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发CN贴,让大家了解一下IBM在芯片制造工艺上的造诣,希望没跑题:)

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1#
发表于 2008-2-2 00:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
一张图片,说明一切:lol: 10 years, 10 Breakthroughs:

研究了一下,错误难免,仅供参考:lol: 原文在这里http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21474.wss

1.Copper-铜互联技术(1997年9月)取代铝线,提供更好的导电特性,减少RC延迟,使电路在高频下满足时序要求。

2.SOI-绝缘体上硅技术(1998年8月),在普通的wafer沉积上一层氧化物(最开始时是AL2O3,也就是人工蓝宝石:lol: )提供比单晶硅更好的绝缘性,减少功耗。

3.Strained Silicon-应力硅技术(2001年6月),就是硅基沉积在硅锗(15%的锗)混合物上,因为原子的特性,硅基上的原子与下面硅锗混合物中的硅要align(对齐?),硅锗混合物的中的硅原子之间的间距要比硅基中的硅原子间距大,从而硅基中的硅原子间距就变大了,减少了对电子移动的阻力,电子就跑的很快啦,移动电子所需做的功也小了,功耗也小了:lol:

4.Dual-Core Microprocessors-双核处理器Power4(2001年10月)这个就不用说了,地球人都知道:lol:

5.Immersion Lithography-浸没式光刻技术(2004年10月)这个不太懂,google了一段:"浸没式光刻技术是将某种液体充满投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片之间来增加系统的数值孔径,可以将193 nm光刻延伸到45 nm节点以下"应该就是增加的光刻的分辨率。

6.Frozen SiGe Chip-冷冻硅锗芯片(2006年6月),硅锗技术的低成本解决方案,硅锗技术一般是用在光通信和无线通信领域,运行频率比CPU要高一到两个数量级。

7.High-K-高K金属栅极(2007年1月)k就是介电常数,高k,意味着更高的电容率,相同电压下可以承受更多的电荷,从而减少栅极的隧道电流。

8.eDRAM-嵌入式DRAM(2007年2月),哈哈,这个好,DRAM有可能取代SRAM成为二级缓存使用的存储器件,同样的面积eDRAM可以实现3倍(要是普通的DRAM,就是6倍,但是运行频率不行)SRAM的容量,功耗却只有SRAM的1/5。

9.3-D Chip Stacking-三维芯片堆叠(2007年4月)把多个芯片(die)垂直堆叠在一起,减少封装面积,加快各个模块之间的信号传递速度。
10.Airgap-真空绝缘隙?(2007年5月)用真空取代原来铜互联线之间的low k绝缘体,因为真空的k是最low地:lol: ,所以更好地减少Copper Wire之间的电容,提高信号传输速度

[ 本帖最后由 UCBerkeley 于 2008-2-2 08:02 编辑 ]

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2#
发表于 2008-2-2 00:54 | 只看该作者
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3#
 楼主| 发表于 2008-2-2 07:11 | 只看该作者
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1.Copper (September 1997) - Replacing aluminum wiring in chips had been thought by most to be impossible, for a number of technical reasons. An IBM team overcame those technical problems, bringing copper wires into production quickly, giving an immediate boost to chip performance. IBM’s pioneering techniques are now the industry standard.

2.SOI (August 1998) - Silicon on Insulator technology reduces power consumption and increases performance by helping insulate the millions of transistors on modern chips. The industry had been working on this technology for 15 years before IBM made it happen.

3.Strained Silicon (June 2001) -- This technology stretches the material inside chips, decreasing the resistance and speeding the flow of electrons through transistors to increase performance and decrease power consumption.

4.Dual-Core Microprocessors (October 2001) - POWER4, the world's first dual-core microprocessor, was announced as part of Regatta, a System p server and the world's most powerful. More than two years would pass -- an eternity in the technology business -- before our first competitors brought a dual-core chip to market.

5.Immersion Lithography (December 2004) - IBM announces it is the first company in the world to use this new manufacturing technology – a method to build chips with ever smaller features -- to produce commercial microprocessors.

