POPPUR爱换

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

手机号码,快捷登录

搜索
楼主: PRAM
打印 上一主题 下一主题

32nm HP的工艺性能比较

[复制链接]
41#
 楼主| 发表于 2010-9-21 11:00 | 只看该作者

一份半年前就应该人手一份的会议摘要被拿来当宝每天挤一点出来显眼
skywalker_hao 发表于 2010-9-21 10:03



    你也可以把VLSI,IEDM,ISSCC,DAC,a-sscc,imec form的拿点出来让我们开开眼界
回复 支持 反对

使用道具 举报

42#
 楼主| 发表于 2010-9-21 11:11 | 只看该作者
某些专业网站认为45nm的shanghai有23-24个FO4延迟。而intel的penryn则是18-20个FO4延迟。penryn最 ...
spinup 发表于 2010-9-20 22:13



    IBM的所谓SOI根本不像其FANS吹的这么神,下面就是明证--------------IBM
IBM SOI
IBM ASIC Flow
High
Can‟t Leverage
Only ASSP, no ASICs
Min 18 Months
TSMC
Portable to any Fab
Large re-usable IP base with COT flow
Lower
Fully Leverage able
Full ASIC, ASSP capability
6-9 Months
Benefits
Time Revenue Reduced better 50%
• Cost Basis  Reduced by as much as 50%
• Opens new market , allows for new innovation
Core Ownership
Captive Fab
Limited IP
Cost Basis
port Mixed Signal IP
ASSP vs. ASICs
Development Cycle
回复 支持 反对

使用道具 举报

43#
 楼主| 发表于 2010-9-21 11:21 | 只看该作者

一份半年前就应该人手一份的会议摘要被拿来当宝每天挤一点出来显眼
skywalker_hao 发表于 2010-9-21 10:03


我现在就给你一个显眼的机会,DFM是什么意思?
回复 支持 反对

使用道具 举报

44#
 楼主| 发表于 2010-9-21 12:01 | 只看该作者
某些专业网站认为45nm的shanghai有23-24个FO4延迟。而intel的penryn则是18-20个FO4延迟。penryn最 ...
spinup 发表于 2010-9-20 22:13



    拿一个不量产的东西吹有意义---------------------Molten silicon and atomic radiation are two of the hazards Intel is confronting in its race to make faster circuits, the company said on Friday at the International Electron Devices meeting in Washington DC.

As part of this battle it unveiled a new design for transistors, one of which it says will operate at speeds hundreds of times faster than today's production devices.

The terahertz transistor design -- a terahertz is a thousand gigahertz, or one trillion cycles a second -- is an evolution of current designs, using new materials such as zirconium dioxide. Smaller transistors go faster but also leak more current when turned off and need a higher voltage to work; zirconium dioxide is a superior insulator that reduces this leakage and thus reduces power consumption while maintaining speed and low voltages. Intel says that the new design will work down to around 0.6v before long.

Other problems tackled include high capacitance, which increases the power needed to turn the transistor on and slows it down, and radiation from the atmosphere and packaging, which injects electrons directly into the transistor and causes a "soft error" in memory or logic designs. These have been minimised by putting the transistor on a sheet of insulator, which shields the effects of the radiation.

It also reduces the amount of conductor present near the transistor thus reducing the capacitance. Intel's new design reduces the number of electrons left floating around after the transistor operates, making the design more consistent.

Pushing the frontiers of Moore's Law
Without these innovations, it would be extremely difficult to build Pro-Acessor with a billion transistors, which is predicted by Moore's Law to happen by 2007. That design will have 0.045u geometry, two-thirds smaller than that of today, and will operate at around a terahertz. If it weren't for the power reduction inherent in the new design, it could be expected to need around half a kilowatt per square centimetre, a power density higher than that in a nuclear reactor and one that would present a severe challenge to even the most ardent overclocker.
回复 支持 反对

使用道具 举报

45#
 楼主| 发表于 2010-9-21 12:02 | 只看该作者
根据这些数字如果amd的工艺只和intel相当,那shanghai连3g都应该爬不上........ ...
spinup 发表于 2010-9-20 22:13


The transistor drive current for AMD's 45-nm devices is much lower than that of the Intel HKMG transistors.
不识字吗?
回复 支持 反对

使用道具 举报

46#
发表于 2010-9-21 14:22 | 只看该作者
技术贴要支持哦
回复 支持 反对

使用道具 举报

47#
发表于 2010-9-21 15:24 | 只看该作者
xeon总会有一款要高一点的嘛

不过5270和5272还不够震撼
3.4G的5492才震撼嘛
对比9775
skywalker_hao 发表于 2010-9-21 10:12



    我以前只在贴吧看到小白认为65nm的Conroe最高只有3G是因为Intel只能做出3G的,没想到还有那么多“专家”也是这样想的,还把这个当论据来讨论intel的工艺。
回复 支持 反对

