32nm HP的工艺性能比较

PRAM · 发表于 2010-9-21 20:58

quote]你自己再去读一遍。这句话有啥前提

顺便说一下，ibm的65 nm工艺用过1nm的Tox，就是说ibm在65nm技术实 ...
spinup 发表于 2010-9-21 20:50 [/quote]

这个其实不怎么好比较，因为双方的Vdd是不同的。不过请注意intel的 I off指标设在了400na/um。也就是说大大放宽了泄漏指标----intel 90nm时代prescott处理器饱受诟病的高功耗与此相互印证。另其Tox也缩小到了1.2nm，而据其他资料IBM/AMD此时的Tox维持在大约2.0nm， IBM/AMD的工艺相比intel优势是很明显的。经典啊，EOT越厚越好。蒋尚义，胡正明汗颜

PRAM · 发表于 2010-9-21 20:59

ibm的65 nmSOI的Tox是1，3NM

PRAM · 发表于 2010-9-21 21:02

本帖最后由 PRAM 于 2010-9-21 21:08 编辑

说到底我其实是一个“工艺控”因为最终决定处理器性能的就是工艺和规模。我一直偏向AMD是因为很早就知道在工艺方面AMD有一定的优势---虽然intel总是更早进入下一代工艺，I dsat指标也一直领先，但是我知道intel付出了怎样的代价。

这个帖子的内容其实与我以前写的不少文章有关，但那些文章并未普遍公开。不过现在关于工艺的科普文章越来越深入，敝帚自珍越来越没有意义了。这帖子就算给个小结。----------某人的自白，好像某人在NEW YORK 或者新竹，自己在R&D一样

PRAM · 发表于 2010-9-21 21:07

intel強悍的地方在於...它的45nm還是用dry lithography...

acqwer · 发表于 2010-9-21 21:13

嘉兰不是最喜欢算成本吗，就用上季度数据算算吧，销售额啊，市场占有率啊**利的数据都有，让大家看看看看AMD的成本优势到底“巨大”到什么程度。

PRAM · 发表于 2010-9-21 21:15

intel付出了怎样的代价------------1.不用昂贵的SOI，导致SOI现在用者寥寥无几 2.由於超越了光學臨近修正(OPC)和設計準則的範疇，英特爾的模型技術功能可以允許使用通常是落後一個世代的設備，來製造當代的晶片。這樣來說，不僅有較低成本的優勢並且允許使用現有設備來加速進展。以45奈米邏輯製程的關鍵層來說，根據Borodovsky所言，使用193奈米乾式微影取代浸潤式微影將可省下百分之27的成本。让别人的SOI无法普及，浸潤式微影出货量减少，代价太大了

spinup · 发表于 2010-9-21 21:22

quote]你自己再去读一遍。这句话有啥前提

顺便说一下，ibm的65 nm工艺用过1nm的Tox，就是说ibm在65nm技术 ...
PRAM 发表于 2010-9-21 20:58

有啥汗颜的？同样技术条件下更薄栅氧层栅场更强，同样工作电压下I dsat/ I off更理想。所以一般来说Tox更薄性能更好。可是有人就愿意牺牲I dsat和I off换更厚栅氧层有啥不可以？特别是此时I dsat也并不比对手差很多。

拿tsmc来是来现眼吗？更小的Tox却照样有更小的I dsat。同样I dsat/I off下谁更有优势还用说？

PRAM · 发表于 2010-9-21 21:26

本帖最后由 PRAM 于 2010-9-21 21:29 编辑

对比一下INTEL 65 EOT 1.O CGP220,某公司所谓SOI有优势？

PRAM · 发表于 2010-9-21 21:28

有啥汗颜的？同样技术条件下更薄栅氧层栅场更强，同样工作电压下I dsat/ I off更理想。所以一般来 ...
spinup 发表于 2010-9-21 21:22