6.Frozen SiGe Chip (June 2006) – In the 1990s, IBM first uses Silicon Germanium to replace more expensive and exotic materials, leading to smaller, faster and lower cost chips, and pushing IBM into the business of selling chips to companies for wireless products, such as mobile phones and routers. Last year, IBM pushed the limits of its SiGe technology again when it teamed with Georgia Tech -- with support from NASA -- to demonstrate the first silicon-based chip capable of operating at frequencies above 500GHz, by "freezing" the chip to near absolute zero.

7.High-k (January 2007) - IBM announces a solution to one of the industry's most vexing problems -- transistors that leak current. By using new materials IBM will acreate chips with "high-k metal gates" that will enable products with better performance that are both smaller and more power efficient.

8.eDRAM (February 2007) - By replacing SRAM with an innovative new type of speedy DRAM on a microprocessor chip, IBM will be able to more than triple the amount of embedded memory and boost performance significantly.

9.3-D Chip Stacking (April 2007) - IBM announces the creation of three-dimensional chips using "through-silicon vias,"  allowing semiconductors to be stacked vertically instead of being placed near each other horizontally. This cuts the length of critical circuit pathways by up to 1,000 times.

10.Airgap (May 2007) - Using a "self assembly" nanotechnology IBM has created a vacuum between the miles of wire inside a Power Architecture microprocessor reducing unwanted capacitance and improving both performance and power efficiency.
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4#
发表于 2008-2-2 08:04 | 只看该作者
是你翻译的嘛~~~
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5#
发表于 2008-2-2 08:30 | 只看该作者
45nm呢?32nm?
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6#
 楼主| 发表于 2008-2-2 08:59 | 只看该作者

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哈哈,不是翻译地,翻译就太多了,是我看完后按自己的理解编的:sweatingbullets: :lol:
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7#
发表于 2008-2-2 09:03 | 只看该作者
IBM的PR做的就是好。不得不服啊。
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8#
 楼主| 发表于 2008-2-2 09:15 | 只看该作者
原帖由 xjd2000 于 2008-2-2 08:30 发表
45nm呢?32nm?


IBM的ASICs Solution,包括了45nm解决方案
http://www-01.ibm.com/chips/techlib/techlib.nsf/techdocs/9BF3EC138A82223B8725708B004C6471

32nm的SRAM已经做出来了,09年应该就可以成为CPU的生产工艺了

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9#
 楼主| 发表于 2008-2-2 09:23 | 只看该作者
原帖由 Prescott 于 2008-2-2 09:03 发表
IBM的PR做的就是好。不得不服啊。

PR? 什么东东,:o Public relations? IBM的公众形象确实不错,虽然它的大部分产品不是面向个人消费者
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10#
发表于 2008-2-2 09:32 | 只看该作者
对IBM 45nm的193nmArF浸没式光刻技术疑问,请问IBM什么时候生产出完整逻辑的45nm的SRAM?
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11#
发表于 2008-2-2 09:37 | 只看该作者
原帖由 Prescott 于 2008-2-2 09:03 发表
IBM的PR做的就是好。不得不服啊。


我个人理解,IBM以前在个人PC,尤其是笔记本方面留下了很好的口碑,但是价格高高在上,很多人以有IBM的产品为豪,对其高端产品更加YY,但是如果RS6000、p595等和SUN 的E15K,要我选,我会选E15K。
另外一个比较郁闷的是当年IBM的硬盘给我留下极坏的印象,数十个GB的数据全毁了,幸好不是关键业务上的数据,否则我这辈子休想再有任何自由。
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12#
发表于 2008-2-2 09:41 | 只看该作者
原帖由 AMD11 于 2008-2-2 09:37 发表


我个人理解,IBM以前在个人PC,尤其是笔记本方面留下了很好的口碑,但是价格高高在上,很多人以有IBM的产品为豪,对其高端产品更加YY,但是如果RS6000、p595等和SUN 的E15K,要我选,我会选E15K。
另外一个比较 ...

