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本帖最后由 xf-108 于 2013-11-25 21:57 编辑
相比之下,台漏电20nm烂工艺不过相比28nm同功耗提升15%性能或者同性能减少20%功耗,烂的要死。
16nm Finfit相对28nm才能达到类似intel 32nm到22nm的进步幅度。
也就是说2016年台漏电方面可以使用的伪16nm工艺(后端只有20nm)从物理角度只能提升2倍性能。
传说中ARM阵营将会实现一年翻一番,三年涨8倍,我只能哈哈哈哈哈哈……看来内核会发电,Cache会发电,GPU会发电,LTE芯片、内存也都能发电啦。
merrifield的GPU要比现在的cover trail+增长2倍,CPU要增长1.7倍,比如猜一猜规格会是多少?
CPU双核2.4G?2.7G?GPU是低频的G6400?
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