32nm HP的工艺性能比较

PRAM · 发表于 2010-9-22 09:57

“中芯国际对于技术的发展投入不遗余力，这也是我们能够在中国半导体业界得以领先的最重要原因。”中芯国际COO Simon Yang博士说，“今年年底我们将结束55nm的研发，本月底40nm的研发将freeze，32nm的设备PO已发出，研发也已于今年5月启动-----------该你大显身手了

spinup · 发表于 2010-9-22 10:03

居然还有回复。
睡了一觉突然明白了。错的并不是techreport抄的数据和鄙人的小学算术。错的是初中物理课本电容器的基本知识---两极板越接近电容越大的理论。不过提出这些理论的库仑，卡文迪许等人都已经死去多年了，还是不要打扰他们为好。

弱弱地问一下，PRAM大人有如此颠覆性的发现，估计没啥高中敢招收吧？

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:05

本帖最后由 PRAM 于 2010-9-22 10:06 编辑

阁下就不用扯电容器了，一会说是IBM的PMOS,NMOS性能不如INTEL,EOT却大了不少，所以就性能而言，IBM/AMD公布的数据将有明显优势，一会儿有说Tox更薄性能更好。可是有人就愿意牺牲I dsat和I off换更厚栅氧层有啥不可以？特别是此时I dsat也并不比对手差很多。----某人相信雄辩胜于事实-----------------请解释是什么逻辑

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:07

请给原始URL，看看阁下的数据来源

spinup · 发表于 2010-9-22 10:08

在某群和本版的版主等人闲聊。得到一个回复“人不【请注意用词】天下无敌，理他作甚”........看来确实是我错了。

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:10

如果只使用小面积的氧化层，Tox会更小30%（这样留给缺陷的空白地方也小了），例如在2.5V产品中的3.3V I/O器件等。过度的氧化层电荷会使等比缩小极限为刚好大于2nm，这使得制造0.05umMOSFET成为可能。DRAM栅氧厚度会更早的达到3nm的极限。等离子工艺损伤在未来的氧化层缩小中不会变的更加严重。-----：胡正明不如你啊

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:11

说得不就是不就是某人吗

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:11

丢人也要有个限度啊

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:12

这个版主在那高就？

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:14

阁下在不同网站YY了无数次，配得上这个称号

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:16

Acknowledgements:
Many thanks to the dedicated IBM processor design and manufacturing team
around the globe making this design become reality. This material is based upon
work supported by the Defense Advanced Research Projects Agency under its
Agreement No. HR0011-07-9-0002
References:
[1] R. Kalla et al, “POWER7TM”, Hot Chips 2009.
[2] B. Starke, “POWER7TM Design”, Hot Chips 2009.
[3] J. Friedrich et al, “POWER6TM
”, ISSCC 2007.
[4].S. Narasimha et al, “High Performance 45-nm SOI Technology with
Enhanced Strain, Porous Low-k BEOL, and Immersion Lithography, IEDM 2006.
[5] J. Pille et al, “Implementation of the CELL Broadband EngineTM in a 65nm SOI
Technology Featuring Dual-Supply SRAM Arrays Supporting 6GHz at 1.3V”,
ISSCC 2007.
[6] G.Wang et al, “Scaling Deep Trench Based eDRAM on SOI to 32nm and
Beyond”, IEDM 2008.
[7] A.Rylyakov et al, “A wide range (1GHGz-to-15GHz) fractional-N all-digital
PLL in 45nm SOI”, CICC 2008.
[8] J. Pille et al, “A 32kB 2R/1W L1 Data Cache in 45nm SOI Technology for the
POWER7TM Processor”, ISSCC 2010, 19.2.
[9] J. Barth et al, “A 45nm SOI Embedded DRAM macro for the POWER7TM
Processor 32MByte On-Chip L3 Cache”, ISSCC 2010, 19.1.

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:17

我天天看ISSCC,IEDM和DAC的确水平太低，不能和阁下这样的工艺控相提并论

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:18

POWRPC 17:16:45
那个公司

Roy.Yu 17:16:49
您呢？
Roy.Yu 17:17:01
以前在特许，从事高端研发的
POWRPC17:17:05
我是搞分析的

POWRPC 17:17:10
现在呢

Roy.Yu 17:17:56
现在暂时休息，不过马上又要出国了，是家美国公司
Roy.Yu 17:18:13
您是在哪儿的？有什么机会可以推荐的么

Roy.Yu 17:19:07
不过你的信息确实不错，也很新
Roy.Yu 17:19:43
能介绍大概属于什么样的机会？
POWRPC 17:20:30
现在恐怕不是很多，你是搞LOGIC R&D的吗

