发CN贴，让大家了解一下IBM在芯片制造工艺上的造诣，希望没跑题:)

itany

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:34 发表


Bulk=Strained Silicon是你说地:lol: ，我又没说，只是说单纯的单晶硅Bulk是不可能做出来32nm，Intel在90nm时候就不是单纯的Bulk了，只不过wafer还是轻参杂单晶硅，但是必须引入SiGe混合物！反正我认为Bulk是一个 ...

我的意思是：“32nm Bulk（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序)”，阁下完全掩盖了Intel在32nm工艺上的优势
本来就不是“技术流”，何必在意别人说“伪技术流”呢 :shifty:
现在天气冷，带个帽子防止感冒 B)

Asuka

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:13 发表


Intel的k有多High:lol:  ，能给个数据不，感兴趣，什么材料地？

我觉得你很CCTV哎 o:)

Asuka

恒定20A/cm2电流，200s击穿

恒定-43V电压，140s击穿

如果上IBM现在的SiO2，毫秒级别就完蛋了

这就是某社干爹现在的尴尬处境 :shifty:

UCBerkeley

原帖由 itany 于 2008-2-2 16:05 发表


我的意思是：“32nm Bulk（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序)”，阁下完全掩盖了Intel在32nm工艺上的优势
本来就不是“技术流”，何必在意别人说“伪技术流”呢 :shifty:
现在天气冷，带个 ...

这句有何问题-_- ，反正我认为32nm Bulk 和 32nm SOI，字面上体现的是Bulk和SOI，也就是两种substrate（SOI在降低成本和解决hot-carrier等问题后比传统的单晶硅Bulk有着明显的优势)，而某些技术流却认为Bulk是什么新技术的名词，所以我才加入"（Intel是用普通wafer加一道引入Strained Silicon的工序）",意思就是，如果不加入应力硅，光靠传统的Bulk根本不可能解决32nm的电子速率饱和问题-_- -_-  而且Strained Silicon wafer也在研发当中，所以strained silicon wafer也是一种bulk-在单晶硅上沉积SiGe混合物的Bulk，是可以实现strained silicon效应的wafer, strain silicon指的是在channel中的硅原子, 如果你认为是在SiGe混合物中的硅原子的话...-_- :lol: :lol:

UCBerkeley

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 16:26 发表
恒定20A/cm2电流，200s击穿

恒定-43V电压，140s击穿

如果上IBM现在的SiO2，毫秒级别就完蛋了

这就是某社干爹现在的尴尬处境 :shifty:

也来一句：选择性请注意文明用词？IBM没有High K？45nm还用SiO2？-_- :lol: :lol: :lol:

我不是Fans，所以什么社跟我无关，用的也是Intel的CPU，而且当年P4被A fan骂成垃圾时，我是支持Intel(虽然用的AMD的CPU:lol: ）,因为Intel在桌面CPU和PC发展史上的地位是AMD无法替代的，如果没有Grove的偏执, 桌面CPU和PC的历史将会倒退10年:lol: ，客观是我地风格，PCI还真有点CCTV啊！

UCBerkeley

Shi Ming都被某种水产么，以前看到过有帖子没被某种水产地:unsure: CCTV还在:lol:

Prescott

不看广告，看疗效。
IBM的45，和Intel的65性能很相似嘛


[ 本帖最后由 Prescott 于 2008-2-2 16:55 编辑 ]

Asuka

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 16:46 发表


也来一句：选择性请注意文明用词？IBM没有High K？45nm还用SiO2？-_- :lol: :lol: :lol:

我不是Fans，所以什么社跟我无关，用的也是Intel的CPU，而且当年P4被A fan骂成垃圾时，我是支持Intel(虽然用的AMD的C ...

INTEL之前在Al2O3上之前的积累终于产生最本质的甜头了，能够在前驱过程实现这么复杂的化学反应，并且生成热力学上不算很稳定而且不是很好生成的金属间共化物，这表明之前INTEL在Al2O3的PVD上确实下了不小的力气。

INTEL现在这个氧化物层的性能领先SiO2起码25个数量级，而且还有提升的空间，比如目前的沉积并没有取向选择，过渡层内部还可以通过人为取向沉积进一步优化结构。低温沉积工艺也有进一步提升的空间，甚至今后还可以进一步的做HfO2/HfAlO/HfAlSiOx/HfSiO4的超级氧化物层......

PS，

IBM的High-K？

IBM的45nm？

:charles: 请告诉我在哪里？ 苏黎世的宅男实验室里？？ :charles:

itany

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 16:32 发表

这句有何问题-_- ，反正我认为32nm Bulk 和 32nm SOI，字面上体现的是Bulk和SOI，也就是两种substrate（SOI在降低成本和解决hot-carrier等问题后比传统的单晶硅Bulk有着明显的优势)，而某些技术流却认为Bulk是什 ...

