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再创工艺“神话”,AMD确凿消息 首报45nm工艺实际情况

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1#
发表于 2006-12-13 11:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
AMD的45nm工艺令部分人十分期待和充满美好想象,AMD终于暴光了, 据AMD称后年中期。

45nm啦,15%的性能增长。

45nm如此"强大",那么65nm工艺, 真是更令人。。。

AMD and IBM promise more performance for 45 nm processors

San Francisco (CA) - AMD and IBM presented first details of its 45 nm production process at the International Electron Device Meeting (IEDM) today. While practical data for the consumer remains scarce, the two companies indicated that their production approach will bring performance improvements of about 15%.

http://www.tgdaily.com/2006/12/12/amd_ibm_45nm/

[ 本帖最后由 hopetoknow 于 2006-12-13 11:38 编辑 ]
2#
发表于 2006-12-13 11:38 | 只看该作者
貌似要很久,不过也总算有进步,不跳票就好

据说今天3600+已经跌破800了,可能65nm快上市了
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3#
 楼主| 发表于 2006-12-13 11:48 | 只看该作者
AMD也许和65nm的差不多。

N年前,65nm的工厂 开始动工了=> YY 65nm就要来了
2005年底,65nm的工厂2005快竣工了 => YY 65nm来了
2006年前几个月,65nm的工厂开始生产了=> YY那个65nm了                    
实际上今年Fab36建成投产还是量产90nm的U,而不是65nm啊。
年底了,65nm现在也还是纸面上市。
希望AMD不要再。。。
45nm的工厂 开始动工了=> YY 45nm就要来了
??年,45nm的工厂快竣工了 => YY 45nm来了
???年???月,45nm的工厂开始生产了=> YY那个45nm了                    
实际上建成投产还是量产65nm的U,而不是45nm啊。
????年????月,45nm现在也还是纸面上市。
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4#
发表于 2006-12-13 11:49 | 只看该作者
文中15%其实很多的

The addition of ultra-low-K interconnect provides a 15 per cent reduction in wiring-related delay as compared to conventional low-K dielectrics. :p


不过还有一句话比65nm还放卫星w00t)

In spite of the increased packing density of the 45nm generation transistors, IBM and AMD have demonstrated an 80 per cent increase in p-channel transistor drive current and a 24 per cent increase in n-channel transistor drive current compared to unstrained transistors. This achievement results in the highest CMOS performance reported to date in a 45nm process technology.
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zacard 该用户已被删除
5#
发表于 2006-12-13 12:05 | 只看该作者
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6#
发表于 2006-12-13 12:20 | 只看该作者

回复 #1 hopetoknow 的帖子

实话实说,AMD在制程上一直是落后的。现在的当务之急是如何多搞几个工厂,如果不是产能不足,AMD现在的市场份额本可以更大。
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7#
发表于 2006-12-13 12:30 | 只看该作者
tg的小编看不懂人家的资料.

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8#
 楼主| 发表于 2006-12-13 12:37 | 只看该作者
举例:INQ的小编能看懂AMD带有严重宣传浮夸的"内幕"信息。 就是在今年INQ欢欣鼓舞的报道AMD没有工艺和产能问题了。 。。
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9#
 楼主| 发表于 2006-12-13 12:41 | 只看该作者
再举例:看的"懂"的人,还确实有sony"内幕"信息,PS3比XBOX360强3倍!!!还要某些看到"内幕"信息的人士在宣传PS3强于XBOX360的时候,要低调一点,不要透露是强3倍哦。

这就是他们弄的懂的"内幕"信息。

[ 本帖最后由 hopetoknow 于 2006-12-13 12:43 编辑 ]
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10#
发表于 2006-12-13 12:53 | 只看该作者
yahoo的新闻里,IBM和AMD是在放卫星.
不过MS yahoo也不会懂稿子里写的是什么,只是copy一下IBM/AMD的宣传而已.

