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楼主: D65
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45纳米工艺,AMD的电压竟然保持高压1.3x v,无异于拿用户开玩笑

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21#
 楼主| 发表于 2009-10-18 10:26 | 只看该作者
GPU 120度依然能工作。显然在这之前,所有CPU为了安全起见,在100度之前,都会将处理器停掉。
而AMD在明知自己CPU上不了高频的情况下,强行保留高电压,并虚标温度。使得,CPU在120度的情况下,仍然需要工作。

大半年后,缩肛的AMD废龙,将大面积出现。当然本来CPU用个10年8年的,很正常,现在AMD,缩到3年,也没什么大不了的。

一堆人在瞎JB扯蛋,就AMD的烂工艺,还制程提高了,不用降压,看来真把它当神了。信春哥者,原地自满。
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22#
 楼主| 发表于 2009-10-18 10:29 | 只看该作者
楼主闲的蛋疼
不同的电路设计  能用同样的电压来衡量功耗吗
gentsung 发表于 2009-10-18 10:13


和AMD的前面几代的CPU相比,它就是基本相同的电路。
你意思是AMD很神,改改电路,以后的32纳米,20纳米,照样不用降电压罗,看来真强大啊,果然领先6年。

就一个强行用高电压,来扶住烂体质的事情,也能美化得这么传神。
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hammerking 该用户已被删除
23#
发表于 2009-10-18 10:42 | 只看该作者
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24#
 楼主| 发表于 2009-10-18 10:45 | 只看该作者
电压高就是拿用户开玩笑?   拿功率计对比一下 两个平台再说

实际功率差距不是很大的 。。

我原来E52 Oc 3.33 和  现在 加压超5000 开核到3.52  cpu满载 两个平台的功耗差距是50Watt
当四核5000 频率在2.2 1 ...
hyj201 发表于 2009-10-18 09:33


相同电压,晶体管变细,电流必然升高。而3楼所争辩的,幅度和线性变化问题,尚可讨论一下。
你楼下的那位,自己是个文盲还认为别人是文盲,网上总是有这么一帮人...
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25#
发表于 2009-10-18 11:02 | 只看该作者
还缩肛都说出来了,还确定到大半年后大面积出现,出现了再来骂,别在这扯犊子...........
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26#
发表于 2009-10-18 11:02 | 只看该作者
相同电压,晶体管变细,电流必然升高。而3楼所争辩的,幅度和线性变化问题,尚可讨论一下。
你楼下的那位,自己是个文盲还认为别人是文盲,网上总是有这么一帮人...
D65 发表于 2009-10-18 10:45


知道cmos电路的工作原理吗?知道阀值电压对晶体管电流/漏电流的影响吗?
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hammerking 该用户已被删除
27#
发表于 2009-10-18 11:03 | 只看该作者
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28#
发表于 2009-10-18 11:03 | 只看该作者
出来到现在早过了大半年,别人都用得好好的。楼主还是不要来丢人了。为了***真不容易呀。
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29#
发表于 2009-10-18 11:09 | 只看该作者
有点无聊。默电用。10年都不缩

人家又没让你超
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30#
发表于 2009-10-18 11:18 | 只看该作者
AMD没有VID的吧,默认电压都是主板BIOS设定的吧?

搞不懂

反正当年939 4200+X2官方看电压1.3-1.35V

主板设定默认是1.35V左右,最低只能-0.1V,我就设定的1.25V,默认2.2G,还能超2.5G以上

90NM
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31#
发表于 2009-10-18 11:22 | 只看该作者
我想说I U温度不准。。 如果OR一体制 温度马上90回到60     主板650I的 也可能主板问题。

反正,我已经无视温度了。。。。浮云。
kakavs 发表于 2009-10-18 01:16

是这样的,G45,P45上T7,Q9全部是这样,E52+P43也一样
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32#
发表于 2009-10-18 11:44 | 只看该作者
对这种纯电压论不感冒,当初制程为M0和G0的E2160就是最好的例子。
测试过,1.1Xv的G0和1.4v的M0同频率下,功率基本上一样。

你说这电压还能证明什么?
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33#
发表于 2009-10-18 11:46 | 只看该作者
我的默认电压1.39,空闲40度,满载50度,裸奔,散热是3热管侧吹大铜底9CM的冰锋工包。
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34#
发表于 2009-10-18 11:49 | 只看该作者
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35#
发表于 2009-10-18 11:57 | 只看该作者
对这种纯电压论不感冒,当初制程为M0和G0的E2160就是最好的例子。
测试过,1.1Xv的G0和1.4v的M0同频率下,功率基本上一样。

你说这电压还能证明什么?
白沙 发表于 2009-10-18 11:44


有力的论据....
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36#
 楼主| 发表于 2009-10-18 12:04 | 只看该作者

知道cmos电路的工作原理吗?知道阀值电压对晶体管电流/漏电流的影响吗?
spinup 发表于 2009-10-18 11:02


你指望这点电压马上就能达到击穿?但显然,电压越低,离开击穿越远。
并非AMD不想降电压,而是它的烂制程,没办法实现。

高频上不去,就电压撑。
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37#
 楼主| 发表于 2009-10-18 12:07 | 只看该作者
本帖最后由 D65 于 2009-10-18 12:23 编辑
对这种纯电压论不感冒,当初制程为M0和G0的E2160就是最好的例子。
测试过,1.1Xv的G0和1.4v的M0同频率下,功率基本上一样。

你说这电压还能证明什么?
白沙 发表于 2009-10-18 11:44


在楼上已经说明得很清楚,越远离击穿电压,对谁都有好处。
在CPU足够稳定运行的情况下,电压尽量低这是处理器从来没有改变过的趋势。

至于你说的功耗基本一样,拜托,不要拿一个功耗没有真正满载的不严谨测试来作什么讨论。另外漏电电流得到改善,功耗降低是必然的。但强到AMD这样装B的,3代CPU,电压都不用变,还真是罕见,果然领先6年。
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hammerking 该用户已被删除
38#
发表于 2009-10-18 12:14 | 只看该作者
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39#
发表于 2009-10-18 12:19 | 只看该作者
在楼上已经说明得很清楚,越远离击穿电压,对谁都有好处。
在CPU足够稳定运行的情况下,电压尽量低这是处理器从来没有改变过的趋势。
D65 发表于 2009-10-18 12:07

击穿电压.....啥时候的老黄历了...........
要说栅介电层磨损的话...低电压的工艺比高电压的小一个数量级都很普通.....这里面的道理嘛,比较复杂,知道的人未必肯说 包括我 。最多点到为止,看人出丑更好玩。
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40#
 楼主| 发表于 2009-10-18 12:26 | 只看该作者
击穿电压.....啥时候的老黄历了...........
要说栅介电层磨损的话...低电压的工艺比高电压的小一个数量级都很普通.....这里面的道理嘛,比较复杂,知道的人未必肯说 包括我 。最多点到为止,看人出 ...
spinup 发表于 2009-10-18 12:19


反而是我不愿意看你露底。
AMD再过三代,电压还是不变,因为已经老黄历了。AMD的CPU绝对不会存在击穿的问题。领先6年嘛,怎么会击穿呢。
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