使用道具 举报

48#
发表于 2010-9-21 15:30 | 只看该作者
本帖最后由 xf-108 于 2010-9-21 15:33 编辑

当初AMD 65nm四核没出来的时候宣称核心面积只有150,最后出来都超过300了……难道这就是某饭声称AMD 65nm猫利率史上最高的原因?
回复 支持 反对

使用道具 举报

49#
发表于 2010-9-21 15:47 | 只看该作者
Athlon II X4核心面积也比Phenom II X4缩小了接近一半
然则从众多开核开L3的Athlon来看
AMD宁愿生产多一些大面积的Phenom也不想生产小面积的Athlon
回复 支持 反对

使用道具 举报

50#
发表于 2010-9-21 15:53 | 只看该作者
本帖最后由 xf-108 于 2010-9-21 16:01 编辑
Athlon II X4核心面积也比Phenom II X4缩小了接近一半
然则从众多开核开L3的Athlon来看
AMD宁愿生产多一些 ...
frankincense 发表于 2010-9-21 15:47

A2比P2就是少了L3部分,那部分成产成本应该是相对比较低的。
但是售价上面差得就比较多了。

按照某饭的计算,P2 X6面积高达346,良率低不少,成本是X4两倍多,但是价格定位却很低……

另外某饭估计的Lynnfield良率比Bloomfield低很多,成本高很多……真是杯具啊……
回复 支持 反对

使用道具 举报

51#
 楼主| 发表于 2010-9-21 16:08 | 只看该作者
A2比P2就是少了L3部分,那部分成产成本应该是相对比较低的。
但是售价上面差得就比较多了。

按照某饭 ...
xf-108 发表于 2010-9-21 15:53



    intel利润率远高于AMD,不知道那些所谓FAN怎么解释
回复 支持 反对

使用道具 举报

52#
发表于 2010-9-21 16:12 | 只看该作者
当初AMD 65nm四核没出来的时候宣称核心面积只有150,最后出来都超过300了……难道这就是某饭声称AMD 65nm猫 ...
xf-108 发表于 2010-9-21 15:30



    那人乱吹罢了,AMD最近几**利最高的是06Q1的59%,部分向65nm转型的Q3只有51%,Q4 Conroe发布之后就是一路走低了。
回复 支持 反对

使用道具 举报

53#
发表于 2010-9-21 16:13 | 只看该作者
intel利润率远高于AMD,不知道那些所谓FAN怎么解释
PRAM 发表于 2010-9-21 16:08


参见某饭定律:
AMD可以随意屏蔽核心廉价卖,说明了AMD 45nm生产成本非常低。
Clarkdale/Gulftown那么小核心居然卖那么高天价,说明了intel 32nm生产成本非常高,良率非常低。
回复 支持 反对

使用道具 举报

54#
发表于 2010-9-21 16:17 | 只看该作者
snb核心面积是否为4核225,双核150(传说比总面积195的clarkdale小22%)?
单核晶体管比nehalem多了那么多,L3还缩了,单核性能却没多少增长啊……
指令集部分占的面积真是越来越大了啊……
回复 支持 反对

使用道具 举报

55#
发表于 2010-9-21 17:49 | 只看该作者
The transistor drive current for AMD's 45-nm devices is much lower than that of the Intel HKMG t ...
PRAM 发表于 2010-9-21 12:02


问题是,有人认为越低越好的。
回复 支持 反对

使用道具 举报

56#
发表于 2010-9-21 19:03 | 只看该作者
随意发了一帖,上线发现被追了5个回帖........

某些人的热情真叫人怕怕啊..........
回复 支持 反对

使用道具 举报

57#
 楼主| 发表于 2010-9-21 20:36 | 只看该作者
随意发了一帖,上线发现被追了5个回帖........

某些人的热情真叫人怕怕啊..........
spinup 发表于 2010-9-21 19:03



    某些人什么都不知道,还写BLOG YY,佩服佩服
回复 支持 反对

使用道具 举报

58#
发表于 2010-9-21 20:41 | 只看该作者
某些人什么都不知道,还写BLOG YY,佩服佩服
PRAM 发表于 2010-9-21 20:36


咱是外行。外行就不准yy了?

您老最nb,我认错行不?不该在您的地盘上发言的.......
回复 支持 反对

使用道具 举报

59#
 楼主| 发表于 2010-9-21 20:47 | 只看该作者
咱是外行。外行就不准yy了?

您老最nb,我认错行不?不该在您的地盘上发言的.......
spinup 发表于 2010-9-21 20:41



    我怎么能和声称EOT越厚越好的牛人相比呢?
回复 支持 反对

使用道具 举报

60#
发表于 2010-9-21 20:50 | 只看该作者
我怎么能和声称EOT越厚越好的牛人相比呢?
PRAM 发表于 2010-9-21 20:47


你自己再去读一遍。这句话有啥前提

顺便说一下,ibm的65 nm工艺用过1nm的Tox,就是说ibm在65nm技术实力赶上intel45nm了?
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

广告投放或合作|网站地图|处罚通告|

GMT+8, 2025-8-29 16:19

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 POPPUR.

快速回复 返回顶部 返回列表