45纳米工艺，AMD的电压竟然保持高压1.3x v，无异于拿用户开玩笑

spinup

反而是我不愿意看你露底。
AMD再过三代，电压还是不变，因为已经老黄历了。AMD的CPU绝对不会存在击穿的问题。领先6年嘛，怎么会击穿呢。
D65 发表于 2009-10-18 12:26

要是我说intel是不得不降低电压，不得不在45nm上high-k，你会怎么想？

2厘米厚的石板和1厘米厚的石板，哪个更容易被水滴穿？

D65

要是我说intel是不得不降低电压，不得不在45nm上high-k，你会怎么想？

2厘米厚的石板和1厘米厚的石板，哪个更容易被水滴穿？
spinup 发表于 2009-10-18 12:30

看来AMD用的是钢板，所以不怕击穿。你认为AMD不用high-k?

我只知道，AMD还强大到，玩一玩漏电电流，以后就不需要降压了，目前的阶段，显然不是他不想降，而是他降不下来。硬撑。

L2S

击穿电压.....啥时候的老黄历了...........
要说栅介电层磨损的话...低电压的工艺比高电压的小一个数量级都很普通.....这里面的道理嘛，比较复杂，知道的人未必肯说 包括我 。最多点到为止，看人出 ...
spinup 发表于 2009-10-18 12:19

嘉蓝 在这个帖子里谈技术是浪费精力 除非蛋疼

slr

GPU 120度依然能工作。显然在这之前，所有CPU为了安全起见，在100度之前，都会将处理器停掉。
而AMD在明知自己CPU上不了高频的情况下，强行保留高电压，并虚标温度。使得，CPU在120度的情况下，仍然需要工作。

大 ...
D65 发表于 2009-10-18 10:26

虽然我用INTEL，虽然我追求的是低压U，自己在用0.832V默认频率能过OR的E52

但是不得不说，不同的U，不同的内阻如何能要求相同电压？380V的电机就一定比220V的耗电大？所以380V的以后必将淘汰掉？
中国是220V标准电压，那么110V标准电压的就比220的要好得多？有点常识好么！

slr

GPU 120度依然能工作。显然在这之前，所有CPU为了安全起见，在100度之前，都会将处理器停掉。
而AMD在明知自己CPU上不了高频的情况下，强行保留高电压，并虚标温度。使得，CPU在120度的情况下，仍然需要工作。

大 ...
D65 发表于 2009-10-18 10:26

我们来场赌局吧，版主开贴，转入阿祥的账号，半年为限，输者就当给论坛做贡献，如何？

slr

玩低压INTEL也玩了好多年了，我上一台笔记本是第一代迅驰
东芝dynabook ss2110，U是Pentium-M ULV 1.1G，多少年自己算吧，默认电压和最新的SU也差不了多少，90NM升级45Nm也没啥用嘛，是不是INTEL也技穷了？

拿几毛钱拿的真不容易！还要被人问候母亲，劝您还是转行吧

spinup

目前的事实就似乎amd的45nm u都用得好好的，真劳某位劳费心了，要是过了一年半载的还是用的好好的，我真替某id担心。。。
嘉蓝大就不必对只会臆断的人说技术了，他就没想弄明白。。。
hammerking 发表于 2009-10-18 12:49

今天也就卖弄一下。

现代的工艺有两个参数很讲究。第一个是栅介质厚度。对于硅氧材料的栅介质来说，厚度2nm以上栅泄漏基本可以忽略，不过2nm以下栅泄漏指数上升。同面积同电压下1nm栅氧层泄漏将是2nm的1百万倍量级。

栅泄漏大功耗当然也大，而写泄漏大了对栅氧层磨损也大，所以到1nm就不得不改用high-k介电质以提高物理厚度。high-K当然是好东西，但是其代价也非常高，所以有其他选择的话厂商就尽力不上high-k---tsmc roadmap上32nm都有high-k和无high-k的选择。

和双极型晶体管相似的击穿啥的都要2-3V电压才能讨论，所以现在CMOS工艺基本没这方面的问题。栅磨损是工艺上最直接与电压相关的失效原因。假如把电压看作滴水的房檐的高度，面对1厘米厚石板与2厘米厚石板的区别，12米与14米的高度差影响会很大吗？

第二个是阀值电压。这里也有个关键参数:0.3V。阀值电压高于0.3V，亚阀泄漏基本可以忽略，而低于0.3V,泄漏也是指数上升。高速CMOS电路工作电压一般是阀值电压的4倍以上。所以1.2V电压也是个微妙的数字。

工作电压越高，工作时的动态功耗越大，但是如果为了降低工作电压而降低阀值电压，泄漏功耗却会急剧增加。低电压高功耗现在并不是怪事，而几乎是必然。

slr

这个强~ 不过话说回来，认真你就输了，何必呢~
hammerking 发表于 2009-10-18 13:15

嘴皮子谁不会。我就看不惯几毛党抹黑AMD。虽然我用的是INTEL，但没AMD我绝对用不到400块的E5，估计高频低能的奔四还是天价呢。竞争要良性，无理由的抹黑行为就该BS。

L2S

仔细想一下 某些个知名号子存活在那里未必是坏事。

动物园都有个猴山呢。

spinup

学习了~amd/ibm的45nm没有用hk，是不是说明栅厚度没intel那么薄？
hammerking 发表于 2009-10-18 13:24

可以在网上搜索。

比较厚有厚的好处与不利之处。双方的选择都有他们自己的原因。

lflysx

没事有***党来娱乐一下也不错。很纳闷LZ是不是连初中都没毕业，功耗怎么计算的概念都搞不清楚

spinup

恩，IBM声明过hk对于45nm并不是必要的，用不用应该是有所取舍的。。
hammerking 发表于 2009-10-18 13:41

根据一些资料，其实ibm搞定32nm用的high-k的时候45nm还没搞定。

这么微小的尺度下很多匪夷所思的事情都可能发生。

冰灵鬼

相同电压，晶体管变细，电流必然升高。而3楼所争辩的，幅度和线性变化问题，尚可讨论一下。
你楼下的那位，自己是个文盲还认为别人是文盲，网上总是有这么一帮人...
D65 发表于 2009-10-18 10:45

相同电压，晶体管变细，电流必然升高
什么神论，唉，你绝对不是文盲，你识字，所以你是科盲

红发IXFXI

amd的cpu我一直用还没有挂掉的。。。。lz杞人忧天

exiaoran

根据一些资料，其实ibm搞定32nm用的high-k的时候45nm还没搞定。

这么微小的尺度下很多匪夷所思的事情都可能发生。
spinup 发表于 2009-10-18 13:46

那嘉蓝，ibm或者说AMD，SOI会进化到什么程度？

32nm soi+hkmg gate fire和intel的gate last相比哪个好？

7.58亿晶体管的phenomii 9xx面积是258mm^2

4.1x2亿晶体管的Q9xxx面积只有214mm^2

晶体管密度是130：100的样子，为什么差距这么大？