阁下要搞清楚，这里讨论的是32nm工艺的实现形式，而不是所谓的SOI和普通Bulk之间的比较
SOI通过赠机额外的绝缘层来抑制漏电，而变应硅技术可以在更小的驱动电压下保证通过晶体管的驱动电流，这样也可以减少漏电和功耗，提高性能。IBM所谓的改进型的SOI也是通过将硅原子拉伸来增加驱动电流，和Intel的实现形式就是一回事，但是效果又如何呢？
另外，SOI是在晶圆生产的过程中实现的，而通过Ge层来拉伸Si是在晶圆完成之后进行的处理过程。本来是否采用SOI也是Intel在审时度势之后作出的抉择。这就如同Intel在32nm要同时采用干式刻蚀和浸润式刻蚀两种技术来生产一样。这表明Intel是在统观全局的基础上取长补短和博采众长，而IBM正是在远离正途的小道上艰难的跋涉罢了

UCBerkeley

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 16:56 发表


INTEL之前在Al2O3上之前的积累终于产生最本质的甜头了，能够在前驱过程实现这么复杂的化学反应，并且生成热力学上不算很稳定而且不是很好生成的金属间共化物，这表明之前INTEL在Al2O3的PVD上确实下了不小的力气。 ...

哈哈，是够High的，蓝宝石，PVD:lol:
关于IBM的45nm，这个月的ISSCC 2008上就发布，可以去听一下，顺便带上"PCI技术第一流"Itany:lol: :lol: :lol:

High K http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/20980.wss 自己看:devil:

itany

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 17:13 发表


哈哈，是够High的，蓝宝石，PVD:lol:
关于IBM的45nm，这个月的ISSCC 2008上就发布，可以去听一下，顺便带上"PCI技术第一流"Itany:lol: :lol: :lol:

High K http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressreleas ...

我从来都是“伪技术流”的，关键就是“抛砖引玉”，等到牛人来了好学习提高的…… :shifty:

Asuka

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 17:13 发表


哈哈，是够High的，蓝宝石，PVD:lol:
关于IBM的45nm，这个月的ISSCC 2008上就发布，可以去听一下，顺便带上"PCI技术第一流"Itany:lol: :lol: :lol:

High K http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressreleas ...

原来是美好蓝图啊，我还以为量产了呢，害我白惊喜一场 :ermm:

UCBerkeley

原帖由 itany 于 2008-2-2 17:09 发表


阁下要搞清楚，这里讨论的是32nm工艺的实现形式，而不是所谓的SOI和普通Bulk之间的比较
SOI通过赠机额外的绝缘层来抑制漏电，而变应硅技术可以在更小的驱动电压下保证通过晶体管的驱动电流，这样也可以减少漏电 ...

"我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗" 这是另一"技术流"Prescott说的，我的那个回复就是针对这个地:rolleyes: ，Prescott这句话意思就是SOI的32nm技术比bulk的32nm差远了:shifty:

itany

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 17:36 发表


"我倒是要看看SOI的32nm，怎么和Intel的bulk 32nm对抗" 这是另一"技术流"Prescott说的，我的那个回复就是针对这个地:rolleyes: ，Prescott这句话意思就是SOI的32nm技术比bulk的32nm差远了:shifty:

Intel的bulk 32nm

局限于SOI和Bulk之争岂不是和现在仍然局限于CISC和RISC之争一样可笑么？

acqwer

原帖由 Asuka 于 2008-2-2 16:56 发表


INTEL之前在Al2O3上之前的积累终于产生最本质的甜头了，能够在前驱过程实现这么复杂的化学反应，并且生成热力学上不算很稳定而且不是很好生成的金属间共化物，这表明之前INTEL在Al2O3的PVD上确实下了不小的力气。 ...

IBM的45nm可能真的搞定接近量产了，AMD、SONY现在不都在吹即将来到的45nm:p。
不过某公司的45nm上High-K的牛皮已经确定吹破。

acqwer

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 15:50 发表

发现这论坛还真是有些CCTV人，我发这个帖子只不过是让大家了解IBM的工艺，也根本没有吹嘘什么东西，全是IBM网站的文章，事实就是事实，如果你说IBM在官网上吹牛...-_-
Power6 4.7G的良品率是多少?:shifty: 拿出数 ...

IBM官网上的lotus、DB2等软件的介绍哪个不是完胜竞争对手的，实际嘛……

bessel

实际嘛，有300GB/s的带宽顶着呢，娃哈哈。

原帖由 acqwer 于 2008-2-2 21:24 发表

IBM官网上的lotus、DB2等软件的介绍哪个不是完胜竞争对手的，实际嘛……

UCBerkeley

原帖由 acqwer 于 2008-2-2 21:21 发表

IBM的45nm可能真的搞定接近量产了，AMD、SONY现在不都在吹即将来到的45nm:p。
不过某公司的45nm上High-K的牛皮已经确定吹破。

不用high k 就搞定45nm岂不是更牛:lol:

itany

原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 22:35 发表

不用high k 就搞定45nm岂不是更牛:lol:

汽车不装轮胎也能上路，很牛吧，只不过就是做的人难受点罢了

Prescott

每年总是有些无知小白，把IBM的PR稿当令箭。去年那个什么gxxx2000已经消失了，再也不敢出现，今年又来一个。:wacko: