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本帖最后由 klinsmn 于 2009-2-5 12:17 编辑 6 t# u- i; ^5 e4 Y3 C
8 Q9 T/ m( \, d% u/ M无他 PCI里新手太多 一些基本的发问 一些违背常识的误解太过...& J$ I" Q) d8 }" Z2 N: D3 b
明日又要踏上相亲的征程 今日闲的无事
" ^% i# q; m0 o把众达人及本人的一些心得整出来共分享9 _, o) W& |* t, `% \
作为旧人 也是种对PCI的回馈 有砖请轻拍 谢谢' E( r( O' n f' A( n1 f9 F, x: n
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CPU电压篇, I |* M2 K! H. d4 V
买P45的不超的占少数 说到超第一就是电压了! u! m+ y8 F2 r& a
要加压就要明白电压的含义 做到有的放矢
9 i: u" F4 j: B# h* A7 ]0 b8 `: P! N" C基本的关系到安全的就那几个 既然不是想把东西玩废! ^0 B4 g2 P8 T1 P$ c
安全第一的观念一定要树立起来
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8 C# x: y [+ b$ q4 \% d而对CPU各个关键电压的权威定义来自于intel官方, G3 q# \1 }( u
所以P45超频第一步就是拜读intel的CPU规格书(Spec)- j+ ]/ u7 X: [ B( N6 B" O) F6 {
intel对于U的几个关键电压有如下定义(各主板厂家命名略有差异):- @& a2 s6 } d3 u4 x7 M+ y
- x# W, b( U5 r
Vid 标称电压-定义CPU供电电压
4 J# o. I7 n. h2 uVcc 核心电压-实际核心工作电压 超主频必须调整电压
- T$ Y4 {) v8 bVdrop Vid跟Vcc之间的差值(主板供电电压=Vid时)! Q7 d% w- Z. u1 c
广义掉压,开启LLC时,Vdrop为固定值。
% D; U! R1 V8 W' I9 L7 _* I0 e' @7 AVdroop 满载Vcc跟待机Vcc的差值,狭义掉压,: H( M0 L& x# a& \: q9 R
包括在Vdrop里面,开启LLC时Vdroop≈0
) a' f9 Y9 k4 u TVtt FSB电压-定义前端总线电压 超外频必须调整的电压6 \" B/ t9 p# }8 v* A& V- l2 X
Vpll 内部频率发生器电压-驱动频率发生器产生需要频率
) }# M9 v X' @: w) [; F; d1 {% B" o8 A% @5 g
以上电压高低限具体见下图1:
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1 u2 L: U4 q7 \- v
图1中E8000系列的Vcc高低限‘Refer to Table 5, Figure 1’见图23 |- f9 A4 Q- {2 O
M4 Q+ \$ o- g2 e3 b+ g) b! N3 }从以上两图可以得出几个简单的结论:7 ?, f T3 X$ _
9 t& D( G9 o7 H, B+ Z6 |' e' d结论1:3 w# Y: O) N* }/ ^5 @0 h! J
Vdrop(俗称掉压)是intel规范使然,CPU不是理想导体岂有不掉压的道理,
9 x g) _+ u9 s; E$ v1 g- T9 G$ \掉压是动态线性的,根据Icc(核心电流)进行变化,核心电流越大,掉压越严重。
/ s1 t4 A' C" o+ `所以请各位朋友不要再把掉压归罪到主板上,因为你的U不掉压的话等于主板没有遵循intel规范。
4 S7 M7 K3 H* e5 I- y& e补充一下,这里的掉压是指主板设定电压与Vcc核心电压出现的偏差,
- E7 Y- c/ J- W V. n. n7 x, F不是指CPU满载Vcc的下降,不少朋友所谓掉压是这个意思,这个是intel规范使然,正常!
8 ~1 z& y/ P) P0 W6 S9 |8 n0 L开启LLC后Vcc不会随Icc下降,此时CPU核心供电已经没有遵循intel的规范了,
4 z, s8 z3 B# C- V" g$ X开启LLC的目的是固定Vdrop,让Vdroop为零,请注意这一点区别!
