POPPUR爱换

 找回密码
 注册

QQ登录

只需一步,快速开始

手机号码,快捷登录

搜索
楼主: PRAM
打印 上一主题 下一主题

32nm HP的工艺性能比较

[复制链接]
121#
发表于 2010-9-22 15:01 | 只看该作者
LS某人还是别做无谓的抵抗了,基础和原则都错了还怎么讲,既然被指出了,虚心学习不也很好么
回复 支持 反对

使用道具 举报

122#
 楼主| 发表于 2011-1-25 13:42 | 只看该作者
超天才怎么不出来了,主人的FIRST玩完了
回复 支持 反对

使用道具 举报

123#
 楼主| 发表于 2011-1-25 13:44 | 只看该作者
 對於法人提問如何看待全球晶圓 (Globalfoundrues)及三星 (Samsung)的競爭,孫世偉表示,邏輯技術僅有1個領導者,就是英特爾 (Intel),其他都是技術追趕者;聯電將堅持在適當時機提供客戶適當的解決方案的策略。
回复 支持 反对

使用道具 举报

124#
 楼主| 发表于 2011-4-16 20:43 | 只看该作者
工艺控连EOT越薄越好都不知道,却在N个BBS大肆YY,现在IBM的GATE-FIRST完蛋了,工艺控呢?
回复 支持 反对

使用道具 举报

125#
 楼主| 发表于 2011-4-16 20:44 | 只看该作者
EOT=(kSiO2/kHK)/tox
回复 支持 反对

使用道具 举报

126#
 楼主| 发表于 2011-4-16 20:47 | 只看该作者
「等效閘極氧化層厚度」(Equivalent Oxide Thickness,EOT),
回复 支持 反对

使用道具 举报

127#
 楼主| 发表于 2011-4-16 20:53 | 只看该作者
GATE-FIRST已完蛋,那见当年工艺控
回复 支持 反对

使用道具 举报

westlee 该用户已被删除
128#
发表于 2011-4-16 21:14 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
回复 支持 反对

使用道具 举报

129#
发表于 2011-4-16 21:22 | 只看该作者
本帖最后由 真才实学 于 2011-4-16 21:38 编辑

好久没有看到这样的纯技术帖啦!重新感受到那没有硝烟的斗争,它们这些单位所公布只是一些参数,而真正技术层面的东西是绝对不会公布,即使公布也是N年以后。以上几家单位单以制造工艺来说INTEL极有可能最先进,但以设计理念来说INTEL很少领先过(因为当了王者的INTEL绝大多数时候起的是负面影响(开拓者经常会迷路的),真是由于AMD与其竞争,迫使INTEL为了捍卫在其领域的老大地位,即使付出极大的代价也要改进工艺)。个人认为软硬件行业真正的王者是微软,AMD K8彻底击垮INTEL P4也得益于微软的决策。而最后INTEL也意识到了这个老大不好惹啊,INTEL可以给NV随便翻脸,但是绝对不敢给微软翻脸。
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

广告投放或合作|网站地图|处罚通告|

GMT+8, 2025-8-29 17:42

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2017 POPPUR.

快速回复 返回顶部 返回列表