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AIC抱怨G200供货不足,NV解释说自己不想亏本销售G200芯片

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41#
发表于 2009-10-10 15:29 | 只看该作者
N的良率肯定比A的低不少,这点毋庸质疑。傻子都知道,同样的工艺条件下,大核心良品率比小核心低得多。
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42#
发表于 2009-10-10 15:31 | 只看该作者
相信260绝不会降到600~700的.......
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43#
发表于 2009-10-10 15:31 | 只看该作者
一个良率标准对比示意居然成了“最高机密”……关于良率可工业化标准都是公开的东西,然后各家出示实际良率指示……
shu0202 发表于 2009-10-9 23:34


你告诉我G200b的公开良率数据在哪里吧
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44#
发表于 2009-10-10 15:36 | 只看该作者
你告诉我G200b的公开良率数据在哪里吧
Asuka 发表于 2009-10-10 15:31

终于显出本尊了……
我不知道,真的是不知道。
你完全可以指责那张图是迷惑不明真相的群众的。
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45#
发表于 2009-10-10 15:38 | 只看该作者
终于显出本尊了……
我不知道,真的是不知道。
你完全可以指责那张图是迷惑不明真相的群众的。
shu0202 发表于 2009-10-10 15:36



类似的图我10分钟可以做2个


我只看到一个对半导体制程一窍不通的人在夸夸其谈
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46#
发表于 2009-10-10 15:39 | 只看该作者
终于显出本尊了……
我不知道,真的是不知道。
你完全可以指责那张图是迷惑不明真相的群众的。
shu0202 发表于 2009-10-10 15:36

我什么时候变成本尊了
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47#
发表于 2009-10-10 15:43 | 只看该作者
我什么时候变成本尊了
我有3个马甲 发表于 2009-10-10 15:39


202.115.xxx.xxx - 四川省x市 - x大学

58.61.xxx.xxx - 广东省x市 - x电信



杨叔快去救救那个可怜的孩子
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48#
发表于 2009-10-10 16:20 | 只看该作者
圖的事情我不說你了,你的根本問題出在這裡
除了110nm到80nm这一阶段NV借助外来技术和ATi的工艺有比较明显区别外,65nm以后TSMC并没有能力针对某一芯片设计单独工艺,而只是区分了不同档次。而且像NV这样的专门搞IC设计的公司也没有能力和资金去搞专门的工程工艺设计。所有的工艺设计都必须基于TSMC提供的工程方案。那么TSMC是否有能力提供多种可行的方案?或者TSMC为AMD提供一种普通良率方案而专门为NV提供可大幅度提高良率的方案?或者NV有什么火星技术能在TSMC专门的生产线上大幅度提高良率?
shu0202 发表于 2009-10-10 13:42


群情激奮的YY著55GT的時候怎麼沒看到你如此義正詞嚴的疾呼兩邊工藝相當啊……難道只有在“你覺得需要”的時候兩邊的工藝才完全相同么~?

哦對了……那玩意還不是你們YY的那樣叫55GT……

這個基本問題搞明白了,你自然就知道自己那張圖可笑到啥地步了……
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49#
发表于 2009-10-10 16:26 | 只看该作者
顶月妹妹,你手是有点太.................
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50#
发表于 2009-10-10 16:28 | 只看该作者
我力挺毒虫
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51#
发表于 2009-10-10 16:57 | 只看该作者
算了,NV良率高低跟偶们啥关系啊?
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52#
发表于 2009-10-10 17:45 | 只看该作者
圖的事情我不說你了,你的根本問題出在這裡


群情激奮的YY著55GT的時候怎麼沒看到你如此義正詞嚴的疾呼兩邊工藝相當啊……難道只有在“你覺得需要”的時候兩邊的工藝才完全相同么~?

哦對了……那玩意還不是你 ...
mooncocoon 发表于 2009-10-10 16:20

既然你这等高手都被引出来了,那就弄个不可笑的东西出来。来证明一下NV是如何用火星技术创造良率奇迹的。
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53#
发表于 2009-10-10 17:49 | 只看该作者
类似的图我10分钟可以做2个


我只看到一个对半导体制程一窍不通的人在夸夸其谈
Asuka 发表于 2009-10-10 15:38

不要故作高深好不好?弄得自己似乎是权威似的。我欢迎批判,只是批完之后拿出点建设性的东西来,否则你和愤青有什么区别?
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westlee 该用户已被删除
54#
发表于 2009-10-10 17:49 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
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55#
发表于 2009-10-10 17:53 | 只看该作者
既然你这等高手都被引出来了,那就弄个不可笑的东西出来。来证明一下NV是如何用火星技术创造良率奇迹的。
shu0202 发表于 2009-10-10 17:45


你不是很言之凿凿的表示良率都是公开数据么?  

怎么一下子又推翻自己结论了?
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56#
发表于 2009-10-10 18:00 | 只看该作者
本帖最后由 Asuka 于 2009-10-10 18:11 编辑
不要故作高深好不好?弄得自己似乎是权威似的。我欢迎批判,只是批完之后拿出点建设性的东西来,否则你和愤青有什么区别?
shu0202 发表于 2009-10-10 17:49


如何跟一个明明一窍不通又喜欢自作聪明长篇大论的人来解释一个根本无证可查的论点,这,是一个问题

不过我还是想提醒您一下,您当作宝贝似的那2张“良率图”,怎么G200和RV770两片不同wafer上的缺陷都一样多而且缺陷位置都还在同一个地方啊?



后藤大叔可能很懂IC,但是工艺这块纯属白癡

两边的wafer都不一样,复杂度,加工手段和加工速度都不一样,就这么简单的套用,后藤大叔一世英名,现在看来晚节不保啊

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57#
发表于 2009-10-10 18:00 | 只看该作者
450mm2 vs 260mm2
这么个良率比好像还是比较乐观的了......
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58#
发表于 2009-10-10 18:00 | 只看该作者
450mm2 vs 260mm2
这么个良率比好像还是比较乐观的了......
spinup 发表于 2009-10-10 18:00


蓝蜀黍,你信那2张图?
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59#
发表于 2009-10-10 18:04 | 只看该作者
....就象功耗公式,具体情况可能差很远。只能说有少量参考意义吧。

不过400多平方毫米还有57%良率应该已经非常满意了.......
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60#
发表于 2009-10-10 18:06 | 只看该作者
....就象功耗公式,具体情况可能差很远。只能说有少量参考意义吧。

不过400多平方毫米还有57%良率应该已经非常满意了.......
spinup 发表于 2009-10-10 18:04


这种连缺陷位置都舍不得改一下的图,我5分钟画俩
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