TG还有国内的小编专家们根据自己的理解改了一下,就成了一陀屎.
IBM/AMD的新闻发言人如果知道,非昏过去不可.:lol:
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potomac 该用户已被删除
11#
发表于 2006-12-13 13:00 | 只看该作者
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potomac 该用户已被删除
12#
发表于 2006-12-13 13:20 | 只看该作者
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13#
发表于 2006-12-13 13:29 | 只看该作者
AMD/IBM揭密45nm 三项技术紧追Intel
作者:且听枫吟/上方文Q 编辑:且听枫吟/上方文Q 2006-12-13 8:36:00

在今天的国际电子设备研讨会(IEDM)上,AMD和IBM描绘了自己的45nm工艺进程蓝图,将以三项技术对抗Intel。

AMD和IBM的这三种技术分别是沉浸式平版印刷术、超低k(ultra-low-k)电介质互联技术,以及多重增强晶体管应变技术。

目前普遍使用的传统平版印刷术在进入到65nm或更新工艺时会面临诸多局限,而沉浸式技术能显著增强微处理器设计和生产过程,因为它使用的是浸没在纯净水里的投影镜头,原理类似沉浸显微透镜。据称,使用沉浸式平版印刷术设计生产的SRAM芯片可获得大约15%的性能提升。

多孔、超低k电介质互联则能降低互联电容、写入延迟和能量消耗,从而明显提高性能功耗比。在保证互联电介质机械强度的同时,超低k电介质技术能减小其介电常数。与目前的low-k电介质相比,ultra-low-k电介质能降低15%左右的写入延迟。

多重增强晶体管应变技术的目的则是解决45nm时代晶体管封装密度增大的难题。AMD和IBM称,与非应变技术相比,这一新技术能将p通道晶体管的驱动电流提高80%,将n通道晶体管的驱动电流提高24%。

AMD与IBM在2005年11月宣布,将双方的合作开发计划延长到2011年,覆盖32nm和22nm工艺。双方希望能在2008年年中拿出首批使用上述新技术的45nm产品。

AMD 的65nm工艺CPU刚刚从其德国德累斯顿工厂批量出后,远落后于其竞争对手Intel,后者已经开始在测试工厂试产45nm工艺产品。根据我们此前的报道,Intel已完成45nm处理器Penryn的样品生产,并为修建45nm生产线投入了90亿美元,已经完成和在建的45nm工厂有3座。
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zacard 该用户已被删除
14#
发表于 2006-12-13 13:29 | 只看该作者
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15#
发表于 2006-12-13 13:33 | 只看该作者
:funk: :funk:
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16#
发表于 2006-12-13 13:36 | 只看该作者
INTEL的45nm没有用Immersion lithography的吗?现在已经用的有几家?
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potomac 该用户已被删除
17#
发表于 2006-12-13 13:49 | 只看该作者
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18#
发表于 2006-12-13 14:04 | 只看该作者
原帖由 托斯卡纳的蓝 于 2006-12-13 13:34 发表
intel应该管IBM叫DAD,没有IBM那有INTEL,典型的小人得志。


不知道Intel的4004出来的时候,IBM还用晶体管搭计算机呢吧?
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19#
发表于 2006-12-13 14:16 | 只看该作者
原帖由 amu 于 2006-12-13 11:38 发表
貌似要很久,不过也总算有进步,不跳票就好

据说今天3600+已经跌破800了,可能65nm快上市了


我晕,上个月帮同学装机还是1120。。。现在就。。。。
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20#
 楼主| 发表于 2006-12-13 14:20 | 只看该作者
原帖由 单晶硅传奇 于 2006-12-13 13:36 发表
INTEL的45nm没有用Immersion lithography的吗?现在已经用的有几家?

举例:
Pro-A狂喊,Intel的L1D没有用64KB的吗?现在已经上市U的有几家?AMD强的没边了。强到Pro-A做梦都高兴。。。
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