|
|
68# klinsmn
+ Y$ l. F P* h: v% Q8 v* DTOM的测试测温点有问题，你可以发现DS3R和UD3R或者UD3P的供电模块有差异，DS3R的MOSFETs与电感，电容混杂分布，而UD3R/P为了上散热器，将MOS整齐放在一起，你觉得这样去测试该位置的温度差异能得出是铜膜造就的降温效果？
. A- C' H1 \ V! S
& Q' g4 i' D2 U) L3 M, S/ d/ YDS3R
% O$ X4 H- v7 N) E# C# g![]()
, }8 b p6 Z' l7 E4 [+ M4 C: B
5 n4 u! l3 {7 GUD3R
! I \, J% v/ `7 P9 A, A5 d![]() / J. e+ A, P p
9 p: D+ R7 `1 K( a2 o
6 q3 {$ w" ~& R$ H; @! g0 mIntel原装风扇下吹的风流遇到这两种不同结构，你觉得影响会比所谓的铜膜降温来的小？; H8 x8 O J) u, w0 |6 Y
+ \8 `. R7 m" `
倒是Acsii.jp的测试，采用的测温点都是靠近CPU的内存槽的两端，内存槽的位置几乎就是固定不变的，至少DS3R与UD3R的内存槽是一样的，两端的温度差，显然要比你单列的TOM测试结果有意义，而且你不再三宣称的是”不是说加了铜能够降温，而是说加铜能够改善温度分布“，你觉得你的所谓的论据与你的论点有关系吗？几乎相同位置的内存槽就有如此大的温差，不要说是CPU吹出的风流造成的，同一CPU，同一散热器，测温点位置也完全相同，为何能得出如此大的差距？6 ? E; z [/ |4 z. ~* I
6 q( a* g2 H4 O- K7 g
TOM的测试并没有证明加了铜就降温或者说改善温度分布，只能说明,UD3R/P改进的供电MOSFETs的分布，对于供电部分的温度降低有一定的效果。至于铜，谁看到效果了？, o4 T9 k# k" E8 u2 w: c
|- L- Z7 D1 d f
还是那句话，UD3系列是不错的主板，做工和用料都不错，但是加了层铜不过是官方的噱头而已，产生的效果几乎可以忽略，或者说完全没有直接证据来支持加铜有效果的说法。 |
|
IP卡
狗仔卡
发表于 2009-2-12 15:40
显身卡