是啊，SUN，富士通真是BC，不用某公司的32NM SOI去用TSMC的28NM，某公司不是有所谓成本优势吗？

PRAM · 发表于 2010-9-21 21:28

http://rram.spaces.eepw.com.cn/-------这是我的BLOG

spinup · 发表于 2010-9-21 21:31

这是我的BLOG
PRAM 发表于 2010-9-21 21:28

老大您要显示您的英明神武用不着拿我这样一个外行来垫背吧？下次您的帖子我不回还不行吗？

feilipu · 发表于 2010-9-21 21:52

这个太高深了对一般人来说实在没有意义

PRAM · 发表于 2010-9-21 22:04

而IBM的power6使用了1.05nm的栅氧厚度，甚至比intel的都小。--------------INTEL 65是 EOT 1.O,某人无敌

PRAM · 发表于 2010-9-21 22:07

有啥汗颜的？同样技术条件下更薄栅氧层栅场更强，同样工作电压下I dsat/ I off更理想。所以一般来以一般来说Tox更薄性能更好。spinup 发表于 2010-9-21 21:22

32nm阶段：

IBM/AMD首次使用dual pattern的曝光模式和HKMG。这两者都是相当“昂贵”的，而且不可避免。
注意“浸入式曝光”和“双曝光模式”都是可以使193nm刻更细的线的技术，有趣的是IBM/AMD和intel使用的次序恰相反，只是32nm下将殊途同归。

IBM/AMD的I dsat参数仅略逊于intel(考虑到AC-DC折算)，但是EOT却大了不少，所以就性能而言，IBM/AMD公布的数据将有明显优势。如果gate first确实能降低成本，则IBM/AMD可能还有一些成本优势。
--------------一个人说的话，意思完全相反

PRAM · 发表于 2010-9-21 22:08

本帖最后由 PRAM 于 2010-9-21 22:11 编辑

有啥汗颜的？同样技术条件下更薄栅氧层栅场更强，同样工作电压下I dsat/ I off更理想。所以一般来所以一般来说Tox更薄性能更好 ...
spinup 发表于 2010-9-21 21:22

130nm下intel的Idsat参数明显好一些（大约20%），但是Tox却小了近50%----也就是说同样栅面积电容要大50%，所以综合性能其实还是会略逊的。 ----阁下真是雄辩，前后意思完全相反，不知道还有逻辑吗？

PRAM · 发表于 2010-9-21 22:10

要注意IBM/AMD的一些关键参数如EOT都是相当保守的，实际上AMD是以保守工艺应对intel的同代工艺，而以改进后的工艺应对intel的下一代工艺，所以intel并不能明显地拉开差距。保守的工艺好处是代价小，这就是AMD一直能保持对intel性价比优势的根本原因。--------阁下难道不知道，工艺和DESIGN 是密不可分的，能轻易改变？何况AMD也不存在所谓性价比优势

PRAM · 发表于 2010-9-21 22:19

要注意IBM/AMD的一些关键参数如EOT都是相当保守的，实际上AMD是以保守工艺应对intel的同代工艺，而以改进后的工艺应对intel的下一代工艺，所以intel并不能明显地拉开差距。保守的工艺好处是代价小，这就是AMD一直能保持对intel性价比优势的根本原因=======阁下的说法和GF,TSMC,HYNIX所有的R&D人员都不同，真理果然掌握在阁下这样的少数人手中

rtyou · 发表于 2010-9-21 22:21

还好有懂的人，我差点让某人忽悠到“AMD的制程比Intel还先进”这个高级笑话。

PRAM · 发表于 2010-9-21 22:23

INTEL的成本控制要遥遥领先于IBM，一方面，制程演进可以直接压缩DIE面积，另一方面，INTEL在技术实现上的务实态度也让它在单位晶圆成本表现上强于IBM

spinup · 发表于 2010-9-21 22:30

130nm下intel的Idsat参数明显好一些（大约20%），但是Tox却小了近50%----也就是说同样栅面积电容要大50 ...
PRAM 发表于 2010-9-21 22:08

要是ibm用的技术和intel一模一样，仅仅是栅氧厚度增加50%会发生什么情况？
个人猜测要么I dsat小到可笑，要不I off大到可笑。问题是ibm就能做到用这么大的栅氧厚度但是I dsat和 I off都不算可笑。“As discussed in one of David Wang's first articles on IEDM, the Cgate * Vdd / Idsat metric is used as Pro-Acess neutral” 用这个衡量I小了一点，但是C小了很多。

似乎我的小学算术还没忘光，不小心算出一个ibm性能占优的结果了？.....可是数据都是techreport提供的啊。您老大能量大，叫他们改正错误，我这里马上改。

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