) h. W9 _# a, d. KLLC的原理其实就是动态补偿电路,再说白点就是CPU供电动态加压系统," v3 Y% H# I6 {
打开LLC后,待机满载主板都会加压,此时主板实际供电电压比intel规范都要高,
6 m, r9 p" R+ G2 z: N) d) a因为intel规范里待机电流功率比较小,Vcc不需要那么大,但是LLC强制把Vcc加上去了
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结论2:
" F# r2 J3 M: w& v; s4 }- r" a8 bintel并未规定CPU的核心电压Vcc绝对高低限而是一个动态范围,
+ l7 d5 C* L, E( x' ^但对核心电流Icc统一规定75A,因此决定CPU是否处于安全状态是看Icc核心电流,- c8 n1 R# y! g4 e; ^7 K
满载超过75A,功率超过65W无异就站在危险的边缘了。/ p' O0 i- Q7 d9 Z! |4 r# ` B" P
个人建议满载Vcc在VID附近能够稳定就好,高于VID太多用寿命肯定会打折扣,( U9 P! R! R3 ~9 _
以E8400为例,以低于VID越多的Vcc稳4G说明体质越好,, |2 P j' a# }9 A. r
而不是单纯的VID越低体质就好,这是一个很大的误区。9 l1 Y+ X4 N, d# l' T2 ^
以我的经验VID越低,阻值越低,电流很容易彪上去,体质越差。
9 S! p% H; d4 g4 G' u6 k4 m至于温度,intel仅关注顶盖表面中心温度Tc(见下图),
5 T8 m# N* Y( w5 f P高限随功率变化,因此核心温度仅具参考意义。- V5 B2 Q* C4 T0 c! f2 }
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结论3:7 H# E0 N. f* r, j
Vpll:1.5V(+/-)5% Vtt:1.14V~1.26V0 ], w+ Z# n: C0 T
因U而异,我这颗PLL 1.5V超500外频足矣,VTT上500外频在1.4~1.5V之间,! l7 V. J- t0 [$ I' {1 k0 ]
关于VTT国内外对于寿命及缩肛的讨论众多,XTREME有个VTT长期使用值调查,
: K% ^! h' |: W3 Z多数人趋向于1.4~1.5之间,毕竟VTT过高体质缩肛是有实例存在的,安全第一啊. M0 A) C9 K7 _( _+ Y* E
intel有个人写的关于GTL和PLL的文章里也提到intel桌面处理器VTT最高1.55V,3 F! f1 X: u5 i; o" o5 ~
具体使用看各位的心理承受力了,超频有风险,下手请谨慎:lol: * f- r. ^6 |" @7 i5 g
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主板供电篇
2 f3 k" M% O1 y5 h4 q1 N就简单说说一线的供电模组,华硕P5Q系列、技嘉的DS/UD系列、微星白金/钻石系列。1 D% P& a7 N8 F5 z# \' r+ f7 J5 v
U% w4 e a7 B
华硕P5Q系列-E的PWM是8相,不支持最新Intel VRD11.1,不能自动变相,
( t" K: l- t7 D; _4 a: n-D和玩家国度PWM同样是8相,不支持最新Intel VRD11.1,
5 M2 X. }$ `- x1 _( O' {) J6 `PWM后面加个单刀双掷就虚拟成16相了,
5 c) \3 T4 r9 E: ?同样不能自动变相,因为PWM芯片不支持,变不了相EPU就形同虚设了。
( q% R) D+ e3 c" v" Q4 dP5Q系列普遍掉压厉害,开启防掉压仍然掉,估计跟这颗PWM芯片有关。
* ]2 P$ |( ? K7 f/ ^ B: z* O+ H
0 h4 B9 X+ l# J& A8 a技嘉DS/UD系列,基本跟华硕一样,PWM是6相,不过支持Intel VRD11.1,可自动变相,2 u2 t7 |& _, d' {; _
高端的Extreme和DQ6,加双倍MOSFET和电感并联实现12相,这点跟华硕有点不一样。
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微星的白金/钻石分别是5相和6相供电,PWM支持Intel VRD11.1,每相1颗DrMOS,
1 T6 n$ O% V- f3 i1 z7 X: [DrMOS是服务器应用范围的高效低耗开关电源器件,9 _( A3 ~$ {# j& K. K, ]; d' D2 w& h
它把2颗MOSEFT和驱动IC整合到一个芯片内,
3 w# T1 n) _7 T+ V7 Y$ i, Z( a经过优化处理,加快了响应时间,降低热损耗,使电源装换效率有较大的提高。
! k6 u, w3 s. N9 m1 s
$ q8 i% t7 W j2 l& ~9 a. Q关于DrMOS的详细原理 没用过微星 只是知道个大概 呵呵
- o: J7 k7 v5 [但是微星8%的节能效率是摆在那里的 这点说明一切:+ p$ X0 V% C* U& [9 M
(技嘉只有2%左右,华硕满载EPU不但不节能还多耗能). ]) z8 r( N2 P) e) ^" b
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n( X% b" H5 x4 f: ^1 k1 h. f3 a9 _3 i: N4 h4 c$ h0 b* ?
1 V9 N6 x$ i# C% E# c( v9 d7 |关于技嘉的12相和华硕的16相 其实就是6相和8相
! M6 N* e. ^& n技嘉的6相PWM都是Intersil的产品,支持VRD11.1最好的PWM,0 F t5 S7 _6 o( s; f" D
这个系列有业界最好的低负荷转换效率以及自动变相功能。
2 N0 ]3 @. [. o/ n: E- L( Q4 x/ S1 \4 p$ Q6 r% ~
华硕的8相PWM来路不明,以往的历史美国AD公司和台湾的Richtech都用过,
% V: [/ b5 m) A/ X/ }属于二流货,其在瞬态反应、动态补偿和能耗上的拙劣表现就说明了这一点。: g& v* s. b; Y: v$ d7 D% f! b
: \, f$ e# }2 }两家只是通过不同的手段用更多电容电感分流了负荷而已,本质确实提高了供电能力,
, l5 A. n% ^7 W4 k当然12相和16相这种宣传手法属于仁者见仁智者见智,不予置评; C7 G9 i' o0 O
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8 A; {% H6 z, R主板选择篇
$ d5 N k# H$ n' Q/ c% D本来是重点,无奈怕掀起品牌口水战,就不得罪人作个好好先生算了。
3 U$ ~7 q ]4 C注重实用选华硕、技嘉,要长期超全固铁感是基本盘,建议1K以上的板子,
* e6 E; m) G0 H. Q4 t玩极限DFI、映泰这些的P45都不错的啦,喜欢折腾的上,( g" N, d( _6 n% V
没有得罪人吧。3 K; T" X! @* n' T5 [
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; {: I, X( ?" f2 X6 F* W/ t. c内存篇
3 s1 }( s9 K; R说到DD2内存,技术已经很成熟,我的观点:& A/ D% l6 r8 k9 E
不要盲目追求低电压、好时序,稳定高效能高容量才是王道。$ I+ t9 u9 i$ A, Z" W. n
很多号称5-5-5-15上1100+的其实都是硬上 性能很差的 JS们都承认的7 e H2 R/ c8 E" p8 S+ x5 ]7 O; u
各位不要迷信什么5-5-5-15,真正最优时序的5-5-5-15才有意义% k7 }5 j6 v. T, [6 C% o; H
为什么?超到1100+都是DDR2的极限了,很多是以缩短寿命的代价硬上的,0 C4 b; \; Y7 A9 k# e. E! i
这种情况下怎么可能有好时序、好性能?!
3 j" m) `) F3 T, n/ k1 U: a! b
7 R/ b3 Z2 a0 L+ b* d说到2G单条,很多人想求5-5-5-15的时序上1200YY,省省吧
~+ Q2 T" e% B6 X8 L2 j, I这个要挑出来的难度比什么神条、黑黄马甲大太多了,
7 I2 F1 J* C% ]5 L挑体质、颗粒,官方绝对比你我把握大,更能保证长期安全运行,5 [+ ~ |7 e' ~
官挑是最放心最有技术说服力的,虽然价格不那么平易近人。
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从各大厂的官网查只有芝奇有一对2GX2的9600对条,5-5-5-15,价格2000+ ) Z! R0 c) d9 ]% o; e: m
这对世界上最强悍的2GX2用的是PSC力晶颗粒 消息来源于沧的拆MJ报告- F0 x3 `# j4 [- E
官标2GX2的:镁光最高1066,OCZ最高1150(5-5-5-18),Hyperx最高1066,海盗最高1066
( R4 ^8 L6 d( U' I$ H但是1GX2官标1200的:Hyperx有,OCZ有,芝奇有,海盗有,寨条更是多不胜数,' b8 L, x, N! S7 G' o
唯独D9的始作俑者镁光没有,有人会说镁光保守厚道,仔细想想,意味深长啊。. F: L* r$ Q' V& ?
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结论再明显不过:2GX2确实1066+都很难,上了也是官挑中的特挑,价格港港的。
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继续聊聊颗粒,PCI在JS的有意引导下养成了D9强迫症,唯D9颗粒YY论比比皆是。' q* l! a; O% r, q: D
D9颗粒的通性就是吃电压,表现为对电压敏感,极限频率高但不够稳定,高压缩肛。! ]; b0 c1 b" i3 d! h
具体的,我感觉这个KST同门神条 VS D9 VS 尔必达的帖子很全面很有说服力
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* a- \( C, @6 l, w+ b1 o总而言之一个基本的准则:官标电压内超,缩肛就不好了。$ b' ]/ }- N6 k& |' [( B
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+ ]& W# t2 _9 Q测试软件及买卖篇5 h1 D; @4 j& q* I* Y A0 m
测试软件作为验证系统及超频稳定性的工具肯定是必不可少的,8 J9 J( O' X3 D
PCI比较流行的测小系统不外乎Pi/CPUZ/OR/Memtest/Everest,
R" a, I9 u# Y% F1 g具体用法及侧重相信大家都很熟悉了,这里要说的是PCI上少部分JS& R! I" ?6 ~6 v) @) H2 T+ O
的作弊手法,其实也很简单,我敢在这里说出来肯定会惹上不少麻烦。6 S; t# _# v3 Q1 i" k- w: k% K
举个简单的例子,一颗4G过不了OR的E8400,就有办法让它过,
, a) Y7 C; r+ M甚至4.5G过OR都是有可能的,方法很简单:软拉外频,
, s) G8 K x: \一线品牌都有软超功能,这就有了钻空子的机会,* |. e: \8 P: B' j
第一步先用默认333外频跑OR,稳得一踏糊涂:lol: 4 [: c4 E( u" L; L) D) H
第二步等到时间够了,加压软拉到500外频,截屏完事 6 G! |. D$ g2 X* T- G5 U! ?2 O1 R
于是4G过OR N分钟的体质图就出炉了,想多久有多久 。) H F1 b* l- X! D! [4 a4 s
9 Q D# S9 n- Q+ Y: O; _; x内存测Memtest依上法炮制,说出来吓各位一条吧。
# z! y2 L J9 b; f5 o4 h小的以前在PCI卖场出自用U/Ram坚持用双OR体质图,: O, t1 E" a; h$ o& S! e$ n% G0 q2 x
目的就是表明RP,但又不便点破少数人的做法,
# p/ w: D) k/ h' {0 S因为双OR更为苛刻,没有那个体质你软拉上500立马报红,
. M& R3 ~2 {1 C/ q7 j但单OR再差也不会立马红掉,怎么也有个几秒时间截图,
1 e7 m' b; ?# G& o0 E$ U" A所以出U的JS绝不会跑双OR给你看的,+ n3 K9 P1 d8 h6 H7 E& E6 j! `
双OR想照上法炮制过OR图的难度极大。! b' F7 u9 F2 X7 D# H7 e1 V k
" L9 Z1 i- y) x- g& M结论:# B g) A( P B! q" r: z/ ]
PCI上进行交易,测试软件这些东西都不是绝对的可靠,RP素王道。& u8 I+ T) Z% ^; x% O
5 C, U6 W% e4 @; V$ q) x
, j& |8 K2 [) J/ Z" [( m9 S以上有点帮助的话务必给顶下支持啊 |
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