Roy.Yu 17:21:07
对的
Roy.Yu 17:21:13
你知道的还不少哦

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:21

胡正明百科名片
胡正明，微电子学家。美国国籍。1947年7月出生于中国北京。

中文名：胡正明
外文名： Chenming Hu
国籍：美国
出生日期： 1947年7月
职业：微电子学家
毕业院校：美国加州大学伯克利分校
主要成就：物理研究的一位重要开拓者

目录

简介
个人成就
教育研究
主要论著
中国科学院外籍院士名单
　　

编辑本段简介
　　胡正明(Chenming Hu) 微电子学家。美国国籍。1947年7月出生于中国北京。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。现任美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授、1991-1994年任清华大学(北京)微电子学研究所荣誉教授。1997年当选为美国工程科学院院士。2007年当选中国科学院外籍院士。
编辑本段个人成就
　　胡正明
胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。　　1985年应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展我国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议，对当时我国微电子科学技术的发展有较大影响。1981年以来与电子科技大学、中国科学院微电子所、北京大学、清华大学、复旦大学、浙江大学等校进行合作研究并作学术讲座，协助推动在中国召开国际会议。1990年在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。　　胡正明为国立台湾大学电机工程学士、柏克莱加大电机及计算机硕士、博士，曾任美国麻省理工学院电机及计算机系教授，并有多项学术荣誉：为美国国家工程院院士、柏克莱加州大学校长讲座教授、TSMC杰出讲座教授、国立交通大学名誉教授、IEEE Fellow、北京清华大学名誉教授、中华民国国科会第一届杰出讲座、柏克莱加州大学杰出教学奖等。　　胡正明
柏克莱加大华裔教授以他领导的柏克莱加大电机系研究小组开发出了目前世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。　　曾任台积电技术长的胡正明，被称为“台湾第一技术长”。这位“美国国家工程院院士”以“科学家”之姿，以最直接的方式贡献台湾半导体界，期间，并创下新竹科学园区有史以来，第一位获数理组院士的半导体业人士。　　二００四年，胡正明重返柏克莱加大，结束他在台积电的一千个日子，回到学术界，现仍为台积电顾问。任教职之外，胡正明的产业经验不仅在台积电，也曾创办Celestry Design Technologies, Inc、并曾任国家半导体公司非挥发性记忆体研发经理，除了学术、产业的杰出表现之外，还当过旧金山东湾中文学校董事长。他在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。他拥有美国专利逾百项，期刊及会议文献发表约八百件。

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:22

超天才怎么不在2IC发帖

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:25

本帖最后由 PRAM 于 2010-9-22 10:29 编辑

http://blog.pchome.net/article/284884.html http://blog.zol.com.cn/1402/article_1401099.html。---不知道是

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:27

阁下YY已经不是第一次被批了---------楼主无知[游客] 在 2010-04-18 08:31:17 说:
LZ不懂硬件。intel只要线宽critical dimension走在前面，永远就是王者。线宽减半，die的面积就变1/4，就是成本和电耗的降低。 SOI固然有优势，但是受制于Soi厂商soitec的成本和战略，目前来说并没有带来技术成本优势。

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:31

Roy.Yu 17:50:15
IMEC的实力很强，IBM我估计32nm上的压力很大
Roy.Yu 17:50:39
如果还跟不上TSMC.他的阵营的人马就散了
POWRPC 17:50:45
对了，还有可怜的UMC，不知道能撑到多久

POWRPC 17:51:05
我认为不大可能

POWRPC 17:51:48
IBM阵营的人马散了，哪些依靠IBM的公司怎么办？

Roy.Yu 17:52:09
高端做不出来就只有放弃哦
POWRPC 17:52:56
你想SAMSUNG,TOSHIBA是不太可能像NXP,TI,富士通一样放弃LOGIC FAB的

Roy.Yu 17:53:38
sumsung没有logic
Roy.Yu 17:53:58
toshiba现在45以下也逐渐放弃了
Roy.Yu 17:54:20
sumsung没有advanced logic
POWRPC17:54:21
说实话，现在放弃FAB的只有LSI还算转型成功

POWRPC17:54:54
我个人认为放弃FAB并不能拯救IDM

POWRPC 17:55:14
sumsung加入了通用平台啊

Roy.Yu 17:55:43
前提是Design如果过硬就可以独立出fab
Roy.Yu 17:56:53
IBM的技术只能提供给某些小客户，像高通，博通那些的大客户，只有t-like的才可以对付

PRAM · 发表于 2010-9-22 10:32

我历来实事求是，不像某人一样旗帜鲜明

spinup · 发表于 2010-9-22 10:46

谢谢宣传。我这些博客不过是记录并给朋友们看的。不过爱好天文的朋友请关注友情链接里的“核武器的天文馆”和“核武器的天文小铺”那是我一个兄弟的博客和铺子，欢迎大家捧场。

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