不过我现在最期待的是融合CSI的Tukwila,算是一个安腾系列的痴汉吧,幸好研究院对安腾的技术也垂涎三尺。:loveliness:
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13#
 楼主| 发表于 2008-2-2 10:07 | 只看该作者
原帖由 AMD11 于 2008-2-2 09:32 发表
对IBM 45nm的193nmArF浸没式光刻技术疑问,请问IBM什么时候生产出完整逻辑的45nm的SRAM?


浸没式光刻这个不太懂,应该是类似Optical Proximity Correction(光学近似校正?)和Phase-shift Mask(移相掩膜?)的东东,最高精度达到了29.9nm, 应付32nm已经不成问题了,而且MS在2006年就搞定了:w00t):
45nm工艺在IBM的Foundary和ASICs的Solution中都已经上架了,做片SRAM应该小菜一碟:lol:
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14#
 楼主| 发表于 2008-2-2 10:19 | 只看该作者
原帖由 AMD11 于 2008-2-2 09:37 发表


我个人理解,IBM以前在个人PC,尤其是笔记本方面留下了很好的口碑,但是价格高高在上,很多人以有IBM的产品为豪,对其高端产品更加YY,但是如果RS6000、p595等和SUN 的E15K,要我选,我会选E15K。
另外一个比较 ...


只用过IBM的键盘,还是OEM工包地:sweatingbullets: , 其实感兴趣的只是IBM在基础领域里的研究:半导体工艺,处理器架构...
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15#
发表于 2008-2-2 10:30 | 只看该作者
:w00t): :blink: 常青树ibm,很多和ibm竞争过的公司都消失了
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16#
发表于 2008-2-2 10:44 | 只看该作者
原帖由 UCBerkeley 于 2008-2-2 10:07 发表


浸没式光刻这个不太懂,应该是类似Optical Proximity Correction(光学近似校正?)和Phase-shift Mask(移相掩膜?)的东东,最高精度达到了29.9nm, 应付32nm已经不成问题了,而且MS在2006年就搞定了:w00t):
45nm ...


1、193 nm ArF浸没式光刻技术被IBM扩展到22nm,而不是只到32nm,IBM目前排除EUV在22nm上的应用。
2、仅仅“Foundary(?:blink:Foundry ?)和ASICs的Solution”是不能说上架的,方案是必须经过验证的,IC上,只有能够生产出相应尺度SRAM之后,才能说该尺度得技术具备了生产可行性,而不是Solution。IBM现在在45nm上的确可以作了SRAM,不过要大规模进入生产,还要一段时间,可能还要3~6月。
3、193 nm ArF浸没式光刻技术(同步步进光刻机)在我国的光电所也做出了验证产品,但是要进入到生产领域,时间更长了。:(
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17#
发表于 2008-2-2 10:49 | 只看该作者
原帖由 xreal 于 2008-2-2 10:30 发表
:w00t): :blink: 常青树ibm,很多和ibm竞争过的公司都消失了


IBM相对善于应变,尤其是现在已经转为服务厂商、软件商、大机提供商(含CPU等构架)和游戏机CPU厂商,市场上的其他的领域基本都放弃了。
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18#
发表于 2008-2-2 10:50 | 只看该作者
水一下,祝所有人新年快乐!
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19#
 楼主| 发表于 2008-2-2 11:02 | 只看该作者
原帖由 AMD11 于 2008-2-2 10:44 发表


1、193 nm ArF浸没式光刻技术被IBM扩展到22nm,而不是只到32nm,IBM目前排除EUV在22nm上的应用。
2、仅仅“Foundary(?:blink:Foundry ?)和ASICs的Solution”是不能说上架的,方案是必须经过验证的,IC上,只有 ...


1.笔误;我理解的Solution就是已经可以对客户承诺: 我可以帮你用45nm搞定这东东,意味着比SRAM复杂的多的CPU核心逻辑都搞定了,可以上架了:lol: ,而且32nm的SRAM已经做出来了,上面发过一个图片,不是一个简单的Cell,而是一大片Cell:lol:

2.光电所在研究光刻机么:lol:,好啊,中国其实最缺的的就是这种精密仪器的研究,这是最根本的核心技术:thumbsup:
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20#
发表于 2008-2-2 11:21 | 只看该作者
完全看不明白:funk:
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