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& X- \: o1 u% ^# Z3 ]+ u1 O4 ATOM的测试测温点有问题,你可以发现DS3R和UD3R或者UD3P的供电模块有差异,DS3R的MOSFETs与电感,电容混杂分布,而UD3R/P为了上散热器,将MOS整齐放在一起,你觉得这样去测试该位置的温度差异能得出是铜膜造就的降温效果?
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Intel原装风扇下吹的风流遇到这两种不同结构,你觉得影响会比所谓的铜膜降温来的小?; u' _( k' b# o! V0 ^" o3 M0 A0 l
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倒是Acsii.jp的测试,采用的测温点都是靠近CPU的内存槽的两端,内存槽的位置几乎就是固定不变的,至少DS3R与UD3R的内存槽是一样的,两端的温度差,显然要比你单列的TOM测试结果有意义,而且你不再三宣称的是”不是说加了铜能够降温,而是说加铜能够改善温度分布“,你觉得你的所谓的论据与你的论点有关系吗?几乎相同位置的内存槽就有如此大的温差,不要说是CPU吹出的风流造成的,同一CPU,同一散热器,测温点位置也完全相同,为何能得出如此大的差距?0 f4 l- Y a$ {+ R0 c. v3 V6 ]
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TOM的测试并没有证明加了铜就降温或者说改善温度分布,只能说明,UD3R/P改进的供电MOSFETs的分布,对于供电部分的温度降低有一定的效果。至于铜,谁看到效果了?
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还是那句话,UD3系列是不错的主板,做工和用料都不错,但是加了层铜不过是官方的噱头而已,产生的效果几乎可以忽略,或者说完全没有直接证据来支持加铜有效果的说法。 |
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