g$ o ?3 F, n双OR想照上法炮制过OR图的难度极大。$ G, x. E" l- r2 O& f( ~9 T6 {& I& A
4 g! R' K8 Q3 @' Z* x
结论:, ^( N& y b3 P
PCI上进行交易,测试软件这些东西都不是绝对的可靠,RP素王道。
$ }1 I, k) S9 B
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! G' ]% W. F8 W* Y/ q8 O5 b h以上有点帮助的话务必给顶下支持啊 |
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