45纳米工艺，AMD的电压竟然保持高压1.3x v，无异于拿用户开玩笑

D65

今天也就卖弄一下。

现代的工艺有两个参数很讲究。第一个是栅介质厚度。对于硅氧材料的栅介质来说，厚度2nm以上栅泄漏基本可以忽略，不过2nm以下栅泄漏指数上升。同面积同电压下1nm栅氧层泄漏将是2n ...
spinup 发表于 2009-10-18 13:14

洋洋洒洒，写这么多，写多无益，CPU发展的历史，就是制程提高，电压不断下降的历史。
在现阶段，AMD面临的是无法降低电压的窘境，你上面列的这些，只不过是AMD替自己打圆场的一些迂回套路而已。

你看他下个工艺，还敢不敢用这么高的电压，他还会不会重点highlight，所谓的某些情况下。

不过也总算比一堆后面跟屁，又没有实际东西的喷粉好。至少还能绕一绕。

spinup

那嘉蓝，ibm或者说AMD，SOI会进化到什么程度？

32nm及之后还会用到CPU上吗？不用SOI应该是转向High-k吧？IBM/AMD的High-K就性能来说，和intel的那个gate first相比哪个好？

7.58亿晶体管的phenomii 9xx面积是 ...
exiaoran 发表于 2009-10-18 14:06

至今用的还是PD-SOI也就是部分耗尽型SOI。按本来的计划要逐渐向FD-SOI过渡。不过FD-SOI要仅几十纳米厚的硅膜，至今似乎还没有量产的可能.....一个可能的思路是多栅极晶体管或者Fin-FET。IBM已经在用Fin-FET做22nm的实验型电路了。

high-k与SOI没有矛盾，一起使用与high-k用在体硅上并没有大的区别。

HKMG的实现，intel是gate last, IBM公开的说法是gate first。我了解的都是gate last，这个工艺比较复杂。IBM的gate first我并不了解，理论上应该比gate last简单得多。不过我觉得很有可能需要付出灵活性较低和性能略低的代价。

spinup

洋洋洒洒，写这么多，写多无益，CPU发展的历史，就是制程提高，电压不断下降的历史。
在现阶段，AMD面临的是无法降低电压的窘境，你上面列的这些，只不过是AMD替自己打圆场的一些迂回套路而已。

你看他下个工 ...
D65 发表于 2009-10-18 14:21

不是教你啥东西。

看不懂的继续吹好了。看得懂的自然知道。

china17

......................

do179x

lz 难道就是“高达”传说中的D65?.......

D65

虽然我用INTEL，虽然我追求的是低压U，自己在用0.832V默认频率能过OR的E52

但是不得不说，不同的U，不同的内阻如何能要求相同电压？380V的电机就一定比220V的耗电大？所以380V的以后必将淘汰掉？
中国是220V标 ...
slr 发表于 2009-10-18 12:56

这么多喷子，你的下限最低了。你先考量下自己的比喻是否恰当。
AMD自己的制程和自己比，有何不可？内阻，我快喷了，你大概认为CPU是个纯电阻是吧，连220V都抬出来了。

另外i7移动版已经是0.65v起跳了，先搞清楚再来吧。不要再秀下限了，你所谓的PM，1.1V左右起跳～1.35V为工作电压范围。作为你这种文科生，不要参合是最好的。

zhishixc

P2出来半年多了 也没看谁说他的U废了

D65

不是教你啥东西。

看不懂的继续吹好了。看得懂的自然知道。
spinup 发表于 2009-10-18 14:28

再来看看TSMC
4870 55纳米，1.2V
5870 40纳米，1.15V

制程提升，电压降低，不降低的是因为在死撑，而不是你绕出来的那一套。

duan325058

呵呵，很有意思啊，看你们GO ON，我来学习的

D65

P2出来半年多了 也没看谁说他的U废了
zhishixc 发表于 2009-10-18 14:39

前提已经讲得很清楚，本来可以用10年的CPU，缩到3年，对不少人来说的确无所谓。
可有些人，在本来电压已经很高的基础上，还加压，开核，自得其乐。

过个一年半载，缩肛之后，打断牙齿往自己肚子里咽。真正可悲的是被他拉下水的人。

duan325058

看来A和IFANS太多了

slr

这么多喷子，你的下限最低了。你先考量下自己的比喻是否恰当。
AMD自己的制程和自己比，有何不可？内阻，我快喷了，你大概认为CPU是个纯电阻是吧，连220V都抬出来了。

另外i7移动版已经是0.65v起跳了，先搞清 ...
D65 发表于 2009-10-18 14:36

移动I7电压0.65V起跳，OK,那它的TDP多少？
45W起跳吧，我很奇怪为什么你举了一个低压反而更高功耗的例子

拿个0.65V 45W的U出来，是不是能说低压不等于低功耗？
能不能反证高压不等于高功耗？

slr

请回答我关于移动版I7功耗的问题~~~

个人认为是，INTEL是不得不降，45W的I7移动版，要是还不降到一个最低值，恐怕要变成65W。这默认要是0.65V的话，你能手动再降么?

桌面的U要求远没这么高，1.185V VID的E52可以降到0.832V用，1.35V的BE-2300（我的上一台机器）可以降到1.05V使用。I7再降个0.3V行么？

slr

CPU必然不是纯电阻，但是不同的U的工作电压和功耗没有必然关系。INTEL的U有个特点就是高压缩肛，不得不降低电压

slr

这么多喷子，你的下限最低了。你先考量下自己的比喻是否恰当。
AMD自己的制程和自己比，有何不可？内阻，我快喷了，你大概认为CPU是个纯电阻是吧，连220V都抬出来了。

另外i7移动版已经是0.65v起跳了，先搞清 ...
D65 发表于 2009-10-18 14:36

P-M ULV，默认频率稳定过OR的电压是0.892V，600Mhz待机状态是0.784V，请问酷睿2 的ULV最低能跑多少？很大进步？

CPU当然不是纯电阻，但是你敢说同一批的每块CPU同电压的工作电流都相同？那VID是写着玩的？

exiaoran

请回答我关于移动版I7功耗的问题~~~

个人认为是，INTEL是不得不降，45W的I7移动版，要是还不降到一个最低值，恐怕要变成65W。这默认要是0.65V的话，你能手动再降么?

桌面的U要求远没这么高，1.185V VID的E52可 ...
slr 发表于 2009-10-18 15:01

i7降0.3V跑默认还是很可以的，除非超级大雷

我这个跑2.66G开tb开HT只要0.912V就可以了，温度就很低了，VID是1.225v