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楼主: PRAM
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32nm HP的工艺性能比较

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81#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:32 | 只看该作者
本帖最后由 PRAM 于 2010-9-21 22:35 编辑

某人一会说是IBM的PMOS,NMOS性能不如INTEL,EOT却大了不少,所以就性能而言,IBM/AMD公布的数据将有明显优势,一会儿有说Tox更薄性能更好。可是有人就愿意牺牲I dsat和I off换更厚栅氧层有啥不可以?特别是此时I dsat也并不比对手差很多。----某人相信雄辩胜于事实
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82#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:32 | 只看该作者
一个PMOS,NMOS性能不如INTEL,EOT却大了不少的所谓32NM SOI会有优势
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83#
发表于 2010-9-21 22:32 | 只看该作者
说了这么多,结论是ibm更强?还是intel更厉害?没看懂
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84#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:37 | 只看该作者
要是ibm用的技术和intel一模一样,仅仅是栅氧厚度增加50%会发生什么情况?
个人猜测要么I dsat小到可笑 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:30



    是INTEL的EOT更小啊,是啊INTEL栅氧厚度增加50%会发生什么情况?
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85#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:41 | 只看该作者
要是ibm用的技术和intel一模一样,仅仅是栅氧厚度增加50%会发生什么情况?
个人猜测要么I dsat小到可笑 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:30


http://techreport.com/这种网站你好意思吹,我看EET,NMD,SI,SST
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86#
发表于 2010-9-21 22:44 | 只看该作者
这种网站你好意思吹,我看EET,NMD,SI,SST
PRAM 发表于 2010-9-21 22:41


咱是外行,只能看这些外行网站。不过他们数据是copy正式会议的信息,算法也是专家给的-------看来一定是这种小网站copy时候copy错了。
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87#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:47 | 只看该作者
本帖最后由 PRAM 于 2010-9-21 22:50 编辑
要是ibm用的技术和intel一模一样,仅仅是栅氧厚度增加50%会发生什么情况?
个人猜测要么I dsat小到可笑 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:30


是谁的EOT小阁下没看清楚?
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88#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:51 | 只看该作者
咱是外行,只能看这些外行网站。不过他们数据是copy正式会议的信息,算法也是专家给的 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:44



    不是数据有问题,是谁的EOT小阁下没看清楚
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89#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:53 | 只看该作者
IBM强大的都是纸面技术,特許、聯電這批抱IBM大腿的這幾年都被tsmc打得快下海賣身了,更何況有NV多年前給IBM代工的慘痛經驗
,很奇怪不少人喜欢神话IBM,在半导体芯片生产上IBM比intel差十万八千里,IBM的某神话芯片,被用在某游戏机上的,开发团队也正式解散了
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90#
发表于 2010-9-21 22:54 | 只看该作者
所谓外行就是阁下
PRAM 发表于 2010-9-21 22:47



在下不是已经说了很多次了? 在下只会一点小学算术,不小心把ibm的废物工艺算得比intel强大工艺还高了那么一点点, 望大人不计小人过,放过在下,去讨伐techreport误导我等外行为宜。
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91#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:56 | 只看该作者
咱是外行,只能看这些外行网站。不过他们数据是copy正式会议的信息,算法也是专家给的 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:44



    IBM technology is better than TSMC. However, in the production condition, TSMC is more discipline company; IBM, a research oriented company. Intel discipline is more tough than TSMC. 读不懂这句话的话,请继续YY
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92#
发表于 2010-9-21 22:57 | 只看该作者
本帖最后由 深谷白云 于 2010-9-21 22:59 编辑

intel的新神话芯片larrabee又如何了?用在了那里?
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93#
 楼主| 发表于 2010-9-21 22:59 | 只看该作者
在下不是已经说了很多次了? 在下只会一点小学算术,不小心把ibm的废物工艺算得比intel强大工艺还高了 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:54



    一会说是IBM的PMOS,NMOS性能不如INTEL,EOT却大了不少,所以就性能而言,IBM/AMD公布的数据将有明显优势,一会儿有说Tox更薄性能更好。可是有人就愿意牺牲I dsat和I off换更厚栅氧层有啥不可以?特别是此时I dsat也并不比对手差很多。----这跟小学算术没有关系,是前后逻辑有问题
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94#
发表于 2010-9-21 23:02 | 只看该作者
intel的新神话芯片larrabee又如何了?,被用在了那里?
深谷白云 发表于 2010-9-21 22:57



    插不上话的可怜人路过
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95#
 楼主| 发表于 2010-9-21 23:02 | 只看该作者
intel的新神话芯片larrabee又如何了?,被用在了那里?
深谷白云 发表于 2010-9-21 22:57



    larrabee改为MIC了
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96#
发表于 2010-9-22 00:17 | 只看该作者
插不上话的可怜人路过
the_god_of_pig 发表于 2010-9-21 23:02


对半导体工艺完全不懂……
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97#
发表于 2010-9-22 09:47 | 只看该作者
技术贴,原来之前一直被某人忽悠了
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98#
 楼主| 发表于 2010-9-22 09:51 | 只看该作者
在下不是已经说了很多次了? 在下只会一点小学算术,不小心把ibm的废物工艺算得比intel强大工艺还高了 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:54


-阁下所依赖的techreport的结论-------------
    The semiconductor industry is gearing up for a 32nm battle royale, with Intel, IBM, GlobalFoundries, TSMC, and others all prepping competing technologies at the same node. How will they match up? Fresh from the 2008 International Electron Devices Meeting and the 2009 VLSI Symposia, David Kanter of Real World Technologies has posted an in-depth article that seeks to answer that question.

Kanter's comparison includes IBM's high-k metal gate (HKMG) 32nm bulk and silicon-on-insulator processes, which GlobalFoundries should use to manufacture chips for AMD next year. The article also examines TSMC's performance 32nm HKMG process, which should be used to make future graphics processors, and Intel's performance HKMG tech, which we'll see in Clarkdale processors either late this year or in early 2010.

Now, some parts of this piece will probably be well over most readers' heads—unless they happen to have electrical engineering or semiconductor design backgrounds, that is, in which case we expect them to nod their heads slowly and go, "Hmm, yes, very interesting." How else do you expect seasoned engineers to react to graphs like these?

The rest of us might want to skip ahead to page 11, which includes a more accessible and quite interesting overview of the aforementioned processes (plus others from TI and Fujitsu). Here, Kanter comments that IBM's 32nm SOI and Intel's 32nm bulk technologies "have the best transistor performance by a wide margin and with almost identical results." He adds, "This suggests that on paper, Intel, IBM and AMD will be at parity for performance. Although Intel will be in production in late 2009, a year ahead of IBM and AMD."
Kanter makes other interesting observations. Intel's current 45nm process is "ahead of all other production processes," including TSMC's bulk 32nm process. Also, IBM's 32nm bulk process is "closely matched" with TSMC's. That means competition between GlobalFoundries and TSMC at the 32nm node may be quite heated.
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99#
 楼主| 发表于 2010-9-22 09:53 | 只看该作者
要注意的是, IBM's 32nm SOI and Intel's 32nm bulk technologies "have the best transistor performance by a wide margin and with almost identical results指的是INTEL 2008IEDM发表的32NM和IBM 2009年发表的32NM性能相当,INTEL IEDM2009发表的32NM性能又有提升
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100#
 楼主| 发表于 2010-9-22 09:55 | 只看该作者
在下不是已经说了很多次了? 在下只会一点小学算术,不小心把ibm的废物工艺算得比intel强大工艺还高了 ...
spinup 发表于 2010-9-21 22:54



    阁下可以带领国内正在立项的32/22